第!
"卷!
第#期!
$$%年#月 半!
导!
体!
学!
报 &'()*+*,-./)01-2+*3(&-)
4.&5-/+ 6789!
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)79#,:;9!
!
$$% 高功率GJ++"'锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制 李!
瞡马骁宇!
王!
俊 #中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心!
北京!
#$$$"M$ 摘要初步设计#\TT;G锥形增益区脊形波导量子阱激光器材料和器件结构!
利用3-&64生长#\TT;G(;
U S:0?
c%(;c量子阱激光器外延片!
引入腔破坏凹槽#K:LBEIU?
@7B8B;CC=77L>?
$将有源层刻蚀断以隔离从锥形区反向传输回的高阶模!
进一步改善远场光束质量9保持总腔长#f$$'G不变!
改变脊形区的长度!
其长度分别为\J$!
%$$和fJ$'G9对比三种情况的最高输出功率和远场特性!
发现:/Tg%$$'G时!
器件特性参数和远场光束质量最优!
斜率效率为$[M!
T%0!
饱和输出功率为#[!
#T!
其远场为近衍射极限的高斯分布!
发散角为!
f]bf[N]9当固定脊 形区长度为%$$'G!
改变锥形区长度!
发现当锥形区长度为#$$$'G时!
器件特性参数进一步提高!
斜率效率达$[M!
"T%0!
饱和输出功率为#[!
%T!
远场仍为近似高斯分布
9 关键词量子阱激光器&锥形增益&脊形波导&#\TT;G&(;S:0?
c%(;cFB11"\!
NJ,中图分类号5)!
\"[\!
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文献标识码0!
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文章编号$!
JMU\#%%!
$$%$#U$#$"U$
J G!
引言 随着(;E>=;>E及其他数据业务的飞速发展!
长距离光纤传输系统对通信容量和系统扩展的需求与日俱增!
普通的掺铒光纤放大器#*420$的增益带宽只有约MJ;G##JM$%#JNJ;G$!
仅覆盖了石英单模光纤低损耗窗口的一小部分!
不能满足超长距离和大容量传输系统的需要9光纤喇曼#/:G:;$放大器是基于受激喇曼散射机制的一种光放大器!
它可以放大掺铒光纤放大器所不能放大的波段!
而且增益高+串扰小+噪声指数低+频谱范围宽+温度稳定性好+总成本低
9 高功率#\TT;G激光器是光纤/:G:;放大器#/20$的理想喇曼泵浦源9它能够提供大功率+宽带输出!
而且动态可调谐+频率稳定性好9为了提高系统性能!
需要制作出近衍射极限光束质量的高功率泵源
9 单模高功率#\TT;G激光器一般采用脊形波导或条形掩埋结构'#!
!
(!
但受条宽+腔长+腔面功率密度限制!
最高输出功率在M$$GT左右9#ffM年T:8@78>等人采'M(用主控振荡器功率放大器#G:?
UE>=7?
KB88E7=@7V>=U:G@8BOB>=!
3-c0$结构制备带有锥形增益区的脊形波导激光器!
获得f"$;G\[!
T的高功率输出和近衍射极限的的高质量光 束!
用于自由空间光通讯中9此后采用锥形增益区脊形波导结构的大功率S:0?
基激光器被多次报导'\!
J(!
而(;c基结构的长波长激光器可以输出超过#T的近衍射极限的光束也被多次报导'N%f(
9 锥形增益区脊形波导结构激光器!
横向设计由单模区和锥形放大区两部分组成9单模区采用脊形波导结构!
起模式过滤的作用!
保证器件基模振荡&锥形增益区起功率放大作用!
同时可以减小输出腔面的功率密度+抑制出光面灾变性光学损伤+有效防止自聚焦和光束扭曲的发生'#$(
9 锥形增益区脊形波导激光器的结构要经过精确设计和优化!
才能保证较低的阈值电流+较高的输出功率+远场单模+没有自聚焦发生!
其'##!
#!
(中主要是优化脊形区和锥形区的长度以及总腔长等9但有关这方面研究的报道很少9!
$$M年+DG@O等人针'##(对%MJ;G锥形激光器进行了结构优化!
对总腔长分别为!
和\GG!
选取最佳脊区长度分别是%J$和#$$$'G9在长波长方面!
