2x2TDFN封装的单节锂离子/锂聚合物电池充电管理控制器 特性 •完整的线性充电管理控制器：-集成调整管-集成的电流检测电路-集成的反向放电保护 •恒流/恒压工作•高精度预设电压稳压： -4.20V±0.75%•可编程充电电流： -MCP73830L：20mA–200mA-MCP73830：100mA–1000mA•通过软启动来避免浪涌电流•预充：-10%预充和无预充•固定经时定时器：0小时或4小时•固定预充定时器：1小时•自动再充电：一些选定器件无自动再充电选项•自动结束充电控制终止：-7.5%和10%•卸除输入电源时自动掉电•欠压锁定（UndervoltageLockout，UVLO）•芯片/充电使能引脚（CE）•封装：-TDFN-6（2x2mm）•温度范围：-40°C至+85°
C 应用 •蓝牙耳机•便携式媒体播放器•可再充电3D眼镜•玩具和游戏控制器 说明 MCP73830/L是高度集成的锂离子电池充电管理控制器，用于空间受限的应用。
MCP73830/L器件提供了针对单节锂离子/锂聚合物电池的特定充电算法，可在尽可能最短的充电时间内实现最佳的容量和安全性。
除了物理体积小之外，MCP73830/L还只需很少的外部元件，使它成为便携式应用的理想选择。
MCP73830L采用恒流/恒压充电算法。
稳流的恒定快速充电电流最低为20mA，使得可以设计小容量的锂离子电池和低供电电流应用。
快速充电恒流值使用外部电阻设置为20mA至200mA。
对于需要更快速恒流的应用，MCP73830/L最高支持1000mA的充电电流。
MCP73830/L提供了在高功率或高环境温度期间基于裸片温度限制充电电流的过热保护功能。
这种热调节功能可以优化充电周期时间，同时保持器件的可靠性。
MCP73830/L针对-40°C至+85°C环境温度范围内的规范已进行了详细规定。
MCP73830/L采用6引脚TDFN封装。
封装类型（俯视图） MCP73830/L2x2TDFN* VSS1 6PROG EP STAT2
7 5CE VBAT3 4VDD *包含裸露的散热焊盘（EP）；请参见表3-
1。
©2012MicrochipTechnologyInc. DS25049B_CN第1页 MCP73830/L 典型应用 稳压墙式适配器 功能框图 VDD 4.7µ
F 1kΩLoHi 4VDD 3VBAT 2STAT 5CE PROG64.7µF2kΩ VSS1 MCP73830/L + 单节锂离子电池- 方向控制 G=0.001 VBATPROG CA 充电VA STATCE UVLO、参考电压、 充电控制、定时器和状态逻辑 终止UVLO VSS +- +- +++ + 预充 VREF VREFVREF VREFVREF VREFVDD DS25049B_CN第2页 ©2012MicrochipTechnologyInc. MCP73830/L 1.0电气特性 绝对最大额定值† VDD...................................................................................7.0V
所有输入和输出相对于VSS的电压...-0.3至（VDD+0.3）V最高结温，TJ...........................................................内部限制储存温度.......................................................-65°C至+150°C所有引脚上的ESD保护人体模型（1.5kΩ与100pF串联）.................................≥2kV机器模型（200pF，无串联电阻）..................................300V †注：如果器件工作条件超过上述“最大额定值”，可能引起器件永久性损坏。
这仅是极限参数，我们不建议器件工作在极限值甚至超过上述极限值。
器件长时间工作在额定最大值条件下，其稳定性可能受到影响。
直流特性 电气规范：除非另外声明，否则所有限制值均在VDD=[VREG（典型值）+0.3V]至6V，TA=-40°C至+85°C的条件下适用。
典型值的条件为+25°
C，VDD=[VREG（典型值）+1.0V]。
