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PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 可编程片上系统（PSoC） 概述 PSoC®4是一个可扩展和可重配置的平台架构，用于基于Arm®Cortex®-M0+CPU的可编程嵌入式系统控制器系列。
它集成了可编程和可重新配置的模拟和数字模块，并且能够灵活自动地路由资源。
PSoC4000S产品系列是PSoC4平台架构的一个成员。
该产品系列集成了下列四项：拥有标准通信和时序外设的微控制器、具有一流性能的电容式触摸感应（CapSense）系统、可编程的通用、连续和带有开关电容的模拟模块以及可编程接口。
针对新应用和设计的要求，PSoC4000S产品与PSoC4平台系列产品向上兼容。
特性 32位MCU子系统■48MHzArmCortex-M0+CPU,配置单周期倍频■包含读取加速器的闪存容量可达32KB■SRAM的容量高达4KB 可编程模拟资源■由电容式感应模块提供的单斜10位ADC功能■可用在任意引脚上的两个电流DAC（IDAC），用于通用目的或 电容式感应应用■可在深度睡眠模式下工作的两个低功耗比较器 可编程数字资源可编程逻辑模块支持在输入和输出端口上执行Boolean（布尔）操作 低功耗操作模式的电压范围：1.71V~5.5V■在深度睡眠模式下，模拟系统可正常工作，并且数字系统仅消 耗2.5μA的电流 电容式感应■赛普拉斯的CapSenseSigma-Delta（CSD）模块提供了一流 的信噪比（SNR>5:1）和防水功能■赛普拉斯提供的软件组件使电容式感应设计变为更加简单■自动硬件调校（SmartSense™） 串行通信■两个运行时可重新配置的独立串行通信模块（SCB），可配置 为I2C、SPI或UART功能 LCD驱动能力■GPIO上的LCDsegment驱动能力 定时和脉冲宽度调制器■五个16位定时器/计数器/脉冲宽度调制器（TCPWM）模块■支持中心对齐、边沿对齐和伪随机模式■基于比较器触发的“Kill”信号，适用于电机驱动和其它高可靠 性数字逻辑的应用 多达36个可编程的GPIO引脚■48-TQFP、40-pinQFN，32-pinQFN、24-pinQFN，32-pin TQFP和25-ballWLCSP封装■任何GPIO引脚都可用作CapSense、模拟或数字引脚■可编程驱动模式、强度和转换速率 时钟源■32-kHz监视晶振(WCO)■±2%精度内部主振荡器(IMO)■32-kHzI内部低速振荡器(ILO)ModusToolbox™软件 ■多平台工具和软件库的综合集合。
■包括电路板支持包(BSP)、外设驱动库(PDL)和CapSense等中 间件。
PSoCCreator设计环境■集成开发环境（IDE）支持设计原理图的创建和编译（包括自 动路由模拟和数字模块）功能。
■应用编程接口（API）可用于所有固定功能和可编程的外设 工业标准工具的兼容性■创建设计原理图后，可以使用基于Arm的工业标准开发工具进 行开发 赛普拉斯半导体公司文档编号：002-10632版本*
C •198ChampionCourt •SanJose,CA95134-1709 •408-943-2600 修订日期May12,2021 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 文档生态体系 PSoC4MCU资源赛普拉斯的网站上提供了大量资料，有助于您正确选择PSoC器件，并使您能够快速和有效地将器件集成到设计中。
下面是PSoC4MCU的简要链接列表： ■概况：PSoC产品系列、PSoC路线图 ■产品选型器：PSoC4MCU。
■ApplicationNotes包括从基本到高级的广泛主题。
包括：:❐AN79953:GettingStartedWithPSoC4.此应用笔记提供便捷的流程图以帮助决定使用哪个IDE：ModusToolbox™软件或PSoCCreator.❐AN91184:PSoC4BLE-DesigningBLEApplications❐AN88619:PSoC4HardwareDesignConsiderations❐AN73854:IntroductionToBootloaders❐AN89610:ArmCortexCodeOptimization❐AN86233:PSoC4MCUPowerReductionTechniques❐AN57821:MixedSignalCircuitBoardLayout❐AN85951:PSoC4,PSoC6CapSenseDesignGuide ■CodeExamples展示了产品特性和使用，可从这个路径获取：CypressGitHubrepositories. ■TechnicalReferenceManuals(TRMs)提供了PSoC4MCU架构和寄存器的详细描述。
■PSoC4MCUProgrammingSpecification提供了对PSoC4MCU非易失性存储器进行编程的必要信息。
■开发工具❐ModusToolbox™软件通过一套强大的工具和软件库实现了跨平台代码开发。
❐PSoCCreator是一款基于Windows的免费IDE。
它可以同时进行基于PSoC3、PSoC4、PSoC5LP和PSoC6MCU系统的硬件和固件设计。
使用原理图捕获和超过150个预先验证的、可用于生产的外设组件创建应用程序。
❐CY8CKIT-145-40XXPSoC4000SCapSensePrototypingKit,是一款低成本和易于使用的评估平台。
此套件以面包板兼容的格式向所有器件I/O口提供方便的接入。
❐MiniProg4andMiniProg3一体式开发编程器和调试器。
❐PSoC4MCUCADlibraries为通用工具提供了封装和原理图支持。
还提供IBIS模型。
■TrainingVideos培训视频内容广泛，包括PSoC4MCU101series。
■CypressDeveloperCommunity每周7天、每天24小时与世界各地的PSoC开发者同行建立联系，并设有专门的PSoC4MCU社区. 文档编号：002-10632版本*
C 页2/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 ModusToolbox™软件ModusToolboxSoftware是赛普拉斯的多平台工具和软件库的综合集合，可以为创建融合的MCU和无线系统提供沉浸式的开发体验。
它是:■全面--它拥有你所需要的资源■灵活--您可以在您自己的工作流程中使用资源■原子级设计-你可以得到你想要的资源赛普拉斯在GitHub上提供了大量的代码库，包括:■与赛普拉斯套件一致的板卡支持包（BSPs）■低级资源，包括外设驱动库(PDL)■中间件实现了CapSense等行业领先的功能。
■一套广泛的经过全面测试的代码示例应用ModusToolbox软件是IDE中立的，很容易适应你的工作流程和首选开发环境。
它包括一个ProjectCreator、外设和库配置器、一个库管理器，以及可选的EclipseIDEforModusToolbox，如Figure1所示。
有关使用赛普拉斯工具的信息，请参考随ModusToolbox软件交付的文档以及AN79953:GettingStartedwithPSoC4。
Figure1.ModusToolbox软件工具 文档编号：002-10632版本*
C 页3/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 PSoCCreator PSoCCreator是免费的基于Windows的集成开发环境（IDE）。
通过它可以同时基于PSoC4MCU设计硬件和固件。
如Figure2所示，使用PSoCCreator，可以执行以下操作：
1.在主设计工作区拖放组件图标来完成您的硬件系统设计。
2.使用PSoCCreatorIDEC编译器和PSoC硬件一起设计您的应用固件。
3.使用组件配置工具配置组件
4.探索超过100个组件库
5.检查组件数据表
6.使用PSoC4Pioneer套件对您的解决方案进行原型设计。
如果需要更改设计，PSoCCreator和组件可以让您在不需要修改硬件 的情况下进行即时更改。
Figure2.PSoCCreator中多传感器的示例项目 1 23 45 文档编号：002-10632版本*
C 页4/40 逻辑框图 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 PSoC4000SArchitecture 32-bit AHB-Lite SystemResourcesLite PowerSleepControl WICPORREF PWRSYS Clock ClockControl WDT ILO IMO ResetResetControl XRES TestTestModeEntry DigitalDFT AnalogDFT CPUSubsystem SWD/TC CortexM0+ 48MHz FASTMULNVIC,IRQMUX SPCIF FLASH32KB Readelerator SRAM4KB SRAMController ROM8KB ROMController SystemInterconnect(SingleLayerAHB) Peripherals PCLK PeripheralInterconnect(MMIO) IOSSGPIO(5xports)5xTCPWMCapSense 2xSCB-I2C/SPI/UART2xLPComparator WCO HighSpeedI/OMatrix&2xProgrammableI/O PowerModesActive/Sleep DeepSleep I/OSubsystem 36xGPIOs,LCD PSoC4000S器件能够为硬件和固件的编程、测试、调试和跟踪提供广泛的支持。
Arm串行线调试（SWD）接口支持器件的所有编程和调试功能。
借助完善的片上调试功能，可以使用标准的生产用器件在最终系统中进行全面的器件调试。
它不需要特殊接口、调试转接板、模拟器或仿真器，只需要标准的编程连接，即可全面支持调试。
PSoCCreator集成开发环境（IDE）软件能够为PSoC4100S器件提供全面集成的编程和调试支持。
SWD接口全面兼容符合工业标准的第三方工具。
PSoC4000S器件提供了一个多芯片应用解决方案或微控制器都不能达到的安全级别。
它拥有下面优点： 调试电路默认处于使能状态，并且可以通过固件禁用它。
如果它未被使能，使能它的唯一方法是擦除整个器件，清除闪存保护，然后通过使能调试的新固件对器件重新进行编程。
因此，只有擦除固件后才能覆盖调试固件的控制，从而提高安全性。
此外，对于某些应用，如果担心网络钓鱼会通过对器件恶意重新编程来进行欺诈性攻击或试图启动和中断闪存编程序列来击败安全设定，所有器件接口都可以被永久禁用（器件安全性）。
当器件的最高安全级别启用时，所有编程、调试和测试接口都被禁用。
因此，已使能器件安全性的此器件将不能返回做故障分析。
这是PSoC4000S允许客户做出的权衡。
■允许禁用调试特性■增强闪存保护功能■允许在片上可编程模块上执行客户专有功能 文档编号：002-10632版本*
C 页5/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 功能说明 PSoC4000S器件能够为硬件和固件的编程、测试、调试和跟踪提供广泛的支持。
Arm串行线调试（SWD）接口支持器件的所有编程和调试功能。
借助完善的片上调试功能，可以使用标准的生产用器件在最终系统中进行全面的器件调试。
它不需要特殊接口、调试转接板、模拟器或仿真器，只需要标准的编程连接，即可全面支持调试。
PSoCCreator集成开发环境（IDE）软件能够为PSoC4100S器件提供全面集成的编程和调试支持。
SWD接口全面兼容符合工业标准的第三方工具。
PSoC4000S器件提供了一个多芯片应用解决方案或微控制器都不能达到的安全级别。
它拥有下面优点： ■允许禁用调试特性 ■增强闪存保护功能 ■允许在片上可编程模块上执行客户专有功能 调试电路默认处于使能状态，并且可以通过固件禁用它。
如果它未被使能，使能它的唯一方法是擦除整个器件，清除闪存保护，然后通过使能调试的新固件对器件重新进行编程。
因此，只有擦除固件后才能覆盖调试固件的控制，从而提高安全性。
此外，对于某些应用，如果担心网络钓鱼会通过对器件恶意重新编程来进行欺诈性攻击或试图启动和中断闪存编程序列来击败安全设定，所有器件接口都可以被永久禁用（器件安全性）。
当器件的最高安全级别启用时，所有编程、调试和测试接口都被禁用。
因此，已使能器件安全性的此器件将不能返回做故障分析。
这是PSoC4000S允许客户做出的权衡。
文档编号：002-10632版本*
C 页6/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 目录 功能定义..............................................................................8 CPU和存储器子系统.....................................................8系统资源.......................................................................8模拟模块.......................................................................9可编程数字模块............................................................9固定功能数字模块.........................................................9GPIO..........................................................................10 特殊功能外设..............................................................10引脚布局............................................................................11 引脚复用功能..............................................................12电源...................................................................................14 模式1：1.8V到5.5V外部电源....................................14模式2：1.8V±5%外部电源.......................................14电气规范............................................................................15最大绝对额定值.........................................................15器件级规范.................................................................16模拟外设.....................................................................19数字外设.....................................................................23 存储器.........................................................................26系统资源.....................................................................26订购信息............................................................................29封装...................................................................................31封装图.........................................................................32缩略语................................................................................36文档规范............................................................................38测量单位.....................................................................38修订记录............................................................................39销售、解决方案和法律信息...............................................40全球销售和设计支持...................................................40产品............................................................................40PSoC®解决方案.........................................................40赛普拉斯开发者社区...................................................40技术支持.....................................................................40 文档编号：002-10632版本*
C 页7/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 功能定义 CPU和存储器子系统 CPU PSoC4000S中的Cortex-M0+CPU是32位的MCU子系统的一部分，通过扩展的时钟门控对其进行优化，以降低功耗。
此外，几乎所有指令的长度都为16位，并且CPU执行Thumb-2指令子集。
它包括一个带有8个中断输入的嵌套向量中断控制器（NVIC）模块和一个唤醒中断控制器（WIC）。
通过WIC可以将处理器从深度睡眠模式唤醒，这样，允许芯片处于深度睡眠模式时关闭供给主处理器的电源。
CPU还包含一个串行线调试（SWD）接口—2线式JTAG。
PSoC4000S的调试配置拥有四个断点（地址）比较器和两个观察点（数据）比较器。
闪存PSoC4000S器件包含一个闪存模块，该模块的闪存加速器与CPU紧密耦合，以缩短闪存模块的平均访问时间。
该低功耗闪存模块可在工作频率为48MHz的情况下进行两个等待状态（WS）的访问。
通过闪存加速器，平均85%的时间可以有单周期的SRAM访问速度。
SRAM 4KB的SRAM能够在工作频率为48MHz的情况下进行零等待状态的访问。
SROM PSoC4000S还提供了包含引导和配置子程序的管理ROM。
系统资源 电源系统有关电源系统的详细信息，请参考第14页上的电源一节。
它能够维持进入相应模式或延迟模式时（例如，上电复位（POR））所需要的电压，直到器件正常操作或者生成复位事件（例如，掉电检测）为止。
PSoC4000S可通过一个外部电源供电，其电压范围为1.8V±5%（外部稳压）或1.8V至5.5V（内部稳压）。
它拥有三种不同的电源模式，这些模式之间的转换由电源系统管理。
PSoC4000S提供了活动模式以及低功耗的睡眠模式和深度睡眠模式。
所有子系统都在活动模式下运行。
CPU子系统（CPU、闪存和SRAM）在睡眠模式下受时钟门闸控制关闭，但所有外设和中断还在活动，在发生唤醒事件时会立即唤醒子系统。
在深度睡眠模式下，高速时钟和相关电路都被关闭，从该模式唤醒需要35μs。
时钟系统 PSoC4000S时钟系统为需要时钟的所有子系统提供时钟，并且通过该时钟系统可以在各种时钟源之间进行切换而不会发生毛刺脉冲。
此外，该时钟系统可确保不会出现亚稳态情况。
PSoC4000S的时钟系统包括内部主振荡器（IMO）、内部低频振荡器（ILO）、一个32kHz时钟晶体振荡器（WCO），并能够接入一个外部时钟。
该系统提供了时钟分频器，用于为外设灵活生成精准的时钟。
另外，它还提供了分数分频器，从而为UART生成更高数据速率的时钟。
通过对HFCLK信号进行分频，可以生成用于模拟和数字外设的同步时钟。
PSoC4000S共有8个时钟分频器，其中两个是分数分频器。
16位的分频器能够灵活生成准确的频率值。
PSoCCreator完全支持该功能。
图
3.PSoC4000SMCU时钟架构 IMOExternalClock DivideBy2,4,
8 HFCLK ILO LFCLK HFCLK Prescaler IntegerDividers FractionalDividers 6X16-bit2X16.5-bit SYSCLK IMO时钟源在PSoC4000S中，IMO是主要内部时钟源。
在出厂测试过程中，该时钟源会被调整以达到指定的精度。
IMO的默认频率为24MHz并且能以步径为4MHz从24MHz递增到48MHz。
IMO的校准容差为±2%。
ILO时钟源ILO是一个极低功耗的40kHz振荡器，主要用于为在深度睡眠模式下工作的看门狗定时器（WDT）和外设提供时钟。
利用IMO校准ILO驱动计数器可以提高精度。
赛普拉斯提供了一个用于校准目的的软件组件。
时钟晶体振荡器（WCO）PSoC4000S时钟子系统还能够提供一个用于精确时序应用的低频率振荡器（32kHz时钟晶振）。
WCO模块允许锁定IMO为32kHz振荡器。
PSoC4000S系列器件上的WCO不连接到LFCL或WDT。
因此，不支持RTC功能。
文档编号：002-10632版本*
C 页8/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 看门狗定时器 来自ILO的时钟模块为看门狗定时器提供时钟；这样允许看门狗在深度睡眠模式下仍能工作。
在设定好的超时前，如果看门狗仍未得到服务，它将会产生一个看门狗复位。
看门狗复位被记录在固件可读的复位原因寄存器内。
复位 可以通过各种源（包括软件复位）来复位PSoC4000S。
复位事件是异步发生的，用于确保将器件恢复到一个已知状态。