只有#ff"年T:8@78>等人'#!
(在对#[J'G锥形激光器的研究中有所涉及9本文报导了#\TT;G锥形增益区脊形波导结构激光器的研制结果!
对#\TT;G锥形激光器的脊形区和锥形区长度以及总腔长进行了优化
9 H!
材料和器件设计 初步设计材料结构并辅以理论计算9理论计算 <通信作者9*G:B8"8BH!
FE7>9K7G9K;!
!
$$NU$NU#J收到!
!
$$NU$"U$#定稿 "!
$$%中国电子学会 第#期 李!
瞡等"!
高功率#\TT;G锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制 %)( 了当垒层厚度为#$;G#-g#[!
!
'G$时!
有源区光场限制因子和远场垂直方向发散角随限制层#-g#[#'G$厚度的变化关系9有源区光场限制因子和远场垂直方向发散角随限制层#-g#[#'G$厚度的增加而线性增加9设计要求垂直方向发散角尽量小!
考 虑到材料生长工艺等因素!
取限制层厚度为M$;G!
相应的远场垂直方向的发散角为M$[\]!
光场限制 因子为!
[N^9材料结构如图#所示9采用3-6&
4 生长#\TT;G(;S:0?
c%(;c应变量子阱激光器外 延片
9 (;S:0?
(;c (;S:0?
c(;c (;S:0?
c 3oT (;S:0?
c(;S:0?
c (;c $[#'G#[J'G!
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'G-#[#'G"g!
[\b#$#"KGiM 图#!
外延层结构2BC9#!
5FBKY;>:;AK7G@7;>;E7OEF>>@BE:ZB:88:I>=?
脊形区的台面宽度和腐蚀深度要经过理论和实 验的优化!
才能够保证基模振荡和器件的长期可靠 性9我'#M!
#\(们使用等效折射率方法来估计脊形波导 的基模工作条件!
也就是一阶侧模的截止条件9一阶侧模的截止宽度>为'#J(" 槡>
I -) !
"!
>OO!
L"!
>OO% #%$ 其中!
脊形波导部分的等效折射率为">OO!
!
两侧腐 蚀了部分覆盖层区域的等效折射率为">OO#9图!
给 出了本材料结构理论计算的一阶侧模的截止宽度与 剩余覆盖层厚度的变化关系9可以看出当脊形宽度 为!
[J%\[!
'G时!
距有源层的剩余厚度应为$[#%$[M'G9当剩余覆盖层的厚度大于这个厚度时!
折射率差很弱!
不再具有内建折射率波导限制作用&当 小于这个厚度时!
将会由于较大的折射率差而使基 模的截止宽度减小!
导致高阶模的出现9因此结合模 拟计算和实验制备情况!
取脊形区宽度为M'G!
腐蚀深度为#[N'G!
剩余覆盖层的厚度为$[!
'G!
生长!
$;G的(;S:0?
c腐蚀阻挡层
9 为了保证低损耗传输!
设计中锥形增益区的发 散角度要小于基模衍射角!
这样就可以有效避免光 束传输中基膜能量耦合进高阶模或辐射模!
理论计 算表明整个锥形角度要小于N]'#N!
#%(9基模的衍射角为'#"(" 图!
!
一阶模的截止宽度与剩余覆盖层厚度的关系2BC9!
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"为体折射率&">OO为波导宽度为>时的有 效折射率&">OO;为>5q时的有效折射率9脊形波导的宽度和脊形区的有效折射率决定脊形区的基模 衍射角9根据本设计结构计算得到基模衍射角约为 N]!
因此本设计中取锥形发散区角度为J]
9 综合考虑材料均匀性+器件制备和封装工艺的 可行性!
本设计中器件总腔长为#f$$'G9保持腔长:g#f$$'G不变!
改变脊形区的长度:/T分别为\J$!
%$$和fJ$'G!
测试其K?
!
特性和远场特性!
从中选取最佳优化方案
9 为获得较低的阈值电流和较高的斜率效率!
对 于脊区长度为%$$'G的器件的锥形区长度进行了优化!
改变锥形区长度分别为"$$!
#$$$和 #!
$$'G!
对比其阈值电流+斜率效率+饱和功率和远场等
9 为避免锥形区的高阶模反向传输回脊形区破坏 基膜特性!