参数 符号 最小值 典型值 最大值单位 条件 电源输入 输入电压范围 VDD 供电电流 ISS 电池放电电流输出反向泄漏电流 IDISCHARGE 3.75——— — 欠压锁定 UVLO启动阈值 VSTART UVLO停止阈值 VSTOP UVLO滞后 VHYS 电压稳压（恒压模式） 稳压输出电压选项 VREG — 3.453.15— — 输出电压容差线路稳压 负载稳压 VRTOL |(ΔVBAT/VBAT)/ΔVDD| |ΔVBAT/VBAT| -0.75— — 电源纹波衰减 PSRR 注1：未经生产测试。
通过设计保证。
—0.650025 10 0.5 0.5 3.63.3300 4.20—0.20.2 5247 62 90050 15 — — 3.753.45— VµA关断； VDD≤VSTOP-300mVµA充电µA待机；CE=VDD µA充电完成；存在VDD µA关断（VDD≤VBAT或VDD典型值的条件为+25°
C，VDD=[VREG（典型值）+1.0V]。
参数 符号 最小值 典型值 最大值单位 条件 电流稳流（快速充电，恒流模式） 快速充电电流稳流 IREG 20 — 200mA MCP73830L — 20 — mAPROG=10kΩ — 200 — mAPROG=1kΩ 快速充电电流稳流 IREG 100 — 1000mA MCP73830 — 100 — mAPROG=10kΩ — 1000 — mAPROG=1kΩ 充电电流容差 IRTOL — 10 — 预充电流稳流（涓流充电恒流模式） 预充电流比 IPREG/IREG — 10 — — 100 — 预充电压阈值比 VPTH/VREG 70 72 75 预充滞后充电终止充电终止电流比 VPHYSITERM/IREG 自动再充电再充电电压阈值比 VRTH/VREG 调整管导通电阻 导通电阻 RDSON 状态指示器——STAT 灌电流低输出电压输入泄漏电流 ISINKVOLILK PROG输入 充电阻抗范围自动掉电 RPROG 自动掉电进入阈值VPDENTRY 自动掉电退出阈值 VPDEXIT — 100 — 5.6 7.5 9.4
8 10 12 94.5 96.5 98.5 —
0 — — 500 — — 16 30 — 0.4
1 — 0.01
1 1 — 10 —
VBAT+50mV——VBAT+150mV— %VDD=4.5V，TA=-5°C至+55°
C %PROG=1kΩ至10kΩ%无预充%VBAT从低到高 TA=-5°C至+55°CmV %PROG=1kΩ至10kΩ%VDD=4.5V，TA=-5°C至+55°
C %VBAT从高到低%无自动再充电 mΩVDD=4.5V，TJ=105°C（注1） mAVISINK=4mAµA高阻抗，VDD在引脚上 kΩ VVDD下降VVDD上升 充电使能（CE） 输入高电压电平 TSD 1.5 — 输入低电压电平 VIL — — 输入泄漏电流 ILK —
5 注1：未经生产测试。
通过设计保证。
—
V 0.8
V 8 µAVDD=5V TA=-5°C至+55°
C DS25049B_CN第4页 ©2012MicrochipTechnologyInc. MCP73830/L 直流特性（续） 电气规范：除非另外声明，否则所有限制值均在VDD=[VREG（典型值）+0.3V]至6V，TA=-40°C至+85°C的条件下适用。
典型值的条件为+25°
C，VDD=[VREG（典型值）+1.0V]。
参数 符号 最小值 典型值 最大值单位 条件 热关断 裸片温度 TSD — 150 裸片温度滞后 TSDHYS — 10 注1：未经生产测试。
通过设计保证。
— °
C — °
C 交流特性 电气规范：除非另外声明，否则所有限制值均在VDD=[VREG（典型值）+0.3V]至6V，TA=-40°C至+85°C的条件下适用。
典型值的条件为+25°
C，VDD=[VREG（典型值）+1.0V] 参数 符号 最小值典型值最大值单位 条件 经时定时器 经时定时器周期 tELAPSED —
0 — 小时定时器被禁止 3.5 4.0 4.5 小时 预充定时器 预充定时器周期 tPRECHG 0.8
1 1.2 小时定时器被禁止 状态指示器 状态输出关闭 tOFF — — 500 µsISINK=1mA至0mA（注1） 状态输出开启 tON — — 500 µsISINK=0mA至1mA（注1） 注1：未经生产测试。
通过设计保证。
温度规范 电气规范：除非另外声明，否则所有限制值均在VDD=[VREG（典型值）+0.3V]至6V的条件下适用。