复位原因被记录在寄存器内，该寄存器的内容在复位过程中保持不变，允许用户通过软件确定复位原因。
有一个XRES引脚保留作为外部复位，低电平有效。
XRES引脚有一个内部上拉电阻（永远使能）。
参考电压 PSoC4000S参考系统能够生成全部所需内部参考电压。
它为比较器提供1.2V参考电压。
IDAC是基于一个±5%参考电压。
模拟模块 低功耗比较器（LPC）PSoC4000S有一对能在深度睡眠模式下工作的低功耗比较器。
这样，当模拟系统模块被禁用时，仍可以在低功耗模式下监控外部电压电平。
通常需要对比较器输出进行同步，以避免亚稳态，除非它在一个异步功耗模式下运行（在该模式下，比较器电压变动事件可以激活系统唤醒电路）。
可将LPC输出路由到各个引脚上。
电流DACPSoC4000S有两个IDAC，用于驱动芯片上的任何引脚。
这些IDAC具有可编程的电流范围。
模拟复用总线 PSoC4000S具有两个围绕芯片周边的同心独立总线（称为AMUX总线）。
它们与固件可编程的模拟开关相连。
通过这些开关，芯片的内部资源（IDAC、比较器）可连接至I/O端口上的任何引脚。
可编程数字模块 可编程I/O（SmartI/O）模块由各个开关和LUT构成，该模块允许通过路由到GPIO端口引脚上的信号实现布尔（Boolean）功能。
SmartI/O可在连接到芯片的输入引脚上或输出信号上进行逻辑操作。
固定功能数字模块 定时/计数/脉宽调制器（TCPWM）模块 TCPWM模块包含一个用户可编程周期长度的16位计数器。
另外，还有一个捕获寄存器，用于记录发生事件（可能是I/O事件）时的计数值；一个周期寄存器，用于停止或自动重新加载计数器（如果它的计数值等于周期寄存器的值）以及多个比较寄存器，用于生成作为PWM占空比输出的比较值信号。
该模块还提供了正向输出和反向输出以及它们间的可编程偏移；这样，这些输出可以作为可编程死区的互补PWM输出使用。
它还有一个停止（Kill）输入，用于强制输出预定状态。
例如，在用于电机驱动系统中，当出现过流状态时，需要立即关闭驱动FET的PWM，而不能等待软件干预。
PSoC4000S中共有五个TCPWM模块。
串行通信模块（SCB） PSoC4000S有两个串行通信模块，可将其配置为SPI、I2C或UART功能。
I2C模式：硬件I2C模块可执行整个多主设备和从设备接口（具有多主设备仲裁功能）。
该模块的工作速率可达1Mbps（快速模式加），另外它还提供了各种灵活的缓冲选项，从而能够降低CPU的中断开销和延迟。
该模块还具有一个EZI2C，通过它可以在PSoC4000S存储器中创建邮箱的地址范围，并且对存储器中的阵列进行读写操作时可以大量减少I2C通信。
此外，该模块提供了一个8字节的FIFO，用于接收和传送数据。
通过延长CPU读取数据的时间，可以明显降低时钟延展的发生率（由于CPU没有及时读取数据而导致的现象）。
I2C外设与I2C标准模式和快速模式器件相兼容，如NXPI2C总线规范和用户手册（UM10204）中所定义。
GPIO可以在开漏模式下实现I2C总线I/O。
在以下几方面，PSoC4000S不完全符合I2C规范： ■GPIO单元不耐受过压，因此不能热插拔或独立于其它I2C系统上电。
UART模式：这是一个运行速度高达1Mbps的全功能UART。
它支持汽车单线接口（LIN）、红外接口（IrDA）和智能卡（ISO7816）协议，这些都是基本UART的衍生协议。
此外，它还支持9位多处理器模式（该模式允许寻址连接到通用RX和TX线的外设），并支持通用UART功能（如奇偶校验错误、中断检测以及帧错误）。
一个深度为8字节的FIFO允许更长的CPU服务延迟。
SPI模式：SPI模式完全支持MotorolaSPI、TISSP（添加了一个用于同步SPI编解码的启动脉冲）和NationalMicrowire（SPI的半双工形式）。
该SPI模块可以使用FIFO。
文档编号：002-10632版本*
C 页9/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 GPIO PSoC4000S最多有36个GPIO。
GPIO模块实现下列功能： ■八种驱动模式：❐模拟输入（输入和输出缓冲区被禁用）❐仅输入❐弱上拉和强下拉❐强上拉和弱下拉❐开漏和强下拉❐开漏和强上拉❐强上拉和强下拉❐弱上拉和弱下拉 ■输入阈值选择（CMOS或LVTTL）。
■除了各种强驱动模式外，还能独立控制输入和输出缓冲区的使能/禁用状态 ■可以选择转换速率，用于控制dV/dt相关噪声，有助于降低EMI 各个引脚被分为逻辑实体并称为端口，每个端口的宽度为8位（端口2和3会少一些）。
在上电和复位期间，各模块被强制为禁用状态，从而防止给任何输入供电和/或在引脚启用时发生过流。
一个高速I/O矩阵的复用网络用于复用连接多个信号至一个I/O引脚。
数据输出寄存器和引脚状态寄存器分别用于存储输出到引脚上的数据和引脚状态。
当使能中断时，每一个I/O都能生成一个中断，并且每个I/O端口都有一个相关的中断请求（IRQ）和中断服务子程序（ISR）向量（对于PSoC4000S，该数量为5）。
特殊功能外设 CapSense PSoC4000S中的CapSenseSigma-Delta（CSD）模块为用户提供了CapSense功能。
通过模拟开关连接到模拟复用总线，可将该模块连接到任何引脚上。
因此，在软件控制情况下，系统中的任何可用引脚或引脚组都可以提供CapSense功能。
为了便于用户使用CapSense模块，还提供了PSoCCreator组件。
通过将屏蔽电压驱动到另一个模拟复用总线（即对屏蔽电极和感应电极进行同步的驱动），可以提供防水功能，从而避免屏蔽电容衰减感应输入信号。
另外可以实现接近感应。
CapSense模块有两个IDAC。
如果不用CapSense（两个IDAC都可用）或CapSense没有防水功能（一个IDAC可用），可以将这两个IDAC作为通用IDAC使用。
CapSense模块还提供10位斜率ADC功能，该功能可与CapSense功能配合使用。
CapSense模块是一个高级、低噪声的可编程模块，可编程参考电压和电流源的范围，有助于提升系统的灵敏度和灵活性。
它也可以使用外部参考电压。
它支持全波CSD模式，交换检测VDDA和接地电压，以消除电源相关的噪声。
LCDSegment驱动 PSoC4000S有一个LCD控制器，可驱动多达8个mon和28个segment。
该控制器使用完整的数字方法驱动LCDsegment，而不需要生成内部LCD电压。
这两种方法被称为数字关联和PWM。
数字关联通过调制mon和segment信号的频率和驱动电平来生成跨过一个segment的最高RMS电压（用于点亮该segment）或保持RMS信号为零。
这种方法对STN显示屏很有用，但可能会降低TN（较便宜）显示屏的对比度。
PWM方法是使用PWM信号来驱动屏幕，有效地利用屏幕的电容来提供经过调制的脉冲宽度，从而生成所需LCD电压。
这种方法要求更高的功耗，但驱动TN显示屏时可以带来更好的效果。
文档编号：002-10632版本*
C 页10/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 引脚布局 下表提供了PSoC4000S器件48-TQFP、40-QFN，32-QFN、24-QFN，32-TQFP和25-ballCSP封装中的引脚分布。
所有端口引脚都支持GPIO。
Pin11在48-TQFP中是无连接引脚。
表
1.PSoC4000S引脚列表 48-pinTQFP 32-pinQFN 24-pinQFN 25-ballCSP 40-pinQFN 32-pinTQFP 引脚名称引脚名称引脚名称引脚名称引脚名称引脚名称 28 P0.0 17 P0.0 13 P0.0 D1 P0.0 22 P0.0 17 P0.0 29 P0.1 18 P0.1 14 P0.1 C3 P0.1 23 P0.1 18 P0.1 30 P0.2 19 P0.2 24 P0.2 19 P0.2 31 P0.3 20 P0.3 25 P0.3 20 P0.3 32 P0.4 21 P0.4 15 P0.4 C2 P0.4 26 P0.4 21 P0.4 33 P0.5 22 P0.5 16 P0.5 C1 P0.5 27 P0.5 22 P0.5 34 P0.6 23 P0.6 17 P0.6 B1 P0.6 28 P0.6 23 P0.6 35 P0.7 B2 P0.7 29 P0.7 36 XRES 24 XRES 18 XRES B3 XRES 30 XRES 24 XRES 37
VCCD25VCCD19VCCDA1VCCD31VCCD25VCCD 38 VSSD 26 VSSD 20 VSSD A2 VSS 26 VSSD 39VDDD27 VDD 21 VDD A3 VDD 32VDDD27 VDD 40 VDDA 27 VDD 21 VDD A3 VDD 33 VDDA 27 VDD 41 VSSA 28 VSSA 22 VSSA A2 VSS 34 VSSA 28 VSSA 42 P1.0 29 P1.0 35 P1.0 29 P1.0 43 P1.1 30 P1.1 36 P1.1 30 P1.1 44 P1.2 31 P1.2 23 P1.2 A4 P1.2 37 P1.2 31 P1.2 45 P1.3 32 P1.3 24 P1.3 B4 P1.3 38 P1.3 32 P1.3 46 P1.4 39 P1.4 47 P1.5 48 P1.6
1 P1.7
1 P1.7
1 P1.7 A5 P1.7 40 P1.7
1 P1.7
2 P2.0
2 P2.0
2 P2.0 B5 P2.0
1 P2.0
2 P2.0
3 P2.1
3 P2.1
3 P2.1 C5 P2.1
2 P2.1
3 P2.1
4 P2.2
4 P2.2
3 P2.2
4 P2.2
5 P2.3
5 P2.3
4 P2.3
5 P2.3
6 P2.4
5 P2.4
7 P2.5
6 P2.5
6 P2.5
6 P2.5
8 P2.6
7 P2.6
4 P2.6 D5 P2.6
7 P2.6
7 P2.6
9 P2.7
8 P2.7
5 P2.7 C4 P2.7
8 P2.7
8 P2.7 10 VSSD A2 VSS
9 VSSD 12 P3.0
9 P3.0
6 P3.0 E5 P3.0 10 P3.0
9 P3.0 13 P3.1 10 P3.1 D4 P3.1 11 P3.1 10 P3.1 14 P3.2 11 P3.2
7 P3.2 E4 P3.2 12 P3.2 11 P3.2 16 P3.3 12 P3.3
8 P3.3 D3 P3.3 13 P3.3 12 P3.3 17 P3.4 14 P3.4 18 P3.5 15 P3.5 19 P3.6 16 P3.6 文档编号：002-10632
版本*
C 页11/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 表
1.PSoC4000S引脚列表 48-pinTQFP 32-pinQFN 引脚名称引脚名称 20 P3.7 21VDDD 22 P4.0 13 P4.0 23 P4.1 14 P4.1 24 P4.2 15 P4.2 25 P4.3 16 P4.3 24-pin
QFN引脚名称
9 P4.0 10 P4.1 11 P4.2 12 P4.3 25-ballCSP引脚名称 E3 P4.0 D2 P4.1 E2 P4.2 E1 P4.3 备注:引脚11,15,26,和27在48-pinTQFP上无连接(NC)。
引脚功能的说明如下：VDDD：数字模块的电源。
VDDA：模拟模块的电源。
VSSD、VSSA：分别是数字和模拟模块的接地引脚。
VCCD：稳压的数字电源（1.8V±5%）。
VDD:向芯片所有部分供电VSS:芯片所有部分接地 40-pinQFN 引脚名称 17 P3.7 18 P4.0 19 P4.1 20 P4.2 21 P4.3 32-pinTQFP引脚名称 13 P4.0 14 P4.1 15 P4.2 16 P4.3 引脚复用功能每个端口引脚均可用于实现某个功能，例如：作为模拟I/O、数字外设功能、LCD引脚或CapSense引脚。
引脚分配如下表所示。
表
2.引脚布局 端口/引脚P0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P1.0P1.1P1.2P1.3P1.4P1.5P1.6P1.7P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7 模拟引脚 p.in_p[0]p.in_n[0]p.in_p[1]p.in_n[1] wco.wco_inwco.wco_out SmartI/O 复用功能
1 复用功能
2 srss.ext_clk tcpwm.line[2]:1pl[2]:1 tcpwm.line[3]:1pl[3]:
1 scb[1].uart_rx:0scb[1].uart_tx:0scb[1].uart_cts:0scb[1].uart_rts:0scb[0].uart_rx:1scb[0].uart_tx:1scb[0].uart_cts:1scb[0].uart_rts:
1 prgio[0].io[0]prgio[0].io[1]prgio[0].io[2]prgio[0].io[3]prgio[0].io[4]prgio[0].io[5]prgio[0].io[6]prgio[0].io[7] tcpwm.line[4]:0pl[4]:0 tcpwm.line[0]:1pl[0]:1 tcpwm.line[1]:1pl[1]:
1 p 复用功能3tcpwm.tr_in[0]tcpwm.tr_in[1] tcpwm.tr_in[2]tcpwm.tr_in[3] tcpwm.tr_in[4]tcpwm.tr_in[5] 深度睡眠
1 深度睡眠2 scb[0].spi_select1:0scb[0].spi_select2:0scb[0].spi_select3:
0 scb[1].i2c_scl:0scb[1].i2c_sda:0 scb[0].i2c_scl:0scb[0].i2c_sda:
0 scb[1].spi_mosi:1scb[1].spi_miso:1scb[1].spi_clk:1scb[1].spi_select0:1scb[0].spi_mosi:1scb[0].spi_miso:1scb[0].spi_clk:1scb[0].spi_select0:1scb[0].spi_select1:1scb[0].spi_select2:1scb[0].spi_select3:
1 scb[1].i2c_scl:1scb[1].i2c_sda:1 p[0]:
1 scb[1].spi_mosi:2scb[1].spi_miso:2scb[1].spi_clk:2scb[1].spi_select0:2scb[1].spi_select1:1scb[1].spi_select2:1scb[1].spi_select3:
1 文档编号：002-10632版本*
C 页12/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 端口/引脚P3.0P3.1P3.2P3.3P3.4P3.5P3.6P3.7P4.0P4.1P4.2P4.3 模拟引脚 csd.vref_extcsd.cshieldpads csd.cmodpadcsd.csh_tank SmartI/O prgio[1].io[0]prgio[1].io[1]prgio[1].io[2]prgio[1].io[3]prgio[1].io[4]prgio[1].io[5]prgio[1].io[6]prgio[1].io[7] 复用功能1 tcpwm.line[0]:0pl[0]:0 tcpwm.line[1]:0pl[1]:0 tcpwm.line[2]:0pl[2]:0 tcpwm.line[3]:0pl[3]:
0 复用功能2scb[1].uart_rx:1scb[1].uart_tx:1scb[1].uart_cts:1scb[1].uart_rts:1 scb[0].uart_rx:0scb[0].uart_tx:0scb[0].uart_cts:0scb[0].uart_rts:
0 复用功能3 tcpwm.tr_in[6]tcpwm.tr_in[7]tcpwm.tr_in[8]tcpwm.tr_in[9]tcpwm.tr_in[10]tcpwm.tr_in[11] 深度睡眠1scb[1].i2c_scl:2scb[1].i2c_sda:2cpuss.swd_datacpuss.swd_clk p[1]:1scb[0].i2c_scl:1scb[0].i2c_sda:1 p[0]:0p[1]:
0 深度睡眠2scb[1].spi_mosi:0scb[1].spi_miso:0scb[1].spi_clk:0scb[1].spi_select0:0scb[1].spi_select1:0scb[1].spi_select2:0scb[1].spi_select3:0 scb[0].spi_mosi:0scb[0].spi_miso:0scb[0].spi_clk:0scb[0].spi_select0:
0 文档编号：002-10632版本*
C 页13/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 电源 下面的电源系统框图显示了PSoC4000S中电源引脚的设置情况。
该系统具有一个处于活动模式的电压调节器，用于为数字电路供电。
系统中没有模拟电压调节器，因此，模拟电路直接由VDD输入供电。
图
4.电源连接 VDDA VDDAVSSA AnalogDomain DigitalDomain VDDDVDDDVSSD 1.8VoltRegulator VCCD 模式1：1.8V到5.5V外部电源 在该模式下，PSoC4000S由外部电源供电，它的范围为1.8到5.5V。
该范围也适用于电池供电的操作。
例如，芯片可由一个开始为3.5V，然后下降到1.8V的电池系统供电。
在该模式下，PSoC4000S的内部电压调节器为内部逻辑供电，并且它的输出与VCCD引脚连接。
VCCD引脚需要通过外部电容（0.1μ
F、X5R陶瓷或性能更好的电容）旁路接地，并且不可连接到其他部分。
模式2：1.8V±5%外部电源 在该模式下，PSoC4000S由一个电压范围为1.71V~1.89V的外部电源供电。
请注意，该范围必须包括电源脉冲。
在该模式下，VDD和VCCD引脚短接相连并被旁路。
内部电压调节器可通过固件被禁用。
VDDD需要通过旁路电容接地。
对于在该频率范围内工作的系统，通常选用一个1μF的电容，与一个较小的电容（如0.1μF）并行放置。
请注意，这只是简单的经验法则。
对于重要的应用，PCB布局、走线间的电感和旁路寄生电容需要通过仿真设计以获得最佳的旁路。
旁路方案示例如下图所示。
共有两种操作模式。
在模式1中，电压范围为1.8V~5.5V（未经外部调节，使用内部稳压器）。
在模式2中，电压范围为1.8V±5%（使用外部稳压器），或1.71~1.89V（不使用内部稳压器）。
图
5.外部电源（电压范围从1.8V到5.5V，使能内部电压调节器） Powersupplybypassconnectionsexample 1.8Vto5.5V0.1μ
F VDDPSoC4000SVDDA 1μ
F 1.8Vto5.5V0.1μ
F 0.1μFVCCD VSS 文档编号：002-10632版本*
C 页14/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 电气规范 最大绝对额定值表
3.最大绝对额定值[1] 规范ID SID1SID2SID3SID4 SID5 BID44BID45BID46 参数 VDDD_ABSVCCD_ABSVGPIO_ABSIGPIO_ABS IGPIO_injection ESD_HBMESD_CDMLU 说明 最小值典型值最大值 相对于VSS的数字供电电压相对于VSS的直接数字内核输入电压GPIO电压 每个GPIO上的最大电流 GPIO注入电流。
VIH>VDDD时，该值最大；VIL6
–
1.95
–VDD+0.5
–
25
–
0.5
–
–
–
–
–
140
单位
详情/条件
–
V – – – mA每个引脚的注入电流 V–– mA – 注释：
1.器件在高于表3中所列出的最大绝对值条件下工作可能会造成永久性损害。
长期在最大绝对值条件下工作可能会影响器件的可靠性。
最大存放温度是150°
C，符合 JEDECJESD22-A103—高温度存放使用寿命标准。
如果采用的值低于最大绝对值但高于正常值，则器件可能不正常工作。
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C 页15/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 器件级规范 除非另有说明，否则规范的适用条件是：–40°C≤TA≤105°
C，TJ≤125°
C，电压范围为1.71V~5.5V。
表
4.直流规范 典型值的测量条件为：VDD=3.3V，温度=25°
C。
规范ID 参数 说明 最小值典型值最大值单位 SID53 VDD 电源输入电压 1.8 – 5.5 SID255SID54 VDDVCCD 电源输入电压（VCCD=VDD=VDDA）1.71 – 1.89
V 输出电压（供给内核逻辑） – 1.8 – SID55SID56 CEFCCEXC 外部电压调节器旁路电容电源旁路电容 – 0.1 – μ
F –
1 – 在活动模式下，VDD=1.8V~5.5V。
典型值的测量条件为：VDD=3.3V，温度=25°
C。
SID10 IDD5 从闪存内执行，CPU的运行速率为6MHz – 1.2 1.8 SID16 IDD8 从闪存内执行。
CPU的运行速率为24MHz – 2.4 4.0 mA SID19 IDD11 从闪存内执行，CPU的运行速率为48MHz – 4.6 5.9 在睡眠模式下，VDDD=1.8V~5.5V（使能稳压器） SID22SID25 IDD17IDD20 I2C唤醒、WDT和比较器都被启用。
– 1.1 1.6 mA I2C唤醒、WDT和比较器都被启用 – 1.4 1.9 在睡眠模式下，VDDD=1.71V~1.89V（旁路稳压器） SID28 IDD23 I2C唤醒、WDT和比较器都被启用 SID28A IDD23A I2C唤醒、WDT和比较器都被启用 – 0.7 0.9 mA – 0.9 1.1 mA 在深度睡眠模式下，VDD=1.8V~3.6V（启用稳压器） SID31 IDD26 I2C唤醒和WDT被启用 – 2.5 60 μ
A 在深度睡眠模式下，VDD=3.6V~5.5V（启用稳压器） SID34 IDD29 I2C唤醒和WDT被启用 – 2.5 60 μ
A 在深度睡眠模式下，VDD=VCCD=1.71V~1.89V（旁路稳压器） SID37 IDD32 I2C唤醒和WDT被启用 – 2.5 60 μ
A XRES电流 SID307 IDD_XR 触发XRES时的供电电流 –
