模块主要有哪些部件组成？解答：主要有IGBT芯片、Diode芯片、DBC（绝缘基板）、铝线、硅凝胶、电极、外壳组成。
如下图：
2、斯达IGBT的种类？解答：按电压等极分：600V、1200V、1700V按电流等极分：50A、75A、100A、150A、200A、300A、400A……按结构分：SG（单管）、HF（半桥）、FF（三相桥）、PIM（七单元）……按特性分：Lowloss（低损耗快速）、Standard（标准）、Ultrafast（超快速）
3、斯达
L、K、U型模块有什么区别？解答：L系列是低损耗快系列，低导通压降，适合20KHz以下的开关频率；K系列是标准系列，介于中间，适合中频，优化于适合15-25KHz的开关频率；U系列是超快速系列，开关损耗小，适合20KHz以上的开关频率。

4、什么时候该用600V？1200V？1700V?
解答：主要是取决于母线的电压。
单相整流后约母线为300V左右考虑冗余一般都会选用600V系列的；三相整流后的母线约为540V一般都会选用1200V系列；有些特殊用途中，譬如机车牵引，其母线电压可以达700V以上，需要使用1700V系列。

5、斯达IGBT的设计领域？解答：电机控制、UPS:恒定负载、电焊机、风力发电、太阳能发电……
6、斯达半导体的命名规则？解答：例如GD75HFL120C1SGD：GD=IGBT模块75：标称电流Ic（@Tc=80℃）例如75=75A HF:电路结构特征SG=单管HF=半桥FF=三相桥 ……L：芯片特性 K=标准型IGBTU=超快速IGBTL=低损耗快速IGBT120：耐压/10,例如120=1200VC2：封装类型：C1=94mm×34mm×30mm，CUBaseC2=106mm×62mm×30mm，CUBaseC5=107mm×45mm×17mm，CUBaseC6=122mm×62mm×17mm，CUBaseS:筛选等级S=工业级H=高可靠性
7、斯达模块通态压降是多少？解答：我们的1200V的L系列通态压降为1.8左右，K系列的在2.2V左右，U系列为3.5左右，不同电流等极的稍微有点差异。

8、什么是硬开关和软开关？解答请参考图
一、图二：硬开关电压电流波形如图
一 图一功率器件硬开关过程 软件开关电压电流波形如图
二 图二功率器件软开关过程从图一可以看出，硬开关电路中，开启和关断过程中电流电压波形有叠加过程，产生了损耗；从图二中可以看出，软开关意味着在开通和关断过程中，电压和电流波形几乎不重叠，由此，导通和关断时的损耗降到很低。

9、IGBT开关损耗和通态损耗分别怎么计算？解答： 开关损耗:Pswitch=(Eon+Eoff)·fswitch通态损耗:Pcond=Vce·Ic·duty 10、如图
三，IGBT的电流波形在导通过程中出现Ir的原因是什么？解答：在IGBT模块导通过程中出现的尖峰Ir的原因是反并联的续流二极管存在反向恢复电流。
图三IGBT导通 11、如图
四，IGBT的电压波形在关断过程中出现了Ur的原因是什么？解答：IGBT在关断过程中出现了Ur的原因是因为杂散电感的存在，Vovershoot=Lstray×DI，而Vce=Vovershoot+VDC-Link。
杂散电感是由于电容到IGBT模块间的结 Dt构设计引起的。
使杂散电感减小的设计的原则是：正负电流靠近并且方向尽量平行。
Ur 图四IGBT关断 12、栅极电阻RG对IGBT的开关性能有哪些影响？解答：栅极电阻RG影响IGBT的开关速度，上升时间tr以及下降时间tf。
RG越大，则开关损耗越大，但是di/dt会变小，从而VCE过压减小。
而RG越小，则开关损耗越小，但di/dt会变大，从而VCE会变大。
在选择RG的时候要进行折中最优化，使开关损耗和VCE尖峰同时达到一个合理的值。