典型值的条件为+25°
C，VDD=[VREG（典型值）+1.0V] 参数 符号最小值典型值最大值单位 条件 温度范围规定温度范围工作温度范围储存温度范围封装热阻热阻，TDFN-6（2x2） TA -40 — +85 °
C TJ -40 — +125 °
C TA -65 — +150 °
C θJA — 91 — °C/W
4层JC51-7标准电路板， 自然对流 ©2012MicrochipTechnologyInc. DS25049B_CN第5页 MCP73830/L 注： DS25049B_CN第6页 ©2012MicrochipTechnologyInc. MCP73830/L 2.0 注： 典型性能曲线 以下图表来自有限数量样本的统计结果，仅供参考。
此处列出的性能特性未经测试，不做任何保证。
一些图表中列出的数据可能超出规定的工作范围（例如，超出了规定的电源范围），因此不在担保范围内。
注：除非另外声明，否则VDD=[VREG（典型值）+1V]，IOUT=30mA，TA=+25°
C，恒压模式。
图2-1： 电池稳压电压（VBAT）— 电源电压（VDD）曲线 4.30 4.25 4.20 VREG(V) 4.15 4.104.05 IOUT=100mAVDD=5.2V 4.00-45-35-25-15-551525354555657585Temp(°C) 图2-2： 电池稳压电压（VBAT）— 环境温度（TA）曲线 4.30 4.25 4.20 VREG(V) 4.15 4.104.05 IOUT=30mAVDD=5.2V 4.00-45-35-25-15-
5 51525354555657585Temp(°C) 图2-3： 电池稳压电压（VBAT）— 环境温度（TA）曲线 图2-4： 电池稳压电压（VBAT）— 充电电流（IOUT）曲线 图2-5： 充电电流（IOUT）—设定电 阻（RPROG）曲线，MCP73830L IDIS(µA) 5.04.8VVDBDAT==V3R.E2GV4.64.44.24.03.83.63.43.23.0 -40-30-20-1001020304050607080 Temp(°C) 图2-6： 输出泄漏电流 （IDISCHARGE）—环境温度（TA）曲线 ©2012MicrochipTechnologyInc. DS25049B_CN第7页 MCP73830/L 注：除非另外声明，否则VDD=[VREG（典型值）+1V]，IOUT=10mA，TA=+25°
C，恒压模式。
IDIS(µA)IREG(mA) 7.06.6VVDBDAT==V4R.E0GV6.25.85.45.04.64.23.83.43.0 -40-30-20-1001020304050607080 Temp(°C) 图2-7： 输出泄漏电流 （IDISCHARGE）—环境温度（TA）曲线 300 275 250 225 200175 VDD=5.2VRPROG=4kŸ 150-45-35-25-15-
5 51525354555657585Temp(°C) 图2-10： 充电电流（IOUT）—环境温 度（TA）曲线，MCP73830 图2-8： 输出泄漏电流 （IDISCHARGE）—电池稳压电压（VBAT）曲线 1200 1100 IREG(mA) 1000 900 800700 VDD=5.2VRPROG=1kŸ -45-35-25-15-551525354555657585 Temp(°C) 图2-9： 充电电流（IOUT）—环境温 度（TA）曲线，MCP73830 图2-11： 充电电流（IOUT）—电源电 压（VDD）曲线，MCP73830 图2-12： 充电电流（IOUT）—电源电 压（VDD）曲线，MCP73830 DS25049B_CN第8页 ©2012MicrochipTechnologyInc. MCP73830/L 3.0引脚说明 表3-1列出了引脚说明。
表3-1： 引脚功能表 MCP73830/L 符号TDFN
1 VSS
2 STAT
3 VBAT
4 VDD
5 CE
6 PROG
7 EP I/O 功能 —电池管理0V参考电压。
O电池充电状态输出。
I/O充电控制输出。
使充电电流和电池电压保持稳定。
在关断模式期间，该引脚 会被断开。
I输入电源。
I充电使能引脚。
可将该引脚拉为高电平来禁止器件。
它在内部被下拉。
如果不使用，则将该引脚保留悬空。
I/O电池充电电流稳流设定。
—裸露焊盘。