2 5 mA 详情/条件内部稳压电源内部未稳压电源 –X5R陶瓷电容或性能更好的电容X5R陶瓷电容或性能更好的电容 – – – 6MHz12MHz 6MHz12MHz – – – – 表
5.交流规范 规范IDSID48SID49[2]SID50[2] 参数FCPUTSLEEPTDEEPSLEEP 注释：
2.由表征保证。
说明CPU频率从睡眠模式唤醒的时间从深度睡眠模式唤醒的时间 最小值DC–– 典型值–035 最大值48–– 单位MHz μs 详情/条件1.71≤VDD≤5.5 文档编号：002-10632版本*
C 页16/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 GPIO 表
6.GPIO直流规范 规范IDSID57SID58SID241SID242SID243SID244 参数VIH[3]VILVIH[3]VILVIH[3]VIL SID59 VOH 说明输入高电平电压阈值输入低电平电压阈值LVTTL输入电压，VDDD<2.7VLVTTL输入电压，VDDD<2.7VLVTTL输入电压，VDDD≥2.7VLVTTL输入电压，VDDD≥2.7V 输出高电平电压阈值 SID60 VOH 输出高电平电压阈值 SID61 VOL 输出低电平电压阈值 SID62 VOL 输出低电平电压阈值 SID62A SID63
SID64SID65SID66SID67[4]SID68[4]SID68A[4] SID69[4] SID69A[4] VOL 输出低电平电压阈值 RPULLUPRPULLDOWNIILCINVHYSTTLVHYSCMOSVHYSCMOS5V5 IDIODE ITOT_GPIO 上拉电阻下拉电阻输入漏电流（绝对值）输入电容按LVTTL电平标准的输入迟滞按CMOS电平标准的输入迟滞按CMOS电平标准的输入迟滞通过保护二极管到达VDD/VSS的电流芯片的最大源电流或灌电流总值 最小值0.7xVDDD –0.7xVDDD –2.0– 典型值最大值 – – –0.3xVDDD – – –0.3xVDDD – – – 0.8 VDDD–0.6– – VDDD–0.5– – – – 0.6 – – 0.6 – – 0.4 3.5 5.6 8.5 3.5 5.6 8.5 – –
2 – –
7 25 40 – 0.05
×VDDD– – 200 – – 单位 V kΩnApFmV 详情/条件CMOS输入电压CMOS输入电压 –––– VDDD=3V时，IOH=4mAVDDD=3V时，IOH=1mAVDDD=1.8V时，IOL=4mAVDDD=3V时，IOL=10mAVDDD=3V时，IOL=3mA –– 25°
C，VDDD=3.0V– VDDD≥2.7VVDD<4.5VVDD>4.5V – – 100 μ
A – – – 200 mA – 注释：
3.VIH不能超过VDDD+0.2V。
4.由表征保证。
文档编号：002-10632版本*
C 页17/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 表
7.GPIO交流规范（由表征保证） 规范ID 参数 SID70 TRISEF SID71 TFALLF SID72 TRISES SID73 TFALLS SID74 FGPIOUT1 SID75 FGPIOUT2 SID76 FGPIOUT3 SID245 FGPIOUT4 SID246 FGPIOIN XRES
表
8.XRES直流规范 规范IDSID77SID78SID79SID80 参数 VIHVILRPULLUPCIN SID81[5] VHYSXRES SID82 IDIODE 说明 快速强驱动模式下的上升时间 快速强驱动模式下的下降时间 慢速强驱动模式下的上升时间 慢速强驱动模式下的下降时间 GPIO
的输出频率（FOUT）；3.3V≤VDDD≤5.5V快速强驱动模式GPIO的输出频率（FOUT）；1.71V≤VDDD≤3.3V快速强驱动模式GPIO的输出频率（FOUT）；3.3V≤VDDD≤5.5V慢速强驱动模式GPIO的输出频率（FOUT）；1.71V≤VDDD≤3.3V慢速强驱动模式GPIO输入工作频率；1.71V≤VDDD≤5.5V 最小值
2 典型值–
2 – 10 – 10 – – – – – – – – – – – 最大值1212606033 16.7 7 3.548 单位ns–– MHz 详情/条件 VDDD=3.3V，Cload=25pF VDDD=3.3V，Cload=25pF VDDD=3.3V，Cload=25pF VDDD=3.3V，Cload=25pF 90/10%，Cload=25pF，60/40占空比 90/10%，Cload=25pF，60/40占空比 90/10%，Cload=25pF，60/40占空比 90/10%，Cload=25pF，60/40占空比 90/10%VIO 说明输入高电平电压阈值输入低电平电压阈值上拉电阻输入电容 输入电压迟滞 通过保护二极管到达VDD/VSS的电流 最小值0.7×VDDD ––– 典型值––60– 最大值– 0.3xVDDD–
7 – 100 – – – 100 单位VkΩpFmVμ
A 详情/条件 CMOS输入电压 ––VDD>4.5V时，典型迟滞为200mV 表
9.XRES交流规范 规范IDSID83[5] BID194[5] 参数TRESETWIDTHTRESETWAKE 注释：
5.由表征保证。
说明复位脉冲宽度从复位释放到唤醒的时间 文档编号：002-10632版本*
C 最小值典型值最大值单位
1 – – μs – – 2.7 ms 详情/条件–– 页18/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 模拟外设表10.比较器直流规范 规范IDSID84SID85SID86SID87SID247 参数 VOFFSET1VOFFSET2VHYSTVICM1VICM2 SID247AVICM3 SID88SID88ASID89SID248 CMRRCMRRICMP1ICMP2 SID259ICMP3 SID90 ZCMP 说明输入偏移电压，出厂校准值输入偏移电压，自定义校准迟滞（使能时）正常运行模式下的共模输入电压低功耗模式下的共模输入电压 超低功耗模式下的共模输入电压 共模抑制比共模抑制比正常运行模式下的模块电流低功耗模式下的模块电流 超低功耗模式下的模块电流 比较器的直流输入阻抗 最小值–––00 典型值––10–– 最大值±10±435 VDDD–0.1VDDD
0 –VDDD–1.15 50 – – 42 – – – – 400 – – 100 –
6 28 35 – – 单位mV VdBμAMΩ 详情/条件––– 模式1和2– VDDD≥2.2V（温度=–40°C） VDDD≥2.7VVDDD≥2.7V ––VDDD≥2.2V（温度=–40°C）– 表11.比较器交流规范 规范IDSID91SID258 参数TRESP1TRESP2 SID92 TRESP3 说明响应时间，正常运行模式，50mV超压响应时间，低功耗模式，50mV超压 响应时间，超低功耗模式，200mV超压 最小值–– 典型值3870 – 2.3 最大值110200 15 单位nsμs 详情/条件– – VDDD≥2.2V（温度=–40°C） 文档编号：002-10632版本*
C 页19/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 CSD和IDAC 表12.CSD和IDAC规范 规范IDSYS.PER#
3 参数VDD_RIPPLE 说明电源的最大允许纹波，DC~10MHz SYS.PER#16VDD_RIPPLE_1.8电源的最大允许纹波，DC~10MHz 最小值典型值 – – 最大值±50 – – ±25 SID.CSD.BLK ICSD 模块的最大电流 – – 4000 SID.CSD#15 SID.CSD#15A SID.CSD#16SID.CSD#17 SID308 SID308A SID309SID310 SID311SID312 SID313 VREFVREF_EXT IDAC1IDDIDAC2IDD VCSD VCOMPIDAC IDAC1DNLIDAC1INL IDAC2DNLIDAC2INL SNR CSD和比较器的参考电压 CSD和比较器的外部参考电压 IDAC1（7位）模块电流IDAC2（7位）模块电流工作电压范围 IDAC的合规电压范围DNLINL DNLINL 手指信号与噪声的比例。
由表征保证 0.6 0.6 ––1.71 1.2VDDA-0.6 VDDA-0.6 – 1750 – 1750 – 5.5 0.6 – VDDA-0.6 –
1 –
1 –
2 –
2 –
1 –
1 –
2 –
2 5 – – SID314 IDAC1CRT1IDAC1（7位）在低范围内的输出电流 4.2 – 5.4 SID314A IDAC1CRT2IDAC1（7位）在中等范围内的输出电流34 – 41 SID314B IDAC1CRT3IDAC1（7位）在高范围内的输出电流 275 – 330 SID314C IDAC1CRT12IDAC1（7位）在低范围和2X模式下的输
8 – 10.5 出电流 SID314D IDAC1CRT22IDAC1（7位）在中等范围和2X模式下的69 – 82 输出电流 SID314E IDAC1CRT32IDAC1（7位）在高范围和2X模式下的输540 – 660 出电流 SID315 IDAC2CRT1IDAC2（7位）在低范围内的输出电流 4.2 – 5.4 SID315A IDAC2CRT2IDAC2（7位）在中等范围内的输出电流34 – 41 SID315B IDAC2CRT3IDAC2（7位）在高范围内的输出电流 275 – 330 SID315C IDAC2CRT12IDAC2（7位）在低范围和2X模式下的输
8 – 10.5 出电流 SID315D IDAC2CRT22IDAC2（7位）在高范围和2X模式下的输69 – 82 出电流 SID315E IDAC2CRT32IDAC2（7位）在高范围和2X模式下的输540 – 660 出电流 SID315F IDAC3CRT13IDAC（8位）在低范围内的输出电流
8 – 10.5 单位 mV mV μ
A VVμAμAVVLSBLSBLSBLSB比率 μAμAμAμ
A 详情/条件VDD>2V（包括纹波），TA=25°
C，灵敏度=0.1pFVDD>1.75V（包括纹波），TA=25°
C，寄生电容（CP）<20pF，灵敏度≥0.4pF动态（切换）模式下两个IDAC模块的最大电流，包括比较器、缓冲器和参考电压发生器上的电流。
VDDA-0.6或4.4（选择更低的值）VDDA-0.6或4.4（选择更低的值） 1.8V±5%或1.8V到5.5VVDDA-0.6或4.4（选择更低的值） VDDA<2V时，INL为±5.5LSB VDDA<2V时，INL为±5.5LSB电容值范围=5pF~35pF，灵敏度=0.1pF。
所有使用场合。
VDDA>2V。
LSB=37.5nA（典型值）LSB=300nA（典型值）LSB=2.4μA（典型值）LSB=75nA（典型值） μALSB=600nA（典型值） μALSB=4.8μA（典型值） μALSB=37.5nA（典型值）μALSB=300nA（典型值）μALSB=2.4μA（典型值）μALSB=75nA（典型值） μALSB=600nA（典型值） μALSB=4.8μA（典型值） μALSB=37.5nA（典型值） 文档编号：002-10632版本*
C 页20/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 表12.CSD和IDAC规范（续） 规范IDSID315GSID315HSID320 参数IDAC3CRT23IDAC3CRT33IDACOFFSET 说明IDAC（8位）在中等范围内的输出电流IDAC（8位）在高范围内的输出电流所有输入都为零 最小值69540– 典型值––– 最大值826601 SID321 IDACGAIN满量程误差减去偏移 – – ±10 SID322IDACMISMATCH1IDAC1和IDAC2在低功耗模式下的差异 – – 9.2 SID322AIDACMISMATCH2IDAC1和IDAC2在中等功耗模式下的差异– – 5.6 SID322BIDACMISMATCH3IDAC1和IDAC2在高功耗模式下的差异 – – 6.8 SID323 IDACSET88位IDAC达到0.5LSB所需的建立时间 – – 10 SID324 IDACSET77位IDAC达到0.5LSB所需的建立时间 – – 10 SID325 CMOD 外部调制器电容。
– 2.2 – 单位 μAμALSB %LSBLSBLSBμs μs nF 详情/条件LSB=300nA（典型值）LSB=2.4μA（典型值）由源电流或灌电流设置的极性。
偏移为2个LSB（在37.5nA/LSB模式下） LSB=37.5nA（典型值）LSB=300nA（典型值）LSB=2.4μA（典型值）满量程跃变。
无外部负载。
满量程跃变。
无外部负载。
5V的额定电压，X7R或NP0电容。
文档编号：002-10632版本*
C 页21/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 10位CapSenseADC表13.10位CapSenseADC规范 规范ID SIDA94SIDA95 参数 A_RESA_CHNLS_
S 分辨率单端通道数量 说明 SIDA97SIDA98 A-MONOA_GAINERR 单调性增益误差 最小值典型值 – – – – 最大值 1016 – – – – – ±
2 SIDA99 A_OFFSET 输入偏移电压 – –
3 SIDA100SIDA101SIDA103SIDA104SIDA106 A_ISARA_VINSA_INRESA_INCAPA_PSRR 电流消耗单端输入电压范围输入电阻输入电容电源抑制比 – – VSSA – – 2.2 – 20 – 60 0.25VDDA ––– SIDA107SIDA108 A_TACQA_CONV8 样本采集时间 –
1 – 转换速率为Fhclk/(2^(N+2))时8位分– – 21.3 辨率的转换时间时钟频率为48MHz。
SIDA108AA_CONV10 转换速率为Fhclk/(2^(N+2))时10位分– – 85.3 辨率的转换时间时钟频率为48MHz。
SIDA109A_SND 信噪比和失真比（SINAD） – 61 – SIDA110SIDA111 SIDA112 A_BWA_INL A_DNL 无混叠输入带宽在1Ksps时的积分非线性 在1Ksps时的微分非线性 – – 22.4 – –
2 – –
1 单位 详情/条件 位每毫秒需要自动清零由AMUX总线定义。
有 %处于VREF（2.4V）模式，并使用大小为10μF的VDDA旁路电容 mV处于VREF（2.4V）模式，并使用大小为10μF的VDDA旁路电容 mA
V KΩ pF dB处于VREF（2.4V）模式，并使用大小为10μF的VDDA旁路电容 μs μs不包括样本采集时间。
等于44.8Ksps（包括采集时间）。
μs不包括采集时间。
等于11.6Ksps（包括样本采集时间）。
dB10Hz输入正弦波、2.4V的外部参考电压、VREF（2.4V）模式 kHz8位分辨率LSBVREF=2.4V或更高的 值 LSB 文档编号：002-10632版本*
C 页22/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 数字外设 定时器/计数器/脉宽调制器（TCPWM）表14.TCPWM规范 规范IDSID.TCPWM.1 参数ITCPWM1 说明频率为3MHz时的模块电流消耗 SID.TCPWM.2ITCPWM2 频率为12MHz时的模块电流消耗 SID.TCPWM.2AITCPWM3 频率为48MHz时的模块电流消耗 SID.TCPWM.3TCPWMFREQ工作频率 SID.TCPWM.4TPWMENEXT输入触发脉冲宽度 最小值––– 典型值––– 最大值45155650 – – Fc 2/Fc – – SID.TCPWM.5TPWMEXT 输出触发脉冲宽度 2/Fc – – SID.TCPWM.5ATCRESSID.TCPWM.5BPWMRES SID.TCPWM.5CQRES 计数器的分辨率PWM分辨率 正交输入分辨率 1/Fc – – 1/Fc – – 1/Fc – – 单位μAMHz ns 详情/条件所有模式（TCPWM） 所有模式（TCPWM） 所有模式（TCPWM）Fcmax=CLK_SYS最大值=48MHz针对所有触发事件[6] 上溢、下溢和CC（计数值等于比较值）输出的最小宽度 连续计数之间的最短时间 PWM输出的最小脉宽 正交相位输入间的最小脉冲宽度 注释：
6.根据所选的工作模式，触发事件可以为：、Start、Reload、Count、Capture或Kill。
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C 页23/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 I2C表15.固定I2C直流规范[7] 规范IDSID149SID150SID151SID152 参数II2C1II2C2II2C3II2C4 说明频率为100KHz时模块消耗的电流频率为400KHz时模块消耗的电流比特率为1Mbps时模块消耗的电流I2C在深度睡眠模式下被使能 表16.固定的I2C交流规范[7] 规范IDSID153 参数FI2C1 比特率 说明 SPI表17.SPI直流规范[7] 规范IDSID163SID164SID165 参数ISPI1ISPI2ISPI3 说明比特率为1Mbps时模块消耗的电流比特率为4Mbps时模块消耗的电流比特率为8Mbps时模块消耗的电流 最小值典型值最大值单位 – – 50 – – 135μ
A – – 310 – – 1.4 最小值典型值最大值单位 – – 1Msps 最小值典型值最大值单位 – – 360 – – 560μ
A – – 600 详情/条件––– 详情/条件– 详情/条件––– 表18.SPI交流规范[7] 规范ID 参数 说明 SID166FSPI SPI工作频率（主设备，6X过采样） 固定SPI主设备模式的交流规范 SID167TDMO SClock驱动沿后MOSI有效的时间 SID168TDSI SClock捕获沿前MISO有效的时间 SID169THMO 先前的MOSI数据保持时间 固定SPI从设备模式的交流规范 SID170TDMI SClock捕获沿前MOSI有效的时间 SID171TDSO SClock驱动沿后MISO有效的时间 SID171ASID172SID172A TDSO_EXTSclock驱动沿后MISO有效的时间（处于外部时钟模式下） THSO 先前的MISO数据保持时间 TSSELSSCK从SSEL有效到第一个SCK有效边沿的时间 最小值– –200 40– –0100 典型值– ––– –– ––– 最大值8 15–– –42+3x Tcpu48–– 单位MHz 详情/条件 –ns全时钟、MISO推迟采样 表示从设备捕获数据的边沿 – TCPU=1/FCPUns – – ns – 注释：
7.由表征保证。
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C 页24/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 UART表19.UART直流规范[8] 规范IDSID160SID161 参数IUART1IUART2 说明比特率为100Kbps时模块消耗的电流比特率为1000Kbps时模块消耗的电流 最小值–– 典型值–– 最大值55312 单位μAμ
A 详情/条件–– 表20.UART交流规范[8] 规范IDSID162 参数FUART 比特率 LCD直接驱动表21.LCD直接驱动直流规范[8] 规范ID 参数 说明说明 最小值– 典型值– 最小值典型值 SID154ILCDLOW 低功耗模式下的工作电流 5– SID155CLCDCAP 每个Common/Segment驱动器上的LCD 电容 – 500 SID156LCDOFFSET长期Segment偏移 – 20 SID157ILCDOP1 Vbias=5V时的LCD系统工作电流 2– SID158ILCDOP2 Vbias=3.3V时的LCD系统工作电流
2 – 最大值
1 最大值– 5000–– – 单位Mbps 详情/条件– 单位 详情/条件 尺寸为16×4的小型段μA式（Segment）显示屏， 频率=50Hz pF – mV – 尺寸为32x4段式（Segment）显示屏，频mA率=50Hz，温度=25°C尺寸为32x4段式（Segment）显示屏，频率=50Hz，温度=25°
C 表22.LCD直接驱动器交流规范[8] 规范IDSID159 参数FLCD LCD帧率 说明 最小值典型值 10 50 最大值150 单位Hz 详情/条件– 注释：
8.由表征保证。
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C 页25/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 存储器闪存表23.闪存直流规范 规范IDSID173 参数VPE 说明擦除和编程电压 最小值典型值最大值单位 1.71 – 5.5
V 详情/条件– 表24.闪存交流规范 规范IDSID174SID175SID176SID178SID180[10]SID181[10] 参数 TROWWRITE[9]TROWERASE[9]TROWPROGRAM[9]TBULKERASE[9]TDEVPROG[9] FEND SID182[10]FRET SID182A[10] – SID182B[10]FRETQ SID256SID257 TWS48TWS24 说明 最小值 行（块）编写时间（擦除和编程）– 行擦除时间 – 擦除后的行编程时间 – 批量擦除时间（32KB） – 器件总编程时间 – 闪存擦写次数 100K 1闪0存万数个据编保程持/时擦间除。
周期TA≤55°C，20 一闪万存个数编据程保持/擦时除间周。
期TA≤85°C，10 闪存数据保持时间。
TA≤105°
C，一万个编程/擦除周期,在TA≥1085°C时，≤3年 频率为48MHz时的等待状态数
2 频率为24MHz时的等待状态数
1 典型值––––––– – – –– 系统资源 上电复位（POR）表25.上电复位（PRES） 规范IDSID.CLK#6SID185[10]SID186[10] 参数SR_POWER_UPVRISEIPORVFALLIPOR 电源转换速率上升触发电压下降触发电压 说明 最小值1 0.800.70 典型值––– 最大值20164357–– – 20 –– 最大值671.51.4 单位 ms s周期 详情/条件行（块）=128个字节 ––––– – 年 – 表征保证 CPU从闪存内执行。
CPU从闪存内执行 单位V/ms