在脊形区和锥形区之间制作了腔破坏凹 槽#K:LBEIU?
@7B8B;CC=77L>?
$作为隔离!
将有源层刻蚀断'#$(9槽宽度为#$'G9 0!
制备工艺 生长好的外延片先光刻腐蚀出脊形波导部分!
腐蚀深度为#[N'G&然后再光刻腐蚀脊形波导两侧的腔破坏凹槽!
深度为!
[$'G!
将有源层腐蚀断&最后再覆盖+B-!
介质膜!
将脊形区和锥形区上的+B-!
介质膜腐蚀掉9制作@面电极#溅射5BcE0D$+减薄+制作;面电极#蒸发0DS>)B和合金$!
然后将片子解理成d:=!
用*&/进行腔面镀膜!
'/gfJ^!
0/gM^!
解理后的管芯@面向下铟焊料烧 %%) 半!
导!
体!
学!
报 结在铜热沉上!
5-M封装后在激光器综合测试仪上进行测试
9 J!
器件特性 JTG!
总腔长不变*不同脊区长度时器件的#*)特性 图M为脊形区分别为\J$!
%$$和fJ$'G时器件在#^脉冲下#脉宽为J$'?
+频率为!
$$'X$测试的K?
!
特性曲线9表#为三种器件相应的阈值电流+斜率效率+饱和电流和最大输出功率
9 第!
"卷 图\!
:/Tg\J$'G时器件的远场图2BC9\!
2:=UOB>8AB;E>;?
BEI@=7OB8>:E:/Tg\J$'
G 图M!
脊形波导长度分别是\J$!
%$$和fJ$'G时器件的K?
!
特性曲线 2BC9M!
c7V>=UKD==>;EKF:=:KE>=B?
EBK?
7OEF>#\TT;GE:@>=>A8:?
>=:EABOO>=>;E8>;CEF?
7O/T 表#!
不同脊形区长度时器件的电光参数 5:W8>#!
&F:=:KE>=B?
EBK@:=:G>E>=?
7O#\TT;GE:@>=
U >A8:?
>=:EABOO>=>;E8>;CEF?
7O/T :/T%'G\J$ !
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J #9!
# fJ$ $9\" $9!
% J9M!
#9$
J 可以看到!
:/T越短!
相应的锥形区越长!
锥形 区发散越大!
阈值电流越大9对比三者的斜率效率和 输出功率!
:/Tg%$$'G时!
斜率效率和最大输出功率最高!
分别是$[M$T%0和#[!
#T&:/Tg\J$'G时!
斜率效率和最大输出功率分别是$[!
"T%0和 #[$"T&:/TgfJ$'G时!
斜率效率和最大输出功率最低!
分别是$[!
NT%0和#[$JT9 图\%N分别为脊形区长度是\J$!
%$$和fJ$'G时器件在&T工作下的远场图#!
gM0$9其中在:/Tg%$$'G时的水平方向远场图中!
位于中心包络的能量较多而且光斑对称性较好!
远场发散 角为!
f]bf[N]9综合以上器件的K?
!
特性和远场分 布情况!
:/Tg%$$'G时!
不仅斜率效率和输出功率高!
而且远场水平近似高斯分布9图%是:/Tg %$$'G时器件的光谱图#!
gM0$!
中心波长为#\\";G9 图J!
:/Tg%$$'G时器件的远场图2BC9J!
2:=UOB>8AB;E>;?
BEI@=7OB8>:E:/Tg%$$'
G 图N!
:/TgfJ$'G时器件的远场图2BC9N!
2:=UOB>8AB;E>;?
BEI@=7OB8>:E:/TgfJ$'
G 第#期 李!
瞡等"!
高功率#\TT;G锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制 %%% 图%!
:/Tg\J$'G时器件的光谱图2BC9%!
+@>KE=DG7OEF>#\TT;GE:@>=>A8:?
>= JTH!
脊区长度不变*不同锥形区长度时器件的阈值和效率 !
!
对固定总腔长!
改变脊区长度选出的最优方案再进行腔长优化9固定脊区长度为%$$'G!
改变锥形区长度分别为"$$!
#$$$和#!
$$'G!
测试器件阈值电流和斜率效率!
选出最优方案9测试结果表明!
随着锥形长度的减少!
阈值电流逐渐减小9图"是器件的斜率效率在不同锥形区长度下变化情况9随着锥形长度的减少!