3.1电池管理输入电源（VDD） 建议使用[VREG（典型值）+0.3V]至6.0V的电源电压。
使用最低1µF的电容旁路至VSS。
3.2电池充电控制输出（VBAT） 连接到电池的正极。
使用最低1µF的电容旁路至VSS，以确保电池断开时的环路稳定性。
3.3电池管理0V参考电压（VSS） 连接到电池和输入电源的负极。
3.4状态输出（STAT） STAT是连接到LED的漏极开路逻辑输出，用于独立应用中的充电状态指示。
或者，也可以连接一个上拉电阻，用以连接主机单片机。
关于充电周期期间的状态输出的汇总，请参见表5-
1。
3.5电流稳流设置（PROG） 在恒流（ConstantCurrent，CC）模式下，快速充电电流通过在PROG和VSS之间放置一个电阻来设置。
详情请参见第5.4节“恒流模式——快速充电”。
3.6充电使能（CE） MCP73830/L总是使用内部下拉电阻使能。
将CE引脚拉为高电平会进入待机模式。
3.7裸露焊盘（EP） 裸露的散热焊盘（EP）应连接到印刷电路板（PrintedCircuitBoard，PCB）上的裸露铜箔区域，以增强散热效果。
在MCP73830/L器件下方的铜箔区域提供额外的过孔可以提高散热性能和简化组装过程。
©2012MicrochipTechnologyInc. DS25049B_CN第9页 MCP73830/L 注： DS25049B_CN第10页 ©2012MicrochipTechnologyInc. 4.0器件概述 MCP73830/L是简单但完全集成的线性充电管理控制器。
图4-1给出了工作流程算法的图示。
关断模式VDD<（UVLO）VDD<（VBAT）*VBAT>96.5%VREGSTAT=高阻态 MCP73830/L *持续监视 预充定时器故障无充电电流 STAT=闪烁（2Hz）预充定时器暂停 定时器故障无充电电流STAT=高阻态定时器暂停 图4-1： MCP73830/L流程图 待机模式*CE=高电平STAT=高阻态 CE=低电平VBAT>VPTH CE=低电平VBAT=VPTH 恒流模式充电电流=IPREGSTAT=低电平预充定时器暂停经时定时器使能 VBAT=VREG 恒压模式充电电压=VREGSTAT=低电平 IBAT如果在施加输入电源电压时存在电池，则输入电源电压必须升至比电池电压高约150mV之后，MCP73830/L器件才会正常工作。
如果输入电源电压降至比电池电压高约150mV以内，则UVLO电路会将器件置为关断模式。
UVLO电路总是处于工作状态。
每当输入电源电压低于UVLO阈值或比VBAT引脚电压高约150mV以内时，MCP73830/L器件会被置为关断模式。
5.2充电限定 当施加输入电源电压时，输入电源电压必须升至比电池电压高150mV之后，MCP73830/L才会正常工作。
如果输入电源电压降至电池电压的+50mV范围以内，则自动掉电电路会将器件置为关断模式。
自动掉电电路总是处于工作状态。
每当输入电源电压处于VBAT引脚电压的+50mV范围以内时，MCP73830/L会被置为关断模式。
要使充电周期开始，必须满足自动掉电条件，并且充电使能输入必须高于输入高阈值。
电池电压应小于VREG的96.5%。
5.2.1 电池管理输入电源（VDD） VDD输入是MCP73830/L的输入电源。
如果VDD输入上的电压降至电池电压的+50mV范围以内，则MCP73830/L会自动进入掉电模式。
该功能可以防止在VDD电源不存在时电池组电量用尽。
5.2.2 电池充电控制输出（VBAT） 电池充电控制输出是内部P沟道MOSFET的漏极端。
MCP73830/L通过在线性区中控制该MOSFET来对电池组进行恒流和恒压调节。
电池充电控制输出应连接到 电池组的正极。
MCP73830/L 5.2.3电池检测MCP73830/L器件通过监视VBAT上的电压来检测是否存在电池。
当VBAT上的电压拉至低于VRECHARGE阈值时，将启动充电流程。
关于VRECHARGE的值，请参见第1.0节“电气特性”。
该值对于不可再充电器件是相同的。
当VBAT>VREG+滞后时，充电将暂停或不启动（取决于具体条件），以防止可能发生的过充电。
5.3预充 如果VBAT引脚上的电压小于预充阈值，则MCP73830/L器件会进入预充模式。
预充阈值在出厂时设置。
关于预充阈值选项，请参见第1.0节“电气特性”。
在该模式下，MCP73830/L器件会向电池提供快速充电电流的10%（使用连接到PROG引脚的电阻值设定）。