V 详情/条件上电和掉电 –– 表26.VCCD的欠压检测（BOD） 规范IDSID190[10] SID192[10] 参数VFALLPPOR VFALLDPSLP 说明 活动模式和睡眠模式下的BOD触发电压 深度睡眠模式下的BOD触发电压 最小值1.48 1.11 典型值– – 最大值1.62 1.5 单位
V 详情/条件– – 注释：
9.可能需要20ms来写入闪存。
在这段时间内请勿复位器件，否则可能中止闪存操作并且不能保证该操作的完成。
复位源包括XRES引脚、软件复位、CPU锁存状态 和特权冲突、不合适的电源电平以及看门狗。
需要确保这些复位源不会无意被触发。
10.由表征保证。
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C 页26/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 SWD接口表27.SWD接口规范 规范ID 参数 SID213 F_SWDCLK1 说明3.3V≤VDD≤5.5V 最小值– 典型值– 最大值14 SID214 F_SWDCLK21.71V≤VDD≤3.3V SID215[11]SID216[11]SID217[11]SID217A[11] T_SWDI_SETUPT_SWDI_HOLDT_SWDO_VALIDT_SWDO_HOLD T=1/fSWDCLKT=1/fSWDCLKT=1/fSWDCLKT=1/fSWDCLK – – 0.25xT– 0.25xT– – –
1 – 内部主振荡器(IMO)表28.IMO直流规范（由设计保证） 规范IDSID218SID219 IIMO1IIMO2 参数 说明频率为48MHz时IMO的工作电流频率为24MHz时IMO的工作电流 最小值–– 典型值–– 7––0.5xT– 最大值250180 单位MHz ns 单位μAμ
A 详情/条件SWDCLK≤CPU时钟频率的1/3SWDCLK≤CPU时钟频率的1/3 –––– 详情/条件–– 表29.IMO交流规范 规范IDSID223SID223ASID226SID228 参数 FIMOTOL1TSTARTIMOTJITRMSIMO2 内部低速振荡器(ILO)表30.ILO直流规范（由设计保证） 规范IDSID231[11] IILO1 参数 表31.ILO交流规范 规范IDSID234[11]SID236[11] SID237 参数 TSTARTILO1TILODUTYFILOTRIM1 说明 频率可以为24、32和48MHz（经过校准后） IMO启动时间在24MHz时的均方根抖动时间 最小值–––– 典型值––– 145 最大值±2±2.57– 单位 详情/条件 %– %105°
C μs – ps – 说明ILO工作电流 说明ILO启动时间ILO占空比ILO频率范围 最小值典型值最大值单位 – 0.3 1.05 μ
A 最小值典型值最大值单位 – –
2 ms 40 50 60 % 20 40 80 kHz 详情/条件– 详情/条件––– 注释：11.由表征保证。
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C 页27/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 时钟晶体振荡器（WCO） 表32.时钟晶体振荡器（WCO）规范 规范IDSID398SID399SID400SID401SID402SID403SID404SID405SID406 参数FWCOFTOLESRPDTSTARTCLC0IWCO1IWCO2 说明晶振频率频率容限等效串联电阻驱动电平启动时间晶振负载电容晶振并联电容工作电流（高功耗模式）工作电流（低功耗模式） 最小值–––––6––– 典型值32.768 5050–––1.35–– 最大值– 250–1 50012.5 –81 外部时钟 表33.外部时钟规范 规范IDSID305[12] SID306[12] 参数ExtClkFreqExtClkDuty 说明外部时钟输入频率占空比；在VDD/2电压下测量得到的 最小值典型值
0 – 45 – 最大值4855 时钟 表34.模块规范 规范IDSID262[12] 参数TCLKSWITCH 说明系统时钟源的切换时间 最小值典型值最大值
3 –
4 SmartI/O接通时间 表35.SmartI/O接通时间（旁路模式下会有延迟） 规范IDSID252 参数 说明 最小值 PRG_BYPASS旁路模式下由SmartI/O引起的最长延–迟时间 典型值– 最大值1.6 单位 详情/条件 kHz ppm晶振的精度为20ppm kΩ μ
W ms pF pF μ
A μ
A 单位MHz % 详情/条件–– 单位周期 详情/条件– 单位 详情/条件 ns 注释：12.由表征保证。
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C 页28/40 订购信息 下表显示了PSoC4000S器件型号和各种特性。
表36.PSoC4000S订购信息 类别 MPN PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 特性 封装 最大CPU速度(MHz)Flash(KB)SRAM(KB) Opamp(CTBm)CapSense 10-bitCSDADC12-bitSARADC 低功耗比较器TCPWM模块 SCB模块SmartI/Os GPIOWLCSP(0.35-mm间距) 24-pinQFN32-pinQFN32-pinTQFP40-pinQFN48-pinTQFP 温度范围 CY8C4024FNI-S402241620010252821✔ CY8C4024LQI-S401241620010252819 ✔ CY8C4024LQI-S4022416200102521627 ✔ CY8C4024AXI-S4022416200102521627 ✔ CY8C4024LQI-S4032416200102521634 ✔ CY8C4024AZI-S40324162001025216364024CY8C4024FNI-S412241620110252821✔ ✔–40到85°
C CY8C4024LQI-S411241620110252819 ✔ CY8C4024LQI-S4122416201102521627 ✔ CY8C4024AXI-S4122416201102521627 ✔ CY8C4024LQI-S4132416201102521634 ✔ CY8C4024AZI-S4132416201102521636 ✔ CY8C4024AZQ-S4132416201102521636 ✔–40到105°
C CY8C4025FNI-S402243240010252821✔ CY8C4025LQI-S401243240010252819 ✔ CY8C4025LQI-S4022432400102521627CY8C4025AXI-S4022432400102521627 ✔✔ –40到85°
C CY8C4025LQI-S4032432400102521634 ✔ CY8C4025AZI-S4032432400102521636 ✔ CY8C4025AZQ-S40324324001025216364025CY8C4025FNI-S412243240110252821✔ ✔–40到105°
C CY8C4025LQI-S411243240110252819 ✔ CY8C4025LQI-S4122432401102521627CY8C4025AXI-S4122432401102521627 ✔✔ –40到85°
C CY8C4025LQI-S4132432401102521634 ✔ CY8C4025AZI-S4132432401102521636 ✔ CY8C4025AZQ-S4132432401102521636 ✔–40到105°
C CY8C4045FNI-S412483240110252821✔ CY8C4045LQI-S411483240110252819 ✔ CY8C4045LQI-S41248324011025216274045CY8C4045AXI-S4124832401102521627 CY8C4045LQI-S4134832401102521634 ✔✔✔ –40到85°
C CY8C4045AZI-S4134832401102521636 ✔ CY8C4045AZQ-S4134832401102521636 ✔–40到105°
C 文档编号：002-10632版本*
C 页29/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 上表中所用的名称是基于以下的器件编号常规： 表37.命名规则 字段CY8C 4AB
C DE
F SXYZ 说明赛普拉斯前缀 架构系列CPU速度 闪存容量 封装代码 温度范围 系列指示符属性代码 数值 40244567AXAZLQPVFNIQSMLBL000-999 下面是一个器件型号示例： 含义 PSoC44000系列 24MHz48MHz16KB32KB64KB128KBTQFP（间距为0.8mm）TQFP（间距为0.5mm） QFNSSOPCSP工业级扩展工业级PSoC4S系列PSoC4M系列PSoC4L系列PSoC4BLE系列在特定系列中的功能集代码 Example 4:PSoC4210::441200000FFaammiliyly4:48MHz5:32KBAZX:TTQQFFPPI:Industrial CypressPrefixArchitecture FamilywithinArchitectureCPUSpeed FlashCapacityPackageCodeTemperatureRangeSiliconFamilyAttributesCode CY8C4ABCDEF–SXYZ 文档编号：002-10632版本*
C 页30/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 封装 PSoC4000S提供了48-TQFP、40-QFN，32-QFN、24-QFN，32-TQFP和25-ballWLCSP封装。
封装尺寸和赛普拉斯的型号如下表所示。
表38.封装列表 规范IDBID20BID27BID34ABID34BID34GBID34F 封装48-TQFP40-QFN32-QFN24-QFN32-TQFP25-ballWLCSP 描述7×7×1.4mm高度（引脚间距为0.5mm）6×6×0.6mm高度（引脚间距为0.5mm） 5×5×0.6mm高度（引脚间距为0.5mm）4×4×0.6mm高度（引脚间距为0.5mm）7×7×1.4mm高度（引脚间距为0.8mm）2.02×1.93×0.48mm高度（引脚间距为0.35mm） 封装DWG编号51-85135001-80659001-42168001-1393751-85088002-09957 表39.封装的热特性 参数TATJTJATJCTJATJCTJATJC 工作环境温度 工作环境温度封装θJA封装θJC封装θJA封装θJC封装θJA封装θJC TJA 封装θJA TJC 封装θJC TJA 封装θJA TJC 封装θJC TJA 封装θJA TJC 封装θJC 说明 ––48-TQFP48-TQFP40-QFN40-QFN32-QFN32-QFN 封装 24-QFN 24-QFN 32-TQFP 32-TQFP 25-ballWLCSP 25-ballWLCSP 最小值–40–40–––––– –– – – – – 典型值25–73.533.517.82.820.85.9 21.75.6 29.4 3.5 40 0.5 最大值105125–––––– –– – – – – 单位°C°C°C/W°C/W°C/W°C/W°C/W°C/W °C/W°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W 表40.回流焊峰值温度 封装所有封装类型 最高峰值温度260°
C 峰值温度下的最长时间30秒 表41.封装潮敏等级（MSL）（根据IPC/JEDECJ-STD-020标准） 封装 MSL 所有封装（WLCSP除外）25-ballWLCSP MSL3MSL1 文档编号：002-10632版本*
C 页31/40 封装图 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 图6.48-TQFP(7×7×1.4mm)封装外形,51-85135 图7.40-QFN封装(6×6×0.6mm)外形,001-80659 51-85135*
C 文档编号：002-10632版本*
C 001-80659*
A 页32/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 图8.32-QFN((5.0×5.0×0.55mm)3.5×3.5mmE-Pad(Sawn))封装外形,001-42168 SEENOTE1 TOPVIEW SIDEVIEW BOTTOMVIEW SYMBOL DIMENSIONSMIN.NOM.MAX.
A 0.500.550.60 A1 -0.0200.045 A2 0.15BSC
D 4.905.005.10 D2 3.403.503.60
E 4.905.005.10 E2 3.403.503.60
L 0.300.400.50 b 0.180.250.30 e 0.50TYP NOTES:
1. HATCHAREAISSOLDERABLEEXPOSEDPAD
2.BASEDONREFJEDEC#MO-2483.PACKAGEWEIGHT:0.0388g
4.DIMENSIONSAREINMILLIMETERS 001-42168*
F 文档编号：002-10632版本*
C 页33/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 图9.24-QFN((4x4x0.60mm)2.65x2.65E-Pad(Sawn))封装外形,001-13937 001-13937*
H QFN封装上的中心焊盘应接地（VSS），以获得最佳机械、热学和电气性能。
如果未接地，则应处于电气悬空状态，而不能连接到任何其他信号。
文档编号：002-10632版本*
C 页34/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 图10.32-TQFP(7x7x1.4mm)封装外形,51-85088 51-85088*
E 图11.25-ballWLCSP(2.02x1.93x0.48)封装外形,002-09957 文档编号：002-10632版本*
C 002-09957** 页35/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 缩略语 表42.本文档中使用的缩略语 缩略语abusADCAGAHB ALUAMUXBUSAPIAPSRArm®ATMBWCANCMRRCPUCRCDACDFBDIO DMIPSDMADNLDNUDRDSIDWTECCECOEEPROMEMIEMIFEOCEOFEPSRESDETMFIR 说明模拟局部总线模数转换器模拟全局总线AMBA（先进微控制器总线结构）高性能总线，即为一种Arm数据传输总线算术逻辑单元模拟复用器总线应用编程接口应用编程状态寄存器高级RISC机器，即为一种CPU架构自动Thump模式带宽控制器区域网络，即为一种通信协议共模抑制比中央处理器循环冗余校验，即为一种错误校验协议数模转换器，另请参见IDAC、VDAC数字滤波器模块数字输入/输出，GPIO只有数字功能，无模拟功能。
请参见GPIO。
Dhrystone每秒百万条指令直接存储器访问，另请参见TD微分非线性，另请参见INL请勿使用端口写入数据寄存器数字系统互连数据观察点和跟踪纠错码外部晶体振荡器电可擦除可编程只读存储器电磁干扰外部存储器接口转换结束帧结束执行程序状态寄存器静电放电嵌入式跟踪宏单元有限脉冲响应，另请参见IIR 表42.本文档中使用的缩略语（续） 缩略语FPBFSGPIOHVIICIDACIDEI2C或IICIIRILOIMOINLI/OIPORIPSRIRQITMLCDLINLRLUTLVDLVILVTTLMACMCUMISONCNMINRZNVICNVLopampPALPCPCBPGAPHUB 说明闪存修补和断点全速通用输入/输出，适用于PSoC引脚高电压中断，另请参见LVI、LVD集成电路电流DAC，另请参见DAC、VDAC集成开发环境内部集成电路，即为一种通信协议无限脉冲响应，另请参见FIR内部低速振荡器，另请参见IMO内部主振荡器，另请参见ILO积分非线性，另请参见DNL输入/输出，另请参见GPIO、DIO、SIO、USBIO初次上电复位中断程序状态寄存器中断请求仪表跟踪宏单元液晶显示屏本地互联网络，即为一种通信协议。
链接寄存器查找表低压检测，另请参见LVI低压中断，另请参见HVI低压晶体管-晶体管逻辑乘法累加器微控制器单元主入从出无连接不可屏蔽中断非归零嵌套向量中断控制器非易失性锁存器，另请参见WOL运算放大器可编程阵列逻辑，另请参见PLD程序计数器印刷电路板可编程增益放大器外设集线器 文档编号：002-10632版本*
C 页36/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 表42.本文档中使用的缩略语（续） 缩略语PHYPICUPLAPLDPLLPMDDPORPRESPRSPSPSoC® PSRRPWMRAMRISCRMSRTCRTLRTRRXSARSC/CTSCLSDAS/HSINADSIO SOCSOFSPISRSRAMSRESSWDSWVTDTHDTIA 说明物理层端口中断控制单元可编程逻辑阵列可编程逻辑器件，另请参见PAL锁相环封装材料声明数据手册上电复位精密上电复位伪随机序列端口读取数据寄存器可编程片上系统（ProgrammableSystem-on-Chip™）电源抑制比脉宽调制器随机存取存储器精简指令集计算均方根实时时钟寄存器转换语言远程发送请求接收逐次逼近寄存器开关电容/连续时间I2C串行时钟I2C串行数据采样和保持信噪比和失真比特殊输入/输出，即带高级功能的GPIO。
请参见GPIO。
转换开始帧开始串行外设接口，即为一种通信协议摆率静态随机存取存储器软件复位串行线调试，即为一种测试协议单线浏览器传输描述符，另请参见DMA总谐波失真互阻放大器 表42.本文档中使用的缩略语（续） 缩略语TRMTTLTXUARTUDBUSBUSBIO VDACWDTWOLWRESXRESXTAL 说明技术参考手册晶体管-晶体管逻辑发送通用异步发送器接收器，即为一种通信协议通用数字模块通用串行总线USB输入/输出，用于连接至USB端口的PSoC引脚电压数模转换器，另请参见DAC、IDAC看门狗定时器一次性写锁存器，另请参见NVL看门狗定时器复位外部复位I/O引脚晶体 文档编号：002-10632版本*
C 页37/40 文档规范 测量单位表43.测量单位 符号°CdBfFHzKBkbpsKhrkHzkΩkspsLSBMbpsMHzMΩMspsμAμFμHμsμVμWmAmsmVnAnsnV ΩpFppmpssspssqrtHzV 摄氏度分贝飞法赫兹1024个字节千比特每秒千小时千赫兹千欧千次采样每秒最低有效位每秒兆比特兆赫兆欧姆每秒兆次采样微安微法微亨微秒微伏微瓦毫安毫秒毫伏纳安纳秒纳伏欧姆皮法百万分率皮秒秒每秒采样数赫兹平方根伏特 测量单位 文档编号：002-10632版本*
C PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 页38/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 修订记录 文档标题：PSoC4：PSoC4000S系列数据手册可编程片上系统（PSoC）文档编号：002-10632 版本 ECN 提交日期 变更说明 ** 508862201/18/2016本文档版本号为Rev**，译自英文版002-00123Rev*
B。
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A 546687410/10/2016本文档版本号为Rev*
A，译自英文版002-00123Rev*
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B 653027504/02/2019本文档版本号为Rev.*
B，译自英文版002-00123Rev.*
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C 713775605/12/2021本文档版本号为Rev.*
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C 页39/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 销售、解决方案和法律信息 全球销售和设计支持 赛普拉斯公司拥有一个由办事处、解决方案中心、原厂代表和经销商组成的全球性网络。
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产品Arm®Cortex®微控制器汽车级产品时钟与缓冲器接口物联网存储器微控制器PSoC /arm/automotive /clocks/interface /iot/memory /mcu/psoc PSoC®解决方案PSoC1|PSoC3|PSoC4|PSoC5LP|PSoC6MCU 赛普拉斯开发者社区社区|项目|视频|博客|培训|组件 技术支持/support 电源管理IC触摸感应USB控制器无线连接 /pmic/touch /usb/wireless ©赛普拉斯半导体公司，2015-2021年。
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没有任何电子
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因此，尽管赛普拉斯在其硬件和软件产品中采取了必要的安全措施，但是赛普拉斯不承担由于任何安全漏洞而产生的责任，例如未经授权的访问或使用赛普拉斯产品。
赛普拉斯未陈述、保证和担保赛普拉斯产品或使用赛普拉斯产品创建的系统将免于损坏、攻击、病毒、干扰、黑客、数据丢失或失窃或其他安全入侵（统称为“安全漏洞”）。
赛普拉斯对任何安全漏洞不承担任何责任，并且贵方应特此免除赛普拉斯因任何安全漏洞引起的任何索赔、损失或其他责任。
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赛普拉斯保留更改本文件的权利，届时将不另行通知。
在适用法律允许的限度内，赛普拉斯不对因应用或使用本文件所述任何产品或电路引起的任何后果负责。
本文件，包括任何样本设计信息或程序代码信息，仅为供参考之目的提供。
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“高风险设备”是指，若其故障后可能导致人身伤害、死亡或财产损失的任何设备或系统。