斜率效率逐渐增加9在三种锥形长度中!
锥形区长度为#$$$'G的器件阈值电流较低!
为$[J"0!
斜率效率较高!
为$[M!
"T%09器件的饱和输出功率可以增加到#[!
%T!
远场仍为近高斯分布!
综合特性最优9而锥形长度较短为"$$'G时!
虽然阈值电流略低+斜率效率和饱和输出功率略高!
但器件的水平远场特性不理想
9 图"!
斜率效率随锥形区长度的变化关系2BC9"!
4>@>;A>;K>7O>OOBKB>;KI7O?
87@>7;EF>8>;CEF7OEF>/T V!
分析与讨论 量子阱激光器阈值增益表示为" @EFI'6)8;YEFYE= ##$ 其中!
'是有源区光场限制因子&6$是材料增益系 数&YEF是阈值电流密度&YE=是透明电流密度9锥形增益区脊形波导结构器件的总损耗表示 为'f(" ,C>?

I,BJ%8;%J%8;#-:E:@>=!
:F%F!
!
:>!
">OO #*$ 总损耗由三部分组成"第一项为内部损耗!
第二项为 端面损耗!
第三项是由锥形区带来的内部损耗!
简称 为E:@>=损耗9其中,B为内部损耗!
:是总腔长!
F#F!
是前后腔反射率!
:E:@>=是锥形区长度!
>是 脊宽!
">OO是有效折射率
9 当脊形区比较短!
为\J$'G时!
在保持总腔长#f$$'G不变时!
相应的锥形区较长!
E:@>=损耗增加!
器件的总损耗增加!
阈值电流密度较大!
由于注 入电流的面积也较大!
因此阈值电流较大9由于脊形区较短!
注入到锥形区的能量较少!
饱和功率较低!
同时模式过滤也不够充分!
表现为远场水平方向光 强分布不均匀
9 当脊形区加长到%$$'G!
由于相应的锥形区的长度减小!
因此E:@>=损耗略有降低!
器件的总损耗略降低!
阈值电流密度减小!
由于注入电流的面积也 减小了!
因此阈值电流降低9由于脊形区的延长!
注入锥形区的能量增加!
在锥形区的增益饱和更完全!
饱和功率提高9同时模式过滤更加充分!
光束更加稳 定性!
表现为远场近似高斯分布
9 当脊形区再加长到fJ$'G!
虽然由于锥形区的减短而使阈值电流降得更低!
但脊形区的高能量注 入到锥形区!
由于锥形区的发散面积小!
光功率密较 高!
容易产生光束扭曲!
表现为远场水平方向单模特 性不理想9当固定脊区长度!
改变锥形长度时!
随着锥形长 度的增加!
镜面损耗和E:@>=损耗都减小!
器件的阈值电流密度减小了!
但由于注入电流面积的增大!
阈 值电流仍然增加
9 %Ag%
B ,
G ,B`,G`,E:@>= #N$ 随着锥形长度的增加!
镜面损耗与总损耗的比 率减小了!
因此外微分量子效率减小9而当锥形区长 度较小!
为"$$'G时!
虽然阈值电流更低+外微分量子效率更高!
但由于锥形区发散面积变小!
光功率密 较高!
容易产生光束扭曲!
表现为远场单模特性不理 想9腔破坏凹槽在保证器件单模振荡中起很重要的 作用!
为防止从前腔面E:@>=区反射回的一小部分高阶模在前后腔之间形成振荡!
在脊形区和锥形区 之间将有源层刻蚀断以进行有效隔离
9 W!
结论 腔长为#f$$'G的锥形增益区脊形波导激光器 %%!
半!
导!
体!
学!
报 第!
"卷 经过优化后:/Tg%$$'G:E:@>=g#!
$$'G时器件的特性参数最好阈值为$[%0效率为$[M!
T0饱和功率达#[!
#T远场近似高斯分布9固定脊区长度为%$$'G改变锥形区长度当:E:@>=g#$$$'G时器件的综合特性最好阈值电流减小到$[J"0斜率效率增加到$[M!
"T0饱和功率达#[!
%T远场仍为近似高斯分布
9 参考文献 #!
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>郭长志9半导体激光模式理论9北京人民邮电出版社#f"f#%%#N!
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