当VBAT引脚上的电压升至高于预充阈值时，MCP73830/L器件会进入恒流（快速充电）模式。
注：MCP73830/L还提供无预充选项的器件。
5.3.1定时器在预充模式期间计时结束如果内部定时器在达到快速充电模式的电压阈值之前计时结束，则会指示发生定时器故障，并且充电周期会终止。
MCP73830/L器件将一直保持该状态，直到卸除电池、输入电源关闭再开启，或CE发生翻转为止。
如果卸除电池，则MCP73830/L器件会进入待机模式并保持该模式，直到重新插入电池为止。
注：MCP73830/L的典型预充定时器为60分钟。
MCP73830/L还提供无预充定时器选项的器件。
©2012MicrochipTechnologyInc. DS25049B_CN第13页 MCP73830/L 5.4恒流模式——快速充电 在恒流模式下，将向电池或负载提供设定的充电电流。
充电电流使用从PROG到VSS的单个电阻设定。
设定电阻和充电电流使用以下公式计算： 公式5-1： 其中：RPROGIREG MCP73830L
I =------2---0---0-------- REGRPROG =千欧（kΩ）=毫安（mA） 公式5-2： 其中：RPROGIREG MCP73830
I =-----1---0---0---0------ REGRPROG =千欧（kΩ）=毫安（mA） 在VBAT引脚电压达到稳压电压VREG之前，将一直保持恒流模式。
当调用恒流模式时，内部定时器会复位。
5.4.1 定时器在恒流（快速充电模式）期间计时结束 如果内部的4小时定时器在达到再充电电压阈值之前计时结束，则会指示发生定时器故障，并且充电周期会终 止。
MCP73830/L器件将一直保持该状态，直到重新插入电池、输入电源或CE关闭再开启为止。
5.5恒压模式 当VBAT引脚上的电压达到稳压电压VREG时，将开始恒压稳压。
稳压电压在出厂时设置为4.2V，其容差为±0.75%。
5.6充电终止 在恒压模式下，当平均充电电流降至低于根据快速充电电流的7.5%或10%设定的阈值时，或内部定时器计时结束时，充电周期会终止。
终止比较器上存在1ms的滤波器时间，可确保瞬态负载条件不会导致充电周期提前终止。
定时器周期在出厂时设置，此外也提供无定时器的选项。
关于定时器周期选项，请参见第1.0节“电气特性”。
5.7自动再充电 在充电完成模式期间，具有自动再充电选项的MCP73830/L器件会持续监视VBAT引脚上的电压。
如果电压降至低于再充电阈值，则将会开始另一个充电周期，再一次向电池或负载提供电流。
再充电阈值在出厂时设置。
关于再充电阈值选项，请参见第1.0节“电气特性”。
注： MCP73830/L还提供无自动再充电选项的器件。
对于无再充电选项的MCP73830/L，在满足终止条件时，器件将进入待机模式。
只有满足以下条件之一时，才会重新开始充电： •从系统中卸除电池，然后重新插入。
•卸除VDD并重新插入。
•CE关闭再开启。
5.8热调节 MCP73830/L会基于裸片温度限制充电电流。
热调节可以优化充电周期时间，同时保持器件的可靠性。
图5-1给出了MCP73830/L器件热调节的图示。
关于封装热阻，请参见第1.0节“电气特性”；关于功耗计算，请参见第6.1.1.2节“散热考虑”。
. MaximumChargeCurrent(mA) 300250200150100 5000 Mimimum Maximum 30 60 90 120 150 JunctionTemperature(C) 图5-1： 热调节 DS25049B_CN第14页 ©2012MicrochipTechnologyInc. 5.9热关断 如果裸片温度超出+150°
C，则MCP73830/L会暂停充电。
当裸片温度降低大约10°C后，将会继续充电。
热关断是在热调节电路发生故障时起作用的辅助安全功能。
5.10状态指示器 MCP73830/L的充电状态输出是漏极开路输出，因而具有两种不同的状态：低电平（L）和高阻抗（Hi-Z）。
充电状态输出可用于点亮LED。
或者，充电状态输出也可以用作主机单片机的接口。
预充定时器的故障指示（无法在给定时间内超过预充阈值）也可以指示电池故障。
表5-1总结了充电周期期间状态输出的状态。