高风险设备的例子是武器，核装置，外科植入物和其他医疗设备。
“关键部件”是指，若其发生故障后，经合理预期会直接或间接地导致高风险设备故障或会影响高风险设备安全性和有效性的任何高风险设备部件。
赛普拉斯不承担全部或部分，且贵方应特此免除赛普拉斯因在高风险设备中使用赛普拉斯产品作为关键部分而引起的任何索赔、损失或其他责任。
贵方应赔偿赛普拉斯及其董事、职员、雇员、代理方、关联公司、经销商和受让方因在高风险设备中使用赛普拉斯产品作为关键部件而产生的所有索赔、成本、损失和费用，包括因产品责任、人身伤害或死亡或财产损失引起的主张，并使之免受损失。
赛普拉斯产品非被设定或被授权作为高风险设备中的关键部件使用，除非限于(i)赛普拉斯公布的关于该产品的数据表明确指出该产品适格于特定的高风险设备，或(ii)赛普拉斯已事先书面授权贵方，允许将该产品用作特定高风险设备中的关键部件，并且贵方已签署单独的赔偿协议。
赛普拉斯、赛普拉斯徽标及上述项目的组合，PSoC、CapSense、EZ-USB、F-RAM、Traveo、WICED和ModusToolbox为赛普拉斯或赛普拉斯的子公司在美国或在其他国家的商标或注册商标。
请访问获取赛普拉斯商标的完整列表。
其他名称和品牌可能由其各自所有者主张为该方财产。
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C 修订日期May12,2021 页40/40
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PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 可编程片上系统（PSoC） 概述 PSoC®4是一个可扩展和可重配置的平台架构，用于基于Arm®Cortex®-M0+CPU的可编程嵌入式系统控制器系列。
它集成了可编程和可重新配置的模拟和数字模块，并且能够灵活自动地路由资源。
PSoC4000S产品系列是PSoC4平台架构的一个成员。
该产品系列集成了下列四项：拥有标准通信和时序外设的微控制器、具有一流性能的电容式触摸感应（CapSense）系统、可编程的通用、连续和带有开关电容的模拟模块以及可编程接口。
针对新应用和设计的要求，PSoC4000S产品与PSoC4平台系列产品向上兼容。
特性 32位MCU子系统■48MHzArmCortex-M0+CPU,配置单周期倍频■包含读取加速器的闪存容量可达32KB■SRAM的容量高达4KB 可编程模拟资源■由电容式感应模块提供的单斜10位ADC功能■可用在任意引脚上的两个电流DAC（IDAC），用于通用目的或 电容式感应应用■可在深度睡眠模式下工作的两个低功耗比较器 可编程数字资源可编程逻辑模块支持在输入和输出端口上执行Boolean（布尔）操作 低功耗操作模式的电压范围：1.71V~5.5V■在深度睡眠模式下，模拟系统可正常工作，并且数字系统仅消 耗2.5μA的电流 电容式感应■赛普拉斯的CapSenseSigma-Delta（CSD）模块提供了一流 的信噪比（SNR>5:1）和防水功能■赛普拉斯提供的软件组件使电容式感应设计变为更加简单■自动硬件调校（SmartSense™） 串行通信■两个运行时可重新配置的独立串行通信模块（SCB），可配置 为I2C、SPI或UART功能 LCD驱动能力■GPIO上的LCDsegment驱动能力 定时和脉冲宽度调制器■五个16位定时器/计数器/脉冲宽度调制器（TCPWM）模块■支持中心对齐、边沿对齐和伪随机模式■基于比较器触发的“Kill”信号，适用于电机驱动和其它高可靠 性数字逻辑的应用 多达36个可编程的GPIO引脚■48-TQFP、40-pinQFN，32-pinQFN、24-pinQFN，32-pin TQFP和25-ballWLCSP封装■任何GPIO引脚都可用作CapSense、模拟或数字引脚■可编程驱动模式、强度和转换速率 时钟源■32-kHz监视晶振(WCO)■±2%精度内部主振荡器(IMO)■32-kHzI内部低速振荡器(ILO)ModusToolbox™软件 ■多平台工具和软件库的综合集合。
■包括电路板支持包(BSP)、外设驱动库(PDL)和CapSense等中 间件。
PSoCCreator设计环境■集成开发环境（IDE）支持设计原理图的创建和编译（包括自 动路由模拟和数字模块）功能。
■应用编程接口（API）可用于所有固定功能和可编程的外设 工业标准工具的兼容性■创建设计原理图后，可以使用基于Arm的工业标准开发工具进 行开发 赛普拉斯半导体公司文档编号：002-10632版本*
C •198ChampionCourt •SanJose,CA95134-1709 •408-943-2600 修订日期May12,2021 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 文档生态体系 PSoC4MCU资源赛普拉斯的网站上提供了大量资料，有助于您正确选择PSoC器件，并使您能够快速和有效地将器件集成到设计中。
下面是PSoC4MCU的简要链接列表： ■概况：PSoC产品系列、PSoC路线图 ■产品选型器：PSoC4MCU。
■ApplicationNotes包括从基本到高级的广泛主题。
包括：:❐AN79953:GettingStartedWithPSoC4.此应用笔记提供便捷的流程图以帮助决定使用哪个IDE：ModusToolbox™软件或PSoCCreator.❐AN91184:PSoC4BLE-DesigningBLEApplications❐AN88619:PSoC4HardwareDesignConsiderations❐AN73854:IntroductionToBootloaders❐AN89610:ArmCortexCodeOptimization❐AN86233:PSoC4MCUPowerReductionTechniques❐AN57821:MixedSignalCircuitBoardLayout❐AN85951:PSoC4,PSoC6CapSenseDesignGuide ■CodeExamples展示了产品特性和使用，可从这个路径获取：CypressGitHubrepositories. ■TechnicalReferenceManuals(TRMs)提供了PSoC4MCU架构和寄存器的详细描述。
■PSoC4MCUProgrammingSpecification提供了对PSoC4MCU非易失性存储器进行编程的必要信息。
■开发工具❐ModusToolbox™软件通过一套强大的工具和软件库实现了跨平台代码开发。
❐PSoCCreator是一款基于Windows的免费IDE。
它可以同时进行基于PSoC3、PSoC4、PSoC5LP和PSoC6MCU系统的硬件和固件设计。
使用原理图捕获和超过150个预先验证的、可用于生产的外设组件创建应用程序。
❐CY8CKIT-145-40XXPSoC4000SCapSensePrototypingKit,是一款低成本和易于使用的评估平台。
此套件以面包板兼容的格式向所有器件I/O口提供方便的接入。
❐MiniProg4andMiniProg3一体式开发编程器和调试器。
❐PSoC4MCUCADlibraries为通用工具提供了封装和原理图支持。
还提供IBIS模型。
■TrainingVideos培训视频内容广泛，包括PSoC4MCU101series。
■CypressDeveloperCommunity每周7天、每天24小时与世界各地的PSoC开发者同行建立联系，并设有专门的PSoC4MCU社区. 文档编号：002-10632版本*
C 页2/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 ModusToolbox™软件ModusToolboxSoftware是赛普拉斯的多平台工具和软件库的综合集合，可以为创建融合的MCU和无线系统提供沉浸式的开发体验。
它是:■全面--它拥有你所需要的资源■灵活--您可以在您自己的工作流程中使用资源■原子级设计-你可以得到你想要的资源赛普拉斯在GitHub上提供了大量的代码库，包括:■与赛普拉斯套件一致的板卡支持包（BSPs）■低级资源，包括外设驱动库(PDL)■中间件实现了CapSense等行业领先的功能。
■一套广泛的经过全面测试的代码示例应用ModusToolbox软件是IDE中立的，很容易适应你的工作流程和首选开发环境。
它包括一个ProjectCreator、外设和库配置器、一个库管理器，以及可选的EclipseIDEforModusToolbox，如Figure1所示。
有关使用赛普拉斯工具的信息，请参考随ModusToolbox软件交付的文档以及AN79953:GettingStartedwithPSoC4。
Figure1.ModusToolbox软件工具 文档编号：002-10632版本*
C 页3/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 PSoCCreator PSoCCreator是免费的基于Windows的集成开发环境（IDE）。
通过它可以同时基于PSoC4MCU设计硬件和固件。
如Figure2所示，使用PSoCCreator，可以执行以下操作：
1.在主设计工作区拖放组件图标来完成您的硬件系统设计。
2.使用PSoCCreatorIDEC编译器和PSoC硬件一起设计您的应用固件。
3.使用组件配置工具配置组件
4.探索超过100个组件库
5.检查组件数据表
6.使用PSoC4Pioneer套件对您的解决方案进行原型设计。
如果需要更改设计，PSoCCreator和组件可以让您在不需要修改硬件 的情况下进行即时更改。
Figure2.PSoCCreator中多传感器的示例项目 1 23 45 文档编号：002-10632版本*
C 页4/40 逻辑框图 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 PSoC4000SArchitecture 32-bit AHB-Lite SystemResourcesLite PowerSleepControl WICPORREF PWRSYS Clock ClockControl WDT ILO IMO ResetResetControl XRES TestTestModeEntry DigitalDFT AnalogDFT CPUSubsystem SWD/TC CortexM0+ 48MHz FASTMULNVIC,IRQMUX SPCIF FLASH32KB Readelerator SRAM4KB SRAMController ROM8KB ROMController SystemInterconnect(SingleLayerAHB) Peripherals PCLK PeripheralInterconnect(MMIO) IOSSGPIO(5xports)5xTCPWMCapSense 2xSCB-I2C/SPI/UART2xLPComparator WCO HighSpeedI/OMatrix&2xProgrammableI/O PowerModesActive/Sleep DeepSleep I/OSubsystem 36xGPIOs,LCD PSoC4000S器件能够为硬件和固件的编程、测试、调试和跟踪提供广泛的支持。
Arm串行线调试（SWD）接口支持器件的所有编程和调试功能。
借助完善的片上调试功能，可以使用标准的生产用器件在最终系统中进行全面的器件调试。
它不需要特殊接口、调试转接板、模拟器或仿真器，只需要标准的编程连接，即可全面支持调试。
PSoCCreator集成开发环境（IDE）软件能够为PSoC4100S器件提供全面集成的编程和调试支持。
SWD接口全面兼容符合工业标准的第三方工具。
PSoC4000S器件提供了一个多芯片应用解决方案或微控制器都不能达到的安全级别。
它拥有下面优点： 调试电路默认处于使能状态，并且可以通过固件禁用它。
如果它未被使能，使能它的唯一方法是擦除整个器件，清除闪存保护，然后通过使能调试的新固件对器件重新进行编程。
因此，只有擦除固件后才能覆盖调试固件的控制，从而提高安全性。
此外，对于某些应用，如果担心网络钓鱼会通过对器件恶意重新编程来进行欺诈性攻击或试图启动和中断闪存编程序列来击败安全设定，所有器件接口都可以被永久禁用（器件安全性）。
当器件的最高安全级别启用时，所有编程、调试和测试接口都被禁用。
因此，已使能器件安全性的此器件将不能返回做故障分析。
这是PSoC4000S允许客户做出的权衡。
■允许禁用调试特性■增强闪存保护功能■允许在片上可编程模块上执行客户专有功能 文档编号：002-10632版本*
C 页5/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 功能说明 PSoC4000S器件能够为硬件和固件的编程、测试、调试和跟踪提供广泛的支持。
Arm串行线调试（SWD）接口支持器件的所有编程和调试功能。
借助完善的片上调试功能，可以使用标准的生产用器件在最终系统中进行全面的器件调试。
它不需要特殊接口、调试转接板、模拟器或仿真器，只需要标准的编程连接，即可全面支持调试。
PSoCCreator集成开发环境（IDE）软件能够为PSoC4100S器件提供全面集成的编程和调试支持。
SWD接口全面兼容符合工业标准的第三方工具。
PSoC4000S器件提供了一个多芯片应用解决方案或微控制器都不能达到的安全级别。
它拥有下面优点： ■允许禁用调试特性 ■增强闪存保护功能 ■允许在片上可编程模块上执行客户专有功能 调试电路默认处于使能状态，并且可以通过固件禁用它。
如果它未被使能，使能它的唯一方法是擦除整个器件，清除闪存保护，然后通过使能调试的新固件对器件重新进行编程。
因此，只有擦除固件后才能覆盖调试固件的控制，从而提高安全性。
此外，对于某些应用，如果担心网络钓鱼会通过对器件恶意重新编程来进行欺诈性攻击或试图启动和中断闪存编程序列来击败安全设定，所有器件接口都可以被永久禁用（器件安全性）。
当器件的最高安全级别启用时，所有编程、调试和测试接口都被禁用。
因此，已使能器件安全性的此器件将不能返回做故障分析。
这是PSoC4000S允许客户做出的权衡。
文档编号：002-10632版本*
C 页6/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 目录 功能定义..............................................................................8 CPU和存储器子系统.....................................................8系统资源.......................................................................8模拟模块.......................................................................9可编程数字模块............................................................9固定功能数字模块.........................................................9GPIO..........................................................................10 特殊功能外设..............................................................10引脚布局............................................................................11 引脚复用功能..............................................................12电源...................................................................................14 模式1：1.8V到5.5V外部电源....................................14模式2：1.8V±5%外部电源.......................................14电气规范............................................................................15最大绝对额定值.........................................................15器件级规范.................................................................16模拟外设.....................................................................19数字外设.....................................................................23 存储器.........................................................................26系统资源.....................................................................26订购信息............................................................................29封装...................................................................................31封装图.........................................................................32缩略语................................................................................36文档规范............................................................................38测量单位.....................................................................38修订记录............................................................................39销售、解决方案和法律信息...............................................40全球销售和设计支持...................................................40产品............................................................................40PSoC®解决方案.........................................................40赛普拉斯开发者社区...................................................40技术支持.....................................................................40 文档编号：002-10632版本*
C 页7/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 功能定义 CPU和存储器子系统 CPU PSoC4000S中的Cortex-M0+CPU是32位的MCU子系统的一部分，通过扩展的时钟门控对其进行优化，以降低功耗。
此外，几乎所有指令的长度都为16位，并且CPU执行Thumb-2指令子集。
它包括一个带有8个中断输入的嵌套向量中断控制器（NVIC）模块和一个唤醒中断控制器（WIC）。
通过WIC可以将处理器从深度睡眠模式唤醒，这样，允许芯片处于深度睡眠模式时关闭供给主处理器的电源。
CPU还包含一个串行线调试（SWD）接口—2线式JTAG。
PSoC4000S的调试配置拥有四个断点（地址）比较器和两个观察点（数据）比较器。
闪存PSoC4000S器件包含一个闪存模块，该模块的闪存加速器与CPU紧密耦合，以缩短闪存模块的平均访问时间。
该低功耗闪存模块可在工作频率为48MHz的情况下进行两个等待状态（WS）的访问。
通过闪存加速器，平均85%的时间可以有单周期的SRAM访问速度。
SRAM 4KB的SRAM能够在工作频率为48MHz的情况下进行零等待状态的访问。
SROM PSoC4000S还提供了包含引导和配置子程序的管理ROM。
系统资源 电源系统有关电源系统的详细信息，请参考第14页上的电源一节。
它能够维持进入相应模式或延迟模式时（例如，上电复位（POR））所需要的电压，直到器件正常操作或者生成复位事件（例如，掉电检测）为止。
PSoC4000S可通过一个外部电源供电，其电压范围为1.8V±5%（外部稳压）或1.8V至5.5V（内部稳压）。
它拥有三种不同的电源模式，这些模式之间的转换由电源系统管理。
PSoC4000S提供了活动模式以及低功耗的睡眠模式和深度睡眠模式。
所有子系统都在活动模式下运行。
CPU子系统（CPU、闪存和SRAM）在睡眠模式下受时钟门闸控制关闭，但所有外设和中断还在活动，在发生唤醒事件时会立即唤醒子系统。
在深度睡眠模式下，高速时钟和相关电路都被关闭，从该模式唤醒需要35μs。
时钟系统 PSoC4000S时钟系统为需要时钟的所有子系统提供时钟，并且通过该时钟系统可以在各种时钟源之间进行切换而不会发生毛刺脉冲。
此外，该时钟系统可确保不会出现亚稳态情况。
PSoC4000S的时钟系统包括内部主振荡器（IMO）、内部低频振荡器（ILO）、一个32kHz时钟晶体振荡器（WCO），并能够接入一个外部时钟。
该系统提供了时钟分频器，用于为外设灵活生成精准的时钟。
另外，它还提供了分数分频器，从而为UART生成更高数据速率的时钟。
通过对HFCLK信号进行分频，可以生成用于模拟和数字外设的同步时钟。
PSoC4000S共有8个时钟分频器，其中两个是分数分频器。
16位的分频器能够灵活生成准确的频率值。
PSoCCreator完全支持该功能。
图
3.PSoC4000SMCU时钟架构 IMOExternalClock DivideBy2,4,
8 HFCLK ILO LFCLK HFCLK Prescaler IntegerDividers FractionalDividers 6X16-bit2X16.5-bit SYSCLK IMO时钟源在PSoC4000S中，IMO是主要内部时钟源。
在出厂测试过程中，该时钟源会被调整以达到指定的精度。
IMO的默认频率为24MHz并且能以步径为4MHz从24MHz递增到48MHz。
IMO的校准容差为±2%。
ILO时钟源ILO是一个极低功耗的40kHz振荡器，主要用于为在深度睡眠模式下工作的看门狗定时器（WDT）和外设提供时钟。
利用IMO校准ILO驱动计数器可以提高精度。
赛普拉斯提供了一个用于校准目的的软件组件。
时钟晶体振荡器（WCO）PSoC4000S时钟子系统还能够提供一个用于精确时序应用的低频率振荡器（32kHz时钟晶振）。
WCO模块允许锁定IMO为32kHz振荡器。
PSoC4000S系列器件上的WCO不连接到LFCL或WDT。
因此，不支持RTC功能。
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C 页8/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 看门狗定时器 来自ILO的时钟模块为看门狗定时器提供时钟；这样允许看门狗在深度睡眠模式下仍能工作。
在设定好的超时前，如果看门狗仍未得到服务，它将会产生一个看门狗复位。
看门狗复位被记录在固件可读的复位原因寄存器内。
复位 可以通过各种源（包括软件复位）来复位PSoC4000S。
复位事件是异步发生的，用于确保将器件恢复到一个已知状态。
复位原因被记录在寄存器内，该寄存器的内容在复位过程中保持不变，允许用户通过软件确定复位原因。
有一个XRES引脚保留作为外部复位，低电平有效。
XRES引脚有一个内部上拉电阻（永远使能）。
参考电压 PSoC4000S参考系统能够生成全部所需内部参考电压。
它为比较器提供1.2V参考电压。
IDAC是基于一个±5%参考电压。
模拟模块 低功耗比较器（LPC）PSoC4000S有一对能在深度睡眠模式下工作的低功耗比较器。
这样，当模拟系统模块被禁用时，仍可以在低功耗模式下监控外部电压电平。
通常需要对比较器输出进行同步，以避免亚稳态，除非它在一个异步功耗模式下运行（在该模式下，比较器电压变动事件可以激活系统唤醒电路）。
可将LPC输出路由到各个引脚上。
电流DACPSoC4000S有两个IDAC，用于驱动芯片上的任何引脚。
这些IDAC具有可编程的电流范围。
模拟复用总线 PSoC4000S具有两个围绕芯片周边的同心独立总线（称为AMUX总线）。
它们与固件可编程的模拟开关相连。
通过这些开关，芯片的内部资源（IDAC、比较器）可连接至I/O端口上的任何引脚。
可编程数字模块 可编程I/O（SmartI/O）模块由各个开关和LUT构成，该模块允许通过路由到GPIO端口引脚上的信号实现布尔（Boolean）功能。
SmartI/O可在连接到芯片的输入引脚上或输出信号上进行逻辑操作。
固定功能数字模块 定时/计数/脉宽调制器（TCPWM）模块 TCPWM模块包含一个用户可编程周期长度的16位计数器。
另外，还有一个捕获寄存器，用于记录发生事件（可能是I/O事件）时的计数值；一个周期寄存器，用于停止或自动重新加载计数器（如果它的计数值等于周期寄存器的值）以及多个比较寄存器，用于生成作为PWM占空比输出的比较值信号。
该模块还提供了正向输出和反向输出以及它们间的可编程偏移；这样，这些输出可以作为可编程死区的互补PWM输出使用。
它还有一个停止（Kill）输入，用于强制输出预定状态。
例如，在用于电机驱动系统中，当出现过流状态时，需要立即关闭驱动FET的PWM，而不能等待软件干预。
PSoC4000S中共有五个TCPWM模块。
串行通信模块（SCB） PSoC4000S有两个串行通信模块，可将其配置为SPI、I2C或UART功能。
I2C模式：硬件I2C模块可执行整个多主设备和从设备接口（具有多主设备仲裁功能）。
该模块的工作速率可达1Mbps（快速模式加），另外它还提供了各种灵活的缓冲选项，从而能够降低CPU的中断开销和延迟。
该模块还具有一个EZI2C，通过它可以在PSoC4000S存储器中创建邮箱的地址范围，并且对存储器中的阵列进行读写操作时可以大量减少I2C通信。
此外，该模块提供了一个8字节的FIFO，用于接收和传送数据。
通过延长CPU读取数据的时间，可以明显降低时钟延展的发生率（由于CPU没有及时读取数据而导致的现象）。
I2C外设与I2C标准模式和快速模式器件相兼容，如NXPI2C总线规范和用户手册（UM10204）中所定义。
GPIO可以在开漏模式下实现I2C总线I/O。
在以下几方面，PSoC4000S不完全符合I2C规范： ■GPIO单元不耐受过压，因此不能热插拔或独立于其它I2C系统上电。
UART模式：这是一个运行速度高达1Mbps的全功能UART。
它支持汽车单线接口（LIN）、红外接口（IrDA）和智能卡（ISO7816）协议，这些都是基本UART的衍生协议。
此外，它还支持9位多处理器模式（该模式允许寻址连接到通用RX和TX线的外设），并支持通用UART功能（如奇偶校验错误、中断检测以及帧错误）。
一个深度为8字节的FIFO允许更长的CPU服务延迟。
SPI模式：SPI模式完全支持MotorolaSPI、TISSP（添加了一个用于同步SPI编解码的启动脉冲）和NationalMicrowire（SPI的半双工形式）。
该SPI模块可以使用FIFO。
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C 页9/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 GPIO PSoC4000S最多有36个GPIO。
GPIO模块实现下列功能： ■八种驱动模式：❐模拟输入（输入和输出缓冲区被禁用）❐仅输入❐弱上拉和强下拉❐强上拉和弱下拉❐开漏和强下拉❐开漏和强上拉❐强上拉和强下拉❐弱上拉和弱下拉 ■输入阈值选择（CMOS或LVTTL）。
■除了各种强驱动模式外，还能独立控制输入和输出缓冲区的使能/禁用状态 ■可以选择转换速率，用于控制dV/dt相关噪声，有助于降低EMI 各个引脚被分为逻辑实体并称为端口，每个端口的宽度为8位（端口2和3会少一些）。
在上电和复位期间，各模块被强制为禁用状态，从而防止给任何输入供电和/或在引脚启用时发生过流。
一个高速I/O矩阵的复用网络用于复用连接多个信号至一个I/O引脚。
数据输出寄存器和引脚状态寄存器分别用于存储输出到引脚上的数据和引脚状态。
当使能中断时，每一个I/O都能生成一个中断，并且每个I/O端口都有一个相关的中断请求（IRQ）和中断服务子程序（ISR）向量（对于PSoC4000S，该数量为5）。
特殊功能外设 CapSense PSoC4000S中的CapSenseSigma-Delta（CSD）模块为用户提供了CapSense功能。
通过模拟开关连接到模拟复用总线，可将该模块连接到任何引脚上。
因此，在软件控制情况下，系统中的任何可用引脚或引脚组都可以提供CapSense功能。
为了便于用户使用CapSense模块，还提供了PSoCCreator组件。
通过将屏蔽电压驱动到另一个模拟复用总线（即对屏蔽电极和感应电极进行同步的驱动），可以提供防水功能，从而避免屏蔽电容衰减感应输入信号。
另外可以实现接近感应。
CapSense模块有两个IDAC。
如果不用CapSense（两个IDAC都可用）或CapSense没有防水功能（一个IDAC可用），可以将这两个IDAC作为通用IDAC使用。
CapSense模块还提供10位斜率ADC功能，该功能可与CapSense功能配合使用。
CapSense模块是一个高级、低噪声的可编程模块，可编程参考电压和电流源的范围，有助于提升系统的灵敏度和灵活性。
它也可以使用外部参考电压。
它支持全波CSD模式，交换检测VDDA和接地电压，以消除电源相关的噪声。
LCDSegment驱动 PSoC4000S有一个LCD控制器，可驱动多达8个mon和28个segment。
该控制器使用完整的数字方法驱动LCDsegment，而不需要生成内部LCD电压。
这两种方法被称为数字关联和PWM。
数字关联通过调制mon和segment信号的频率和驱动电平来生成跨过一个segment的最高RMS电压（用于点亮该segment）或保持RMS信号为零。
这种方法对STN显示屏很有用，但可能会降低TN（较便宜）显示屏的对比度。
PWM方法是使用PWM信号来驱动屏幕，有效地利用屏幕的电容来提供经过调制的脉冲宽度，从而生成所需LCD电压。
这种方法要求更高的功耗，但驱动TN显示屏时可以带来更好的效果。
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C 页10/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 引脚布局 下表提供了PSoC4000S器件48-TQFP、40-QFN，32-QFN、24-QFN，32-TQFP和25-ballCSP封装中的引脚分布。
所有端口引脚都支持GPIO。
Pin11在48-TQFP中是无连接引脚。
表
1.PSoC4000S引脚列表 48-pinTQFP 32-pinQFN 24-pinQFN 25-ballCSP 40-pinQFN 32-pinTQFP 引脚名称引脚名称引脚名称引脚名称引脚名称引脚名称 28 P0.0 17 P0.0 13 P0.0 D1 P0.0 22 P0.0 17 P0.0 29 P0.1 18 P0.1 14 P0.1 C3 P0.1 23 P0.1 18 P0.1 30 P0.2 19 P0.2 24 P0.2 19 P0.2 31 P0.3 20 P0.3 25 P0.3 20 P0.3 32 P0.4 21 P0.4 15 P0.4 C2 P0.4 26 P0.4 21 P0.4 33 P0.5 22 P0.5 16 P0.5 C1 P0.5 27 P0.5 22 P0.5 34 P0.6 23 P0.6 17 P0.6 B1 P0.6 28 P0.6 23 P0.6 35 P0.7 B2 P0.7 29 P0.7 36 XRES 24 XRES 18 XRES B3 XRES 30 XRES 24 XRES 37
VCCD25VCCD19VCCDA1VCCD31VCCD25VCCD 38 VSSD 26 VSSD 20 VSSD A2 VSS 26 VSSD 39VDDD27 VDD 21 VDD A3 VDD 32VDDD27 VDD 40 VDDA 27 VDD 21 VDD A3 VDD 33 VDDA 27 VDD 41 VSSA 28 VSSA 22 VSSA A2 VSS 34 VSSA 28 VSSA 42 P1.0 29 P1.0 35 P1.0 29 P1.0 43 P1.1 30 P1.1 36 P1.1 30 P1.1 44 P1.2 31 P1.2 23 P1.2 A4 P1.2 37 P1.2 31 P1.2 45 P1.3 32 P1.3 24 P1.3 B4 P1.3 38 P1.3 32 P1.3 46 P1.4 39 P1.4 47 P1.5 48 P1.6
1 P1.7
1 P1.7
1 P1.7 A5 P1.7 40 P1.7
1 P1.7
2 P2.0
2 P2.0
2 P2.0 B5 P2.0
1 P2.0
2 P2.0
3 P2.1
3 P2.1
3 P2.1 C5 P2.1
2 P2.1
3 P2.1
4 P2.2
4 P2.2
3 P2.2
4 P2.2
5 P2.3
5 P2.3
4 P2.3
5 P2.3
6 P2.4
5 P2.4
7 P2.5
6 P2.5
6 P2.5
6 P2.5
8 P2.6
7 P2.6
4 P2.6 D5 P2.6
7 P2.6
7 P2.6
9 P2.7
8 P2.7
5 P2.7 C4 P2.7
8 P2.7
8 P2.7 10 VSSD A2 VSS
9 VSSD 12 P3.0
9 P3.0
6 P3.0 E5 P3.0 10 P3.0
9 P3.0 13 P3.1 10 P3.1 D4 P3.1 11 P3.1 10 P3.1 14 P3.2 11 P3.2
7 P3.2 E4 P3.2 12 P3.2 11 P3.2 16 P3.3 12 P3.3
8 P3.3 D3 P3.3 13 P3.3 12 P3.3 17 P3.4 14 P3.4 18 P3.5 15 P3.5 19 P3.6 16 P3.6 文档编号：002-10632
版本*
C 页11/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 表
1.PSoC4000S引脚列表 48-pinTQFP 32-pinQFN 引脚名称引脚名称 20 P3.7 21VDDD 22 P4.0 13 P4.0 23 P4.1 14 P4.1 24 P4.2 15 P4.2 25 P4.3 16 P4.3 24-pin
QFN引脚名称
9 P4.0 10 P4.1 11 P4.2 12 P4.3 25-ballCSP引脚名称 E3 P4.0 D2 P4.1 E2 P4.2 E1 P4.3 备注:引脚11,15,26,和27在48-pinTQFP上无连接(NC)。
引脚功能的说明如下：VDDD：数字模块的电源。
VDDA：模拟模块的电源。
VSSD、VSSA：分别是数字和模拟模块的接地引脚。
VCCD：稳压的数字电源（1.8V±5%）。
VDD:向芯片所有部分供电VSS:芯片所有部分接地 40-pinQFN 引脚名称 17 P3.7 18 P4.0 19 P4.1 20 P4.2 21 P4.3 32-pinTQFP引脚名称 13 P4.0 14 P4.1 15 P4.2 16 P4.3 引脚复用功能每个端口引脚均可用于实现某个功能，例如：作为模拟I/O、数字外设功能、LCD引脚或CapSense引脚。
引脚分配如下表所示。
表
2.引脚布局 端口/引脚P0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.7P1.0P1.1P1.2P1.3P1.4P1.5P1.6P1.7P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7 模拟引脚 p.in_p[0]p.in_n[0]p.in_p[1]p.in_n[1] wco.wco_inwco.wco_out SmartI/O 复用功能
1 复用功能
2 srss.ext_clk tcpwm.line[2]:1pl[2]:1 tcpwm.line[3]:1pl[3]:
1 scb[1].uart_rx:0scb[1].uart_tx:0scb[1].uart_cts:0scb[1].uart_rts:0scb[0].uart_rx:1scb[0].uart_tx:1scb[0].uart_cts:1scb[0].uart_rts:
1 prgio[0].io[0]prgio[0].io[1]prgio[0].io[2]prgio[0].io[3]prgio[0].io[4]prgio[0].io[5]prgio[0].io[6]prgio[0].io[7] tcpwm.line[4]:0pl[4]:0 tcpwm.line[0]:1pl[0]:1 tcpwm.line[1]:1pl[1]:
1 p 复用功能3tcpwm.tr_in[0]tcpwm.tr_in[1] tcpwm.tr_in[2]tcpwm.tr_in[3] tcpwm.tr_in[4]tcpwm.tr_in[5] 深度睡眠
1 深度睡眠2 scb[0].spi_select1:0scb[0].spi_select2:0scb[0].spi_select3:
0 scb[1].i2c_scl:0scb[1].i2c_sda:0 scb[0].i2c_scl:0scb[0].i2c_sda:
0 scb[1].spi_mosi:1scb[1].spi_miso:1scb[1].spi_clk:1scb[1].spi_select0:1scb[0].spi_mosi:1scb[0].spi_miso:1scb[0].spi_clk:1scb[0].spi_select0:1scb[0].spi_select1:1scb[0].spi_select2:1scb[0].spi_select3:
1 scb[1].i2c_scl:1scb[1].i2c_sda:1 p[0]:
1 scb[1].spi_mosi:2scb[1].spi_miso:2scb[1].spi_clk:2scb[1].spi_select0:2scb[1].spi_select1:1scb[1].spi_select2:1scb[1].spi_select3:
1 文档编号：002-10632版本*
C 页12/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 端口/引脚P3.0P3.1P3.2P3.3P3.4P3.5P3.6P3.7P4.0P4.1P4.2P4.3 模拟引脚 csd.vref_extcsd.cshieldpads csd.cmodpadcsd.csh_tank SmartI/O prgio[1].io[0]prgio[1].io[1]prgio[1].io[2]prgio[1].io[3]prgio[1].io[4]prgio[1].io[5]prgio[1].io[6]prgio[1].io[7] 复用功能1 tcpwm.line[0]:0pl[0]:0 tcpwm.line[1]:0pl[1]:0 tcpwm.line[2]:0pl[2]:0 tcpwm.line[3]:0pl[3]:
0 复用功能2scb[1].uart_rx:1scb[1].uart_tx:1scb[1].uart_cts:1scb[1].uart_rts:1 scb[0].uart_rx:0scb[0].uart_tx:0scb[0].uart_cts:0scb[0].uart_rts:
0 复用功能3 tcpwm.tr_in[6]tcpwm.tr_in[7]tcpwm.tr_in[8]tcpwm.tr_in[9]tcpwm.tr_in[10]tcpwm.tr_in[11] 深度睡眠1scb[1].i2c_scl:2scb[1].i2c_sda:2cpuss.swd_datacpuss.swd_clk p[1]:1scb[0].i2c_scl:1scb[0].i2c_sda:1 p[0]:0p[1]:
0 深度睡眠2scb[1].spi_mosi:0scb[1].spi_miso:0scb[1].spi_clk:0scb[1].spi_select0:0scb[1].spi_select1:0scb[1].spi_select2:0scb[1].spi_select3:0 scb[0].spi_mosi:0scb[0].spi_miso:0scb[0].spi_clk:0scb[0].spi_select0:
0 文档编号：002-10632版本*
C 页13/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 电源 下面的电源系统框图显示了PSoC4000S中电源引脚的设置情况。
该系统具有一个处于活动模式的电压调节器，用于为数字电路供电。
系统中没有模拟电压调节器，因此，模拟电路直接由VDD输入供电。
图
4.电源连接 VDDA VDDAVSSA AnalogDomain DigitalDomain VDDDVDDDVSSD 1.8VoltRegulator VCCD 模式1：1.8V到5.5V外部电源 在该模式下，PSoC4000S由外部电源供电，它的范围为1.8到5.5V。
该范围也适用于电池供电的操作。
例如，芯片可由一个开始为3.5V，然后下降到1.8V的电池系统供电。
在该模式下，PSoC4000S的内部电压调节器为内部逻辑供电，并且它的输出与VCCD引脚连接。
VCCD引脚需要通过外部电容（0.1μ
F、X5R陶瓷或性能更好的电容）旁路接地，并且不可连接到其他部分。
模式2：1.8V±5%外部电源 在该模式下，PSoC4000S由一个电压范围为1.71V~1.89V的外部电源供电。
请注意，该范围必须包括电源脉冲。
在该模式下，VDD和VCCD引脚短接相连并被旁路。
内部电压调节器可通过固件被禁用。
VDDD需要通过旁路电容接地。
对于在该频率范围内工作的系统，通常选用一个1μF的电容，与一个较小的电容（如0.1μF）并行放置。
请注意，这只是简单的经验法则。
对于重要的应用，PCB布局、走线间的电感和旁路寄生电容需要通过仿真设计以获得最佳的旁路。
旁路方案示例如下图所示。
共有两种操作模式。
在模式1中，电压范围为1.8V~5.5V（未经外部调节，使用内部稳压器）。
在模式2中，电压范围为1.8V±5%（使用外部稳压器），或1.71~1.89V（不使用内部稳压器）。
图
5.外部电源（电压范围从1.8V到5.5V，使能内部电压调节器） Powersupplybypassconnectionsexample 1.8Vto5.5V0.1μ
F VDDPSoC4000SVDDA 1μ
F 1.8Vto5.5V0.1μ
F 0.1μFVCCD VSS 文档编号：002-10632版本*
C 页14/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 电气规范 最大绝对额定值表
3.最大绝对额定值[1] 规范ID SID1SID2SID3SID4 SID5 BID44BID45BID46 参数 VDDD_ABSVCCD_ABSVGPIO_ABSIGPIO_ABS IGPIO_injection ESD_HBMESD_CDMLU 说明 最小值典型值最大值 相对于VSS的数字供电电压相对于VSS的直接数字内核输入电压GPIO电压 每个GPIO上的最大电流 GPIO注入电流。
VIH>VDDD时，该值最大；VIL
V – – – mA每个引脚的注入电流 V–– mA – 注释：
1.器件在高于表3中所列出的最大绝对值条件下工作可能会造成永久性损害。
长期在最大绝对值条件下工作可能会影响器件的可靠性。
最大存放温度是150°
C，符合 JEDECJESD22-A103—高温度存放使用寿命标准。
如果采用的值低于最大绝对值但高于正常值，则器件可能不正常工作。
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C 页15/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 器件级规范 除非另有说明，否则规范的适用条件是：–40°C≤TA≤105°
C，TJ≤125°
C，电压范围为1.71V~5.5V。
表
4.直流规范 典型值的测量条件为：VDD=3.3V，温度=25°
C。
规范ID 参数 说明 最小值典型值最大值单位 SID53 VDD 电源输入电压 1.8 – 5.5 SID255SID54 VDDVCCD 电源输入电压（VCCD=VDD=VDDA）1.71 – 1.89