表5-1： 状态输出 充电周期状态 关断不存在电池预充恒流快速充电恒压充电完成——待机 定时器故障预充定时器故障 STAT 高阻态高阻态低电平低电平低电平高阻态高阻态闪烁（2Hz） MCP73830/L ©2012MicrochipTechnologyInc. DS25049B_CN第15页 MCP73830/L 注： DS25049B_CN第16页 ©2012MicrochipTechnologyInc. 6.0应用 MCP73830设计为与主机单片机配合工作，或在独立应用中工作。
MCP73830/L提供了适用于双节锂离子或锂 MCP73830/L 聚合物电池的先恒流后恒压的首选充电算法。
图6-1给出了典型独立应用电路的图示，图6-2给出了伴随的充电曲线。
稳压墙式适配器 4.7µ
F 4VDD 1kΩ 2STAT 3VBAT PROG6 4.7µF2kΩ + 单节锂离子电池- LoHi 5CE VSS1 MCP73830/L 图6-1： 典型应用电路 6.1.1.1充电电流 锂离子/锂聚合物电池的首选快速充电电流为低于1C速率，且绝对最大电流为2C速率。
建议的快速充电电流应从电池制造商处了解。
例如，首选快速充电电流为0.7C的500mAh电池组的充电电流为350mA。
以该速率进行充电可以实现最短的充电周期时间，并且不会降低电池组性能或寿命。
图6-2：（锂离子电池） 典型充电曲线 6.1应用电路设计 由于线性充电的效率较低，所以最重要的因素是热设计和成本，它们是输入电压、输出电流以及电池充电器与环境冷却空气之间热阻抗的直接函数。
最坏情形出现在器件从预充模式转换为恒流模式时。
此时，电池充电器需要耗散的功率达到最大值。
必须在充电器的充电电流、成本和散热需求之间作出折衷。
6.1.1元件选择 图6-1中外部元件的选择对于充电系统的完整性和可靠性至关重要。
以下讨论旨在作为元件选择过程的指导。
注：关于首选的充电速率，请咨询您的电池供应商，或请参见电池数据手册。
6.1.1.2散热考虑电池充电器最坏情形的功耗出现在输入电压达到最大值且器件已从预充模式转换为恒流模式时。
此时，功耗为： 公式6-1： Po功w耗er=(VDDMAX–VPTHMIN)×IREGMAX 其中： VDDMAX=最大输入电压IREGMAX=最大快速充电电流VPTHMIN=最小转换阈值电压 ©2012MicrochipTechnologyInc. DS25049B_CN第17页 MCP73830/L 使用5V（±10%）输入电压源，电流为200mA（±10%），预充阈值电压为6V时的功耗为： 公式6-2： Power功D耗is=(5.5V–3.0V)×220mA=0.55W· 对于采用2x2TDFN-6封装的电池充电器，该功耗将导致比室温高约33°C的温度。
6.1.1.3外部电容 MCP73830在有无电池负载时都很稳定。
为了在恒压模式下保持良好的交流稳定性，建议使用最低1µF的电容将VBAT引脚旁路到VSS。
该电容可以在无电池负载时提供补偿。
此外，电池和互连在高频时表现为感性。
在恒压模式下，这些元件处于控制反馈环路中。
因此，可能需要旁路电容来补偿电池组的感性特性。
对于典型应用，建议对输出电容采用额定电压最低为16V的1µF电容，对输入电容采用额定电压最低为25V的1µF电容。
表6-1： MLCC电容示例 MLCC电容 温度范围 容差 X7R -55°C至+125°
C ±15% X5R -55°C至+85°
C ±15% 器件几乎可以使用任何质量良好的输出滤波电容，无论 电容的最小有效串联电阻（EffectiveSeriesResistance， ESR）值如何。
电容的实际值（及其相关联的ESR）取 决于输出负载电流。
在输出上采用1µF陶瓷电容、钽电 容或铝电解电容通常就足以确保稳定性。
6.1.1.4反向阻断保护 MCP73830/L提供了防止故障或短路输入的保护。
无此保护措施时，故障或短路输入会通过内部调整管的体二极管对电池组放电。
6.2PCB布线问题 为了实现最佳的稳压效果，需要将电池组尽可能靠近器件的VBAT和VSS引脚，建议采用这种做法，以最大程度减小沿高载流PCB走线的压降。
如果使用PCB布线进行散热，在散热焊盘上增加许多过孔可以帮助将更多热量传导到PCB的底板，从而降低最高结温。
图6-4和图6-5给出了通过PCB散热的典型布线方式。