V 输出电压（供给内核逻辑） – 1.8 – SID55SID56 CEFCCEXC 外部电压调节器旁路电容电源旁路电容 – 0.1 – μ
F –
1 – 在活动模式下，VDD=1.8V~5.5V。
典型值的测量条件为：VDD=3.3V，温度=25°
C。
SID10 IDD5 从闪存内执行，CPU的运行速率为6MHz – 1.2 1.8 SID16 IDD8 从闪存内执行。
CPU的运行速率为24MHz – 2.4 4.0 mA SID19 IDD11 从闪存内执行，CPU的运行速率为48MHz – 4.6 5.9 在睡眠模式下，VDDD=1.8V~5.5V（使能稳压器） SID22SID25 IDD17IDD20 I2C唤醒、WDT和比较器都被启用。
– 1.1 1.6 mA I2C唤醒、WDT和比较器都被启用 – 1.4 1.9 在睡眠模式下，VDDD=1.71V~1.89V（旁路稳压器） SID28 IDD23 I2C唤醒、WDT和比较器都被启用 SID28A IDD23A I2C唤醒、WDT和比较器都被启用 – 0.7 0.9 mA – 0.9 1.1 mA 在深度睡眠模式下，VDD=1.8V~3.6V（启用稳压器） SID31 IDD26 I2C唤醒和WDT被启用 – 2.5 60 μ
A 在深度睡眠模式下，VDD=3.6V~5.5V（启用稳压器） SID34 IDD29 I2C唤醒和WDT被启用 – 2.5 60 μ
A 在深度睡眠模式下，VDD=VCCD=1.71V~1.89V（旁路稳压器） SID37 IDD32 I2C唤醒和WDT被启用 – 2.5 60 μ
A XRES电流 SID307 IDD_XR 触发XRES时的供电电流 –
2 5 mA 详情/条件内部稳压电源内部未稳压电源 –X5R陶瓷电容或性能更好的电容X5R陶瓷电容或性能更好的电容 – – – 6MHz12MHz 6MHz12MHz – – – – 表
5.交流规范 规范IDSID48SID49[2]SID50[2] 参数FCPUTSLEEPTDEEPSLEEP 注释：
2.由表征保证。
说明CPU频率从睡眠模式唤醒的时间从深度睡眠模式唤醒的时间 最小值DC–– 典型值–035 最大值48–– 单位MHz μs 详情/条件1.71≤VDD≤5.5 文档编号：002-10632版本*
C 页16/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 GPIO 表
6.GPIO直流规范 规范IDSID57SID58SID241SID242SID243SID244 参数VIH[3]VILVIH[3]VILVIH[3]VIL SID59 VOH 说明输入高电平电压阈值输入低电平电压阈值LVTTL输入电压，VDDD<2.7VLVTTL输入电压，VDDD<2.7VLVTTL输入电压，VDDD≥2.7VLVTTL输入电压，VDDD≥2.7V 输出高电平电压阈值 SID60 VOH 输出高电平电压阈值 SID61 VOL 输出低电平电压阈值 SID62 VOL 输出低电平电压阈值 SID62A SID63
SID64SID65SID66SID67[4]SID68[4]SID68A[4] SID69[4] SID69A[4] VOL 输出低电平电压阈值 RPULLUPRPULLDOWNIILCINVHYSTTLVHYSCMOSVHYSCMOS5V5 IDIODE ITOT_GPIO 上拉电阻下拉电阻输入漏电流（绝对值）输入电容按LVTTL电平标准的输入迟滞按CMOS电平标准的输入迟滞按CMOS电平标准的输入迟滞通过保护二极管到达VDD/VSS的电流芯片的最大源电流或灌电流总值 最小值0.7xVDDD –0.7xVDDD –2.0– 典型值最大值 – – –0.3xVDDD – – –0.3xVDDD – – – 0.8 VDDD–0.6– – VDDD–0.5– – – – 0.6 – – 0.6 – – 0.4 3.5 5.6 8.5 3.5 5.6 8.5 – –
2 – –
7 25 40 – 0.05
×VDDD– – 200 – – 单位 V kΩnApFmV 详情/条件CMOS输入电压CMOS输入电压 –––– VDDD=3V时，IOH=4mAVDDD=3V时，IOH=1mAVDDD=1.8V时，IOL=4mAVDDD=3V时，IOL=10mAVDDD=3V时，IOL=3mA –– 25°
C，VDDD=3.0V– VDDD≥2.7VVDD<4.5VVDD>4.5V – – 100 μ
A – – – 200 mA – 注释：
3.VIH不能超过VDDD+0.2V。
4.由表征保证。
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C 页17/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 表
7.GPIO交流规范（由表征保证） 规范ID 参数 SID70 TRISEF SID71 TFALLF SID72 TRISES SID73 TFALLS SID74 FGPIOUT1 SID75 FGPIOUT2 SID76 FGPIOUT3 SID245 FGPIOUT4 SID246 FGPIOIN XRES
表
8.XRES直流规范 规范IDSID77SID78SID79SID80 参数 VIHVILRPULLUPCIN SID81[5] VHYSXRES SID82 IDIODE 说明 快速强驱动模式下的上升时间 快速强驱动模式下的下降时间 慢速强驱动模式下的上升时间 慢速强驱动模式下的下降时间 GPIO
的输出频率（FOUT）；3.3V≤VDDD≤5.5V快速强驱动模式GPIO的输出频率（FOUT）；1.71V≤VDDD≤3.3V快速强驱动模式GPIO的输出频率（FOUT）；3.3V≤VDDD≤5.5V慢速强驱动模式GPIO的输出频率（FOUT）；1.71V≤VDDD≤3.3V慢速强驱动模式GPIO输入工作频率；1.71V≤VDDD≤5.5V 最小值
2 典型值–
2 – 10 – 10 – – – – – – – – – – – 最大值1212606033 16.7 7 3.548 单位ns–– MHz 详情/条件 VDDD=3.3V，Cload=25pF VDDD=3.3V，Cload=25pF VDDD=3.3V，Cload=25pF VDDD=3.3V，Cload=25pF 90/10%，Cload=25pF，60/40占空比 90/10%，Cload=25pF，60/40占空比 90/10%，Cload=25pF，60/40占空比 90/10%，Cload=25pF，60/40占空比 90/10%VIO 说明输入高电平电压阈值输入低电平电压阈值上拉电阻输入电容 输入电压迟滞 通过保护二极管到达VDD/VSS的电流 最小值0.7×VDDD ––– 典型值––60– 最大值– 0.3xVDDD–
7 – 100 – – – 100 单位VkΩpFmVμ
A 详情/条件 CMOS输入电压 ––VDD>4.5V时，典型迟滞为200mV 表
9.XRES交流规范 规范IDSID83[5] BID194[5] 参数TRESETWIDTHTRESETWAKE 注释：
5.由表征保证。
说明复位脉冲宽度从复位释放到唤醒的时间 文档编号：002-10632版本*
C 最小值典型值最大值单位
1 – – μs – – 2.7 ms 详情/条件–– 页18/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 模拟外设表10.比较器直流规范 规范IDSID84SID85SID86SID87SID247 参数 VOFFSET1VOFFSET2VHYSTVICM1VICM2 SID247AVICM3 SID88SID88ASID89SID248 CMRRCMRRICMP1ICMP2 SID259ICMP3 SID90 ZCMP 说明输入偏移电压，出厂校准值输入偏移电压，自定义校准迟滞（使能时）正常运行模式下的共模输入电压低功耗模式下的共模输入电压 超低功耗模式下的共模输入电压 共模抑制比共模抑制比正常运行模式下的模块电流低功耗模式下的模块电流 超低功耗模式下的模块电流 比较器的直流输入阻抗 最小值–––00 典型值––10–– 最大值±10±435 VDDD–0.1VDDD
0 –VDDD–1.15 50 – – 42 – – – – 400 – – 100 –
6 28 35 – – 单位mV VdBμAMΩ 详情/条件––– 模式1和2– VDDD≥2.2V（温度=–40°C） VDDD≥2.7VVDDD≥2.7V ––VDDD≥2.2V（温度=–40°C）– 表11.比较器交流规范 规范IDSID91SID258 参数TRESP1TRESP2 SID92 TRESP3 说明响应时间，正常运行模式，50mV超压响应时间，低功耗模式，50mV超压 响应时间，超低功耗模式，200mV超压 最小值–– 典型值3870 – 2.3 最大值110200 15 单位nsμs 详情/条件– – VDDD≥2.2V（温度=–40°C） 文档编号：002-10632版本*
C 页19/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 CSD和IDAC 表12.CSD和IDAC规范 规范IDSYS.PER#
3 参数VDD_RIPPLE 说明电源的最大允许纹波，DC~10MHz SYS.PER#16VDD_RIPPLE_1.8电源的最大允许纹波，DC~10MHz 最小值典型值 – – 最大值±50 – – ±25 SID.CSD.BLK ICSD 模块的最大电流 – – 4000 SID.CSD#15 SID.CSD#15A SID.CSD#16SID.CSD#17 SID308 SID308A SID309SID310 SID311SID312 SID313 VREFVREF_EXT IDAC1IDDIDAC2IDD VCSD VCOMPIDAC IDAC1DNLIDAC1INL IDAC2DNLIDAC2INL SNR CSD和比较器的参考电压 CSD和比较器的外部参考电压 IDAC1（7位）模块电流IDAC2（7位）模块电流工作电压范围 IDAC的合规电压范围DNLINL DNLINL 手指信号与噪声的比例。
由表征保证 0.6 0.6 ––1.71 1.2VDDA-0.6 VDDA-0.6 – 1750 – 1750 – 5.5 0.6 – VDDA-0.6 –
1 –
1 –
2 –
2 –
1 –
1 –
2 –
2 5 – – SID314 IDAC1CRT1IDAC1（7位）在低范围内的输出电流 4.2 – 5.4 SID314A IDAC1CRT2IDAC1（7位）在中等范围内的输出电流34 – 41 SID314B IDAC1CRT3IDAC1（7位）在高范围内的输出电流 275 – 330 SID314C IDAC1CRT12IDAC1（7位）在低范围和2X模式下的输
8 – 10.5 出电流 SID314D IDAC1CRT22IDAC1（7位）在中等范围和2X模式下的69 – 82 输出电流 SID314E IDAC1CRT32IDAC1（7位）在高范围和2X模式下的输540 – 660 出电流 SID315 IDAC2CRT1IDAC2（7位）在低范围内的输出电流 4.2 – 5.4 SID315A IDAC2CRT2IDAC2（7位）在中等范围内的输出电流34 – 41 SID315B IDAC2CRT3IDAC2（7位）在高范围内的输出电流 275 – 330 SID315C IDAC2CRT12IDAC2（7位）在低范围和2X模式下的输
8 – 10.5 出电流 SID315D IDAC2CRT22IDAC2（7位）在高范围和2X模式下的输69 – 82 出电流 SID315E IDAC2CRT32IDAC2（7位）在高范围和2X模式下的输540 – 660 出电流 SID315F IDAC3CRT13IDAC（8位）在低范围内的输出电流
8 – 10.5 单位 mV mV μ
A VVμAμAVVLSBLSBLSBLSB比率 μAμAμAμ
A 详情/条件VDD>2V（包括纹波），TA=25°
C，灵敏度=0.1pFVDD>1.75V（包括纹波），TA=25°
C，寄生电容（CP）<20pF，灵敏度≥0.4pF动态（切换）模式下两个IDAC模块的最大电流，包括比较器、缓冲器和参考电压发生器上的电流。
VDDA-0.6或4.4（选择更低的值）VDDA-0.6或4.4（选择更低的值） 1.8V±5%或1.8V到5.5VVDDA-0.6或4.4（选择更低的值） VDDA<2V时，INL为±5.5LSB VDDA<2V时，INL为±5.5LSB电容值范围=5pF~35pF，灵敏度=0.1pF。
所有使用场合。
VDDA>2V。
LSB=37.5nA（典型值）LSB=300nA（典型值）LSB=2.4μA（典型值）LSB=75nA（典型值） μALSB=600nA（典型值） μALSB=4.8μA（典型值） μALSB=37.5nA（典型值）μALSB=300nA（典型值）μALSB=2.4μA（典型值）μALSB=75nA（典型值） μALSB=600nA（典型值） μALSB=4.8μA（典型值） μALSB=37.5nA（典型值） 文档编号：002-10632版本*
C 页20/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 表12.CSD和IDAC规范（续） 规范IDSID315GSID315HSID320 参数IDAC3CRT23IDAC3CRT33IDACOFFSET 说明IDAC（8位）在中等范围内的输出电流IDAC（8位）在高范围内的输出电流所有输入都为零 最小值69540– 典型值––– 最大值826601 SID321 IDACGAIN满量程误差减去偏移 – – ±10 SID322IDACMISMATCH1IDAC1和IDAC2在低功耗模式下的差异 – – 9.2 SID322AIDACMISMATCH2IDAC1和IDAC2在中等功耗模式下的差异– – 5.6 SID322BIDACMISMATCH3IDAC1和IDAC2在高功耗模式下的差异 – – 6.8 SID323 IDACSET88位IDAC达到0.5LSB所需的建立时间 – – 10 SID324 IDACSET77位IDAC达到0.5LSB所需的建立时间 – – 10 SID325 CMOD 外部调制器电容。
– 2.2 – 单位 μAμALSB %LSBLSBLSBμs μs nF 详情/条件LSB=300nA（典型值）LSB=2.4μA（典型值）由源电流或灌电流设置的极性。
偏移为2个LSB（在37.5nA/LSB模式下） LSB=37.5nA（典型值）LSB=300nA（典型值）LSB=2.4μA（典型值）满量程跃变。
无外部负载。
满量程跃变。
无外部负载。
5V的额定电压，X7R或NP0电容。
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C 页21/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 10位CapSenseADC表13.10位CapSenseADC规范 规范ID SIDA94SIDA95 参数 A_RESA_CHNLS_
S 分辨率单端通道数量 说明 SIDA97SIDA98 A-MONOA_GAINERR 单调性增益误差 最小值典型值 – – – – 最大值 1016 – – – – – ±
2 SIDA99 A_OFFSET 输入偏移电压 – –
3 SIDA100SIDA101SIDA103SIDA104SIDA106 A_ISARA_VINSA_INRESA_INCAPA_PSRR 电流消耗单端输入电压范围输入电阻输入电容电源抑制比 – – VSSA – – 2.2 – 20 – 60 0.25VDDA ––– SIDA107SIDA108 A_TACQA_CONV8 样本采集时间 –
1 – 转换速率为Fhclk/(2^(N+2))时8位分– – 21.3 辨率的转换时间时钟频率为48MHz。
SIDA108AA_CONV10 转换速率为Fhclk/(2^(N+2))时10位分– – 85.3 辨率的转换时间时钟频率为48MHz。
SIDA109A_SND 信噪比和失真比（SINAD） – 61 – SIDA110SIDA111 SIDA112 A_BWA_INL A_DNL 无混叠输入带宽在1Ksps时的积分非线性 在1Ksps时的微分非线性 – – 22.4 – –
2 – –
1 单位 详情/条件 位每毫秒需要自动清零由AMUX总线定义。
有 %处于VREF（2.4V）模式，并使用大小为10μF的VDDA旁路电容 mV处于VREF（2.4V）模式，并使用大小为10μF的VDDA旁路电容 mA
V KΩ pF dB处于VREF（2.4V）模式，并使用大小为10μF的VDDA旁路电容 μs μs不包括样本采集时间。
等于44.8Ksps（包括采集时间）。
μs不包括采集时间。
等于11.6Ksps（包括样本采集时间）。
dB10Hz输入正弦波、2.4V的外部参考电压、VREF（2.4V）模式 kHz8位分辨率LSBVREF=2.4V或更高的 值 LSB 文档编号：002-10632版本*
C 页22/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 数字外设 定时器/计数器/脉宽调制器（TCPWM）表14.TCPWM规范 规范IDSID.TCPWM.1 参数ITCPWM1 说明频率为3MHz时的模块电流消耗 SID.TCPWM.2ITCPWM2 频率为12MHz时的模块电流消耗 SID.TCPWM.2AITCPWM3 频率为48MHz时的模块电流消耗 SID.TCPWM.3TCPWMFREQ工作频率 SID.TCPWM.4TPWMENEXT输入触发脉冲宽度 最小值––– 典型值––– 最大值45155650 – – Fc 2/Fc – – SID.TCPWM.5TPWMEXT 输出触发脉冲宽度 2/Fc – – SID.TCPWM.5ATCRESSID.TCPWM.5BPWMRES SID.TCPWM.5CQRES 计数器的分辨率PWM分辨率 正交输入分辨率 1/Fc – – 1/Fc – – 1/Fc – – 单位μAMHz ns 详情/条件所有模式（TCPWM） 所有模式（TCPWM） 所有模式（TCPWM）Fcmax=CLK_SYS最大值=48MHz针对所有触发事件[6] 上溢、下溢和CC（计数值等于比较值）输出的最小宽度 连续计数之间的最短时间 PWM输出的最小脉宽 正交相位输入间的最小脉冲宽度 注释：
6.根据所选的工作模式，触发事件可以为：、Start、Reload、Count、Capture或Kill。
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C 页23/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 I2C表15.固定I2C直流规范[7] 规范IDSID149SID150SID151SID152 参数II2C1II2C2II2C3II2C4 说明频率为100KHz时模块消耗的电流频率为400KHz时模块消耗的电流比特率为1Mbps时模块消耗的电流I2C在深度睡眠模式下被使能 表16.固定的I2C交流规范[7] 规范IDSID153 参数FI2C1 比特率 说明 SPI表17.SPI直流规范[7] 规范IDSID163SID164SID165 参数ISPI1ISPI2ISPI3 说明比特率为1Mbps时模块消耗的电流比特率为4Mbps时模块消耗的电流比特率为8Mbps时模块消耗的电流 最小值典型值最大值单位 – – 50 – – 135μ
A – – 310 – – 1.4 最小值典型值最大值单位 – – 1Msps 最小值典型值最大值单位 – – 360 – – 560μ
A – – 600 详情/条件––– 详情/条件– 详情/条件––– 表18.SPI交流规范[7] 规范ID 参数 说明 SID166FSPI SPI工作频率（主设备，6X过采样） 固定SPI主设备模式的交流规范 SID167TDMO SClock驱动沿后MOSI有效的时间 SID168TDSI SClock捕获沿前MISO有效的时间 SID169THMO 先前的MOSI数据保持时间 固定SPI从设备模式的交流规范 SID170TDMI SClock捕获沿前MOSI有效的时间 SID171TDSO SClock驱动沿后MISO有效的时间 SID171ASID172SID172A TDSO_EXTSclock驱动沿后MISO有效的时间（处于外部时钟模式下） THSO 先前的MISO数据保持时间 TSSELSSCK从SSEL有效到第一个SCK有效边沿的时间 最小值– –200 40– –0100 典型值– ––– –– ––– 最大值8 15–– –42+3x Tcpu48–– 单位MHz 详情/条件 –ns全时钟、MISO推迟采样 表示从设备捕获数据的边沿 – TCPU=1/FCPUns – – ns – 注释：
7.由表征保证。
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C 页24/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 UART表19.UART直流规范[8] 规范IDSID160SID161 参数IUART1IUART2 说明比特率为100Kbps时模块消耗的电流比特率为1000Kbps时模块消耗的电流 最小值–– 典型值–– 最大值55312 单位μAμ
A 详情/条件–– 表20.UART交流规范[8] 规范IDSID162 参数FUART 比特率 LCD直接驱动表21.LCD直接驱动直流规范[8] 规范ID 参数 说明说明 最小值– 典型值– 最小值典型值 SID154ILCDLOW 低功耗模式下的工作电流 5– SID155CLCDCAP 每个Common/Segment驱动器上的LCD 电容 – 500 SID156LCDOFFSET长期Segment偏移 – 20 SID157ILCDOP1 Vbias=5V时的LCD系统工作电流 2– SID158ILCDOP2 Vbias=3.3V时的LCD系统工作电流
2 – 最大值
1 最大值– 5000–– – 单位Mbps 详情/条件– 单位 详情/条件 尺寸为16×4的小型段μA式（Segment）显示屏， 频率=50Hz pF – mV – 尺寸为32x4段式（Segment）显示屏，频mA率=50Hz，温度=25°C尺寸为32x4段式（Segment）显示屏，频率=50Hz，温度=25°
C 表22.LCD直接驱动器交流规范[8] 规范IDSID159 参数FLCD LCD帧率 说明 最小值典型值 10 50 最大值150 单位Hz 详情/条件– 注释：
8.由表征保证。
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C 页25/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 存储器闪存表23.闪存直流规范 规范IDSID173 参数VPE 说明擦除和编程电压 最小值典型值最大值单位 1.71 – 5.5
V 详情/条件– 表24.闪存交流规范 规范IDSID174SID175SID176SID178SID180[10]SID181[10] 参数 TROWWRITE[9]TROWERASE[9]TROWPROGRAM[9]TBULKERASE[9]TDEVPROG[9] FEND SID182[10]FRET SID182A[10] – SID182B[10]FRETQ SID256SID257 TWS48TWS24 说明 最小值 行（块）编写时间（擦除和编程）– 行擦除时间 – 擦除后的行编程时间 – 批量擦除时间（32KB） – 器件总编程时间 – 闪存擦写次数 100K 1闪0存万数个据编保程持/时擦间除。
周期TA≤55°C，20 一闪万存个数编据程保持/擦时除间周。
期TA≤85°C，10 闪存数据保持时间。
TA≤105°
C，一万个编程/擦除周期,在TA≥1085°C时，≤3年 频率为48MHz时的等待状态数
2 频率为24MHz时的等待状态数
1 典型值––––––– – – –– 系统资源 上电复位（POR）表25.上电复位（PRES） 规范IDSID.CLK#6SID185[10]SID186[10] 参数SR_POWER_UPVRISEIPORVFALLIPOR 电源转换速率上升触发电压下降触发电压 说明 最小值1 0.800.70 典型值––– 最大值20164357–– – 20 –– 最大值671.51.4 单位 ms s周期 详情/条件行（块）=128个字节 ––––– – 年 – 表征保证 CPU从闪存内执行。
CPU从闪存内执行 单位V/ms
V 详情/条件上电和掉电 –– 表26.VCCD的欠压检测（BOD） 规范IDSID190[10] SID192[10] 参数VFALLPPOR VFALLDPSLP 说明 活动模式和睡眠模式下的BOD触发电压 深度睡眠模式下的BOD触发电压 最小值1.48 1.11 典型值– – 最大值1.62 1.5 单位
V 详情/条件– – 注释：
9.可能需要20ms来写入闪存。
在这段时间内请勿复位器件，否则可能中止闪存操作并且不能保证该操作的完成。
复位源包括XRES引脚、软件复位、CPU锁存状态 和特权冲突、不合适的电源电平以及看门狗。
需要确保这些复位源不会无意被触发。
10.由表征保证。
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C 页26/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 SWD接口表27.SWD接口规范 规范ID 参数 SID213 F_SWDCLK1 说明3.3V≤VDD≤5.5V 最小值– 典型值– 最大值14 SID214 F_SWDCLK21.71V≤VDD≤3.3V SID215[11]SID216[11]SID217[11]SID217A[11] T_SWDI_SETUPT_SWDI_HOLDT_SWDO_VALIDT_SWDO_HOLD T=1/fSWDCLKT=1/fSWDCLKT=1/fSWDCLKT=1/fSWDCLK – – 0.25xT– 0.25xT– – –
1 – 内部主振荡器(IMO)表28.IMO直流规范（由设计保证） 规范IDSID218SID219 IIMO1IIMO2 参数 说明频率为48MHz时IMO的工作电流频率为24MHz时IMO的工作电流 最小值–– 典型值–– 7––0.5xT– 最大值250180 单位MHz ns 单位μAμ
A 详情/条件SWDCLK≤CPU时钟频率的1/3SWDCLK≤CPU时钟频率的1/3 –––– 详情/条件–– 表29.IMO交流规范 规范IDSID223SID223ASID226SID228 参数 FIMOTOL1TSTARTIMOTJITRMSIMO2 内部低速振荡器(ILO)表30.ILO直流规范（由设计保证） 规范IDSID231[11] IILO1 参数 表31.ILO交流规范 规范IDSID234[11]SID236[11] SID237 参数 TSTARTILO1TILODUTYFILOTRIM1 说明 频率可以为24、32和48MHz（经过校准后） IMO启动时间在24MHz时的均方根抖动时间 最小值–––– 典型值––– 145 最大值±2±2.57– 单位 详情/条件 %– %105°
C μs – ps – 说明ILO工作电流 说明ILO启动时间ILO占空比ILO频率范围 最小值典型值最大值单位 – 0.3 1.05 μ
A 最小值典型值最大值单位 – –
2 ms 40 50 60 % 20 40 80 kHz 详情/条件– 详情/条件––– 注释：11.由表征保证。
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C 页27/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 时钟晶体振荡器（WCO） 表32.时钟晶体振荡器（WCO）规范 规范IDSID398SID399SID400SID401SID402SID403SID404SID405SID406 参数FWCOFTOLESRPDTSTARTCLC0IWCO1IWCO2 说明晶振频率频率容限等效串联电阻驱动电平启动时间晶振负载电容晶振并联电容工作电流（高功耗模式）工作电流（低功耗模式） 最小值–––––6––– 典型值32.768 5050–––1.35–– 最大值– 250–1 50012.5 –81 外部时钟 表33.外部时钟规范 规范IDSID305[12] SID306[12] 参数ExtClkFreqExtClkDuty 说明外部时钟输入频率占空比；在VDD/2电压下测量得到的 最小值典型值
0 – 45 – 最大值4855 时钟 表34.模块规范 规范IDSID262[12] 参数TCLKSWITCH 说明系统时钟源的切换时间 最小值典型值最大值
3 –
4 SmartI/O接通时间 表35.SmartI/O接通时间（旁路模式下会有延迟） 规范IDSID252 参数 说明 最小值 PRG_BYPASS旁路模式下由SmartI/O引起的最长延–迟时间 典型值– 最大值1.6 单位 详情/条件 kHz ppm晶振的精度为20ppm kΩ μ
W ms pF pF μ
A μ
A 单位MHz % 详情/条件–– 单位周期 详情/条件– 单位 详情/条件 ns 注释：12.由表征保证。
文档编号：002-10632版本*
C 页28/40 订购信息 下表显示了PSoC4000S器件型号和各种特性。
表36.PSoC4000S订购信息 类别 MPN PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 特性 封装 最大CPU速度(MHz)Flash(KB)SRAM(KB) Opamp(CTBm)CapSense 10-bitCSDADC12-bitSARADC 低功耗比较器TCPWM模块 SCB模块SmartI/Os GPIOWLCSP(0.35-mm间距) 24-pinQFN32-pinQFN32-pinTQFP40-pinQFN48-pinTQFP 温度范围 CY8C4024FNI-S402241620010252821✔ CY8C4024LQI-S401241620010252819 ✔ CY8C4024LQI-S4022416200102521627 ✔ CY8C4024AXI-S4022416200102521627 ✔ CY8C4024LQI-S4032416200102521634 ✔ CY8C4024AZI-S40324162001025216364024CY8C4024FNI-S412241620110252821✔ ✔–40到85°
C CY8C4024LQI-S411241620110252819 ✔ CY8C4024LQI-S4122416201102521627 ✔ CY8C4024AXI-S4122416201102521627 ✔ CY8C4024LQI-S4132416201102521634 ✔ CY8C4024AZI-S4132416201102521636 ✔ CY8C4024AZQ-S4132416201102521636 ✔–40到105°
C CY8C4025FNI-S402243240010252821✔ CY8C4025LQI-S401243240010252819 ✔ CY8C4025LQI-S4022432400102521627CY8C4025AXI-S4022432400102521627 ✔✔ –40到85°
C CY8C4025LQI-S4032432400102521634 ✔ CY8C4025AZI-S4032432400102521636 ✔ CY8C4025AZQ-S40324324001025216364025CY8C4025FNI-S412243240110252821✔ ✔–40到105°
C CY8C4025LQI-S411243240110252819 ✔ CY8C4025LQI-S4122432401102521627CY8C4025AXI-S4122432401102521627 ✔✔ –40到85°
C CY8C4025LQI-S4132432401102521634 ✔ CY8C4025AZI-S4132432401102521636 ✔ CY8C4025AZQ-S4132432401102521636 ✔–40到105°
C CY8C4045FNI-S412483240110252821✔ CY8C4045LQI-S411483240110252819 ✔ CY8C4045LQI-S41248324011025216274045CY8C4045AXI-S4124832401102521627 CY8C4045LQI-S4134832401102521634 ✔✔✔ –40到85°
C CY8C4045AZI-S4134832401102521636 ✔ CY8C4045AZQ-S4134832401102521636 ✔–40到105°
C 文档编号：002-10632版本*
C 页29/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 上表中所用的名称是基于以下的器件编号常规： 表37.命名规则 字段CY8C 4AB
C DE
F SXYZ 说明赛普拉斯前缀 架构系列CPU速度 闪存容量 封装代码 温度范围 系列指示符属性代码 数值 40244567AXAZLQPVFNIQSMLBL000-999 下面是一个器件型号示例： 含义 PSoC44000系列 24MHz48MHz16KB32KB64KB128KBTQFP（间距为0.8mm）TQFP（间距为0.5mm） QFNSSOPCSP工业级扩展工业级PSoC4S系列PSoC4M系列PSoC4L系列PSoC4BLE系列在特定系列中的功能集代码 Example 4:PSoC4210::441200000FFaammiliyly4:48MHz5:32KBAZX:TTQQFFPPI:Industrial CypressPrefixArchitecture FamilywithinArchitectureCPUSpeed FlashCapacityPackageCodeTemperatureRangeSiliconFamilyAttributesCode CY8C4ABCDEF–SXYZ 文档编号：002-10632版本*
C 页30/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 封装 PSoC4000S提供了48-TQFP、40-QFN，32-QFN、24-QFN，32-TQFP和25-ballWLCSP封装。
封装尺寸和赛普拉斯的型号如下表所示。
表38.封装列表 规范IDBID20BID27BID34ABID34BID34GBID34F 封装48-TQFP40-QFN32-QFN24-QFN32-TQFP25-ballWLCSP 描述7×7×1.4mm高度（引脚间距为0.5mm）6×6×0.6mm高度（引脚间距为0.5mm） 5×5×0.6mm高度（引脚间距为0.5mm）4×4×0.6mm高度（引脚间距为0.5mm）7×7×1.4mm高度（引脚间距为0.8mm）2.02×1.93×0.48mm高度（引脚间距为0.35mm） 封装DWG编号51-85135001-80659001-42168001-1393751-85088002-09957 表39.封装的热特性 参数TATJTJATJCTJATJCTJATJC 工作环境温度 工作环境温度封装θJA封装θJC封装θJA封装θJC封装θJA封装θJC TJA 封装θJA TJC 封装θJC TJA 封装θJA TJC 封装θJC TJA 封装θJA TJC 封装θJC 说明 ––48-TQFP48-TQFP40-QFN40-QFN32-QFN32-QFN 封装 24-QFN 24-QFN 32-TQFP 32-TQFP 25-ballWLCSP 25-ballWLCSP 最小值–40–40–––––– –– – – – – 典型值25–73.533.517.82.820.85.9 21.75.6 29.4 3.5 40 0.5 最大值105125–––––– –– – – – – 单位°C°C°C/W°C/W°C/W°C/W°C/W°C/W °C/W°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W 表40.回流焊峰值温度 封装所有封装类型 最高峰值温度260°
C 峰值温度下的最长时间30秒 表41.封装潮敏等级（MSL）（根据IPC/JEDECJ-STD-020标准） 封装 MSL 所有封装（WLCSP除外）25-ballWLCSP MSL3MSL1 文档编号：002-10632版本*
C 页31/40 封装图 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 图6.48-TQFP(7×7×1.4mm)封装外形,51-85135 图7.40-QFN封装(6×6×0.6mm)外形,001-80659 51-85135*
C 文档编号：002-10632版本*
C 001-80659*
A 页32/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 图8.32-QFN((5.0×5.0×0.55mm)3.5×3.5mmE-Pad(Sawn))封装外形,001-42168 SEENOTE1 TOPVIEW SIDEVIEW BOTTOMVIEW SYMBOL DIMENSIONSMIN.NOM.MAX.
A 0.500.550.60 A1 -0.0200.045 A2 0.15BSC
D 4.905.005.10 D2 3.403.503.60
E 4.905.005.10 E2 3.403.503.60
L 0.300.400.50 b 0.180.250.30 e 0.50TYP NOTES:
1. HATCHAREAISSOLDERABLEEXPOSEDPAD
2.BASEDONREFJEDEC#MO-2483.PACKAGEWEIGHT:0.0388g
4.DIMENSIONSAREINMILLIMETERS 001-42168*
F 文档编号：002-10632版本*
C 页33/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 图9.24-QFN((4x4x0.60mm)2.65x2.65E-Pad(Sawn))封装外形,001-13937 001-13937*
H QFN封装上的中心焊盘应接地（VSS），以获得最佳机械、热学和电气性能。
如果未接地，则应处于电气悬空状态，而不能连接到任何其他信号。
文档编号：002-10632版本*
C 页34/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 图10.32-TQFP(7x7x1.4mm)封装外形,51-85088 51-85088*
E 图11.25-ballWLCSP(2.02x1.93x0.48)封装外形,002-09957 文档编号：002-10632版本*
C 002-09957** 页35/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 缩略语 表42.本文档中使用的缩略语 缩略语abusADCAGAHB ALUAMUXBUSAPIAPSRArm®ATMBWCANCMRRCPUCRCDACDFBDIO DMIPSDMADNLDNUDRDSIDWTECCECOEEPROMEMIEMIFEOCEOFEPSRESDETMFIR 说明模拟局部总线模数转换器模拟全局总线AMBA（先进微控制器总线结构）高性能总线，即为一种Arm数据传输总线算术逻辑单元模拟复用器总线应用编程接口应用编程状态寄存器高级RISC机器，即为一种CPU架构自动Thump模式带宽控制器区域网络，即为一种通信协议共模抑制比中央处理器循环冗余校验，即为一种错误校验协议数模转换器，另请参见IDAC、VDAC数字滤波器模块数字输入/输出，GPIO只有数字功能，无模拟功能。
请参见GPIO。
Dhrystone每秒百万条指令直接存储器访问，另请参见TD微分非线性，另请参见INL请勿使用端口写入数据寄存器数字系统互连数据观察点和跟踪纠错码外部晶体振荡器电可擦除可编程只读存储器电磁干扰外部存储器接口转换结束帧结束执行程序状态寄存器静电放电嵌入式跟踪宏单元有限脉冲响应，另请参见IIR 表42.本文档中使用的缩略语（续） 缩略语FPBFSGPIOHVIICIDACIDEI2C或IICIIRILOIMOINLI/OIPORIPSRIRQITMLCDLINLRLUTLVDLVILVTTLMACMCUMISONCNMINRZNVICNVLopampPALPCPCBPGAPHUB 说明闪存修补和断点全速通用输入/输出，适用于PSoC引脚高电压中断，另请参见LVI、LVD集成电路电流DAC，另请参见DAC、VDAC集成开发环境内部集成电路，即为一种通信协议无限脉冲响应，另请参见FIR内部低速振荡器，另请参见IMO内部主振荡器，另请参见ILO积分非线性，另请参见DNL输入/输出，另请参见GPIO、DIO、SIO、USBIO初次上电复位中断程序状态寄存器中断请求仪表跟踪宏单元液晶显示屏本地互联网络，即为一种通信协议。
链接寄存器查找表低压检测，另请参见LVI低压中断，另请参见HVI低压晶体管-晶体管逻辑乘法累加器微控制器单元主入从出无连接不可屏蔽中断非归零嵌套向量中断控制器非易失性锁存器，另请参见WOL运算放大器可编程阵列逻辑，另请参见PLD程序计数器印刷电路板可编程增益放大器外设集线器 文档编号：002-10632版本*
C 页36/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 表42.本文档中使用的缩略语（续） 缩略语PHYPICUPLAPLDPLLPMDDPORPRESPRSPSPSoC® PSRRPWMRAMRISCRMSRTCRTLRTRRXSARSC/CTSCLSDAS/HSINADSIO SOCSOFSPISRSRAMSRESSWDSWVTDTHDTIA 说明物理层端口中断控制单元可编程逻辑阵列可编程逻辑器件，另请参见PAL锁相环封装材料声明数据手册上电复位精密上电复位伪随机序列端口读取数据寄存器可编程片上系统（ProgrammableSystem-on-Chip™）电源抑制比脉宽调制器随机存取存储器精简指令集计算均方根实时时钟寄存器转换语言远程发送请求接收逐次逼近寄存器开关电容/连续时间I2C串行时钟I2C串行数据采样和保持信噪比和失真比特殊输入/输出，即带高级功能的GPIO。
请参见GPIO。
转换开始帧开始串行外设接口，即为一种通信协议摆率静态随机存取存储器软件复位串行线调试，即为一种测试协议单线浏览器传输描述符，另请参见DMA总谐波失真互阻放大器 表42.本文档中使用的缩略语（续） 缩略语TRMTTLTXUARTUDBUSBUSBIO VDACWDTWOLWRESXRESXTAL 说明技术参考手册晶体管-晶体管逻辑发送通用异步发送器接收器，即为一种通信协议通用数字模块通用串行总线USB输入/输出，用于连接至USB端口的PSoC引脚电压数模转换器，另请参见DAC、IDAC看门狗定时器一次性写锁存器，另请参见NVL看门狗定时器复位外部复位I/O引脚晶体 文档编号：002-10632版本*
C 页37/40 文档规范 测量单位表43.测量单位 符号°CdBfFHzKBkbpsKhrkHzkΩkspsLSBMbpsMHzMΩMspsμAμFμHμsμVμWmAmsmVnAnsnV ΩpFppmpssspssqrtHzV 摄氏度分贝飞法赫兹1024个字节千比特每秒千小时千赫兹千欧千次采样每秒最低有效位每秒兆比特兆赫兆欧姆每秒兆次采样微安微法微亨微秒微伏微瓦毫安毫秒毫伏纳安纳秒纳伏欧姆皮法百万分率皮秒秒每秒采样数赫兹平方根伏特 测量单位 文档编号：002-10632版本*
C PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 页38/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 修订记录 文档标题：PSoC4：PSoC4000S系列数据手册可编程片上系统（PSoC）文档编号：002-10632 版本 ECN 提交日期 变更说明 ** 508862201/18/2016本文档版本号为Rev**，译自英文版002-00123Rev*
B。
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A 546687410/10/2016本文档版本号为Rev*
A，译自英文版002-00123Rev*
G。
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B 653027504/02/2019本文档版本号为Rev.*
B，译自英文版002-00123Rev.*
K。
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C 713775605/12/2021本文档版本号为Rev.*
C，译自英文版002-00123Rev.*
N。
文档编号：002-10632版本*
C 页39/40 PSoC4：PSoC4000S系列数据手册 销售、解决方案和法律信息 全球销售和设计支持 赛普拉斯公司拥有一个由办事处、解决方案中心、原厂代表和经销商组成的全球性网络。
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C 修订日期May12,2021 页40/40
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