图6-3： 典型布线（顶部） 图6-4： 典型布线（顶部金属） DS25049B_CN第18页 ©2012MicrochipTechnologyInc. MCP73830/L 图6-5： 典型布线（底部） ©2012MicrochipTechnologyInc. DS25049B_CN第19页 MCP73830/L 注： DS25049B_CN第20页 ©2012MicrochipTechnologyInc. 7.0封装信息 7.1封装标识信息 6引脚TDFN（2x2mm） XXXNNN 部件编号 代码 MCP73830T-2AAI/MYY 2AA MCP73830LT-0AAI/MYY0AA MCP73830LT-0BCI/MYY0BC MCP73830/L 示例 0AA256 图注： XX...XYYYWWNNNe3* 客户指定信息年份代码（日历年的最后一位数字） 年份代码（日历年的最后两位数字）星期代码（一月一日的星期代码为“01”）以字母数字排序的追踪代码雾锡（MatteTin，Sn）的JEDEC无铅标志表示无铅封装。
JEDEC无铅标志（e3）标示于此种封装的外包装上。
注：Microchip部件编号如果无法在同一行内完整标注，将换行标出，因此会限制表示客户指定信息的字符数。
©2012MicrochipTechnologyInc. DS25049B_CN第21页 MCP73830/L 6引脚塑封薄型双列扁平无引线封装（MY）——主体2x2x0.8mm[TDFN] N注o：te: F最or新th封e装mo图s请tc至urrhetntpt:p//awcwkawg.meidcrraowchinipg.sc,opmle/paasceksaegeintghe查M看hroipchPiapc封ka装gi规ng范
S。
pecificationlocatedat/packaging DS25049B_CN第22页 ©2012MicrochipTechnologyInc. MCP73830/L 6引脚塑封薄型双列扁平无引线封装（MY）——主体2x2x0.8mm[TDFN] 注No：te: F最o新rth封e装m图os请tc至urrhetntpt:p//awcwkwag.meidcrroacwhinipg.sc,opmle/paascekasegeingth查eM看rhoipchPipac封ka装gi规ng范
S。
pecificationlocatedat/packaging ©2012MicrochipTechnologyInc. DS25049B_CN第23页 MCP73830/L 注： DS25049B_CN第24页 ©2012MicrochipTechnologyInc. 附录A： 版本历史 版本B（2011年12月） 以下是修改清单：
1.更新了图4-
1。

2.从产品标识体系章节中删除了MCP73830和 MCP73830L选项。
版本A（2011年9月） •本文档的初始版本。
MCP73830/L ©2012MicrochipTechnologyInc. DS25049B_CN第25页 MCP73830/L 注： DS25049B_CN第26页 ©2012MicrochipTechnologyInc. MCP73830/L 产品标识体系 欲订货或获取价格、交货等信息，请与我公司生产厂或各销售办事处联系。
部件编号 -XXX
X XX 器件 标准选项温度范围 封装 器件： MCP73830T：单节锂离子/锂聚合物电池器件，卷带式 MCP73830LT：单节锂离子/锂聚合物电池器件，卷带式 示例： a)MCP73830T-2AAI/MYY：卷带式，单节锂离子/锂聚合物电池器件 b)MCP73830LT-0AAI/MYY：卷带式，单节锂离子/锂聚合物电池器件 c)MCP73830LT-0BCI/MYY：卷带式，单节锂离子/锂聚合物电池器件 标准选项： IREG（mA） VREG（V） ITERM（%） RTH（%） IPRECONDITION（%） VPRECONDITION（%） MCP73830LT0AA200 4.2 MCP73830LT0BC200 4.2 MCP73830T2AA1000 4.2 10 71.5 7.5 96.5 100 71.5 10 96.5 10 71.5 7.5 96.5 温度范围： I=-40°C至+85°C（工业级） 封装： MY=塑封薄型双列扁平无引线封装，主体2x2x0.8mm（TDFN），6引脚 *Y=镍钯金制造标识符。
仅针对TDFN封装提供。
©2012MicrochipTechnologyInc. DS25049B_CN第27页 MCP73830/L 注： DS25049B_CN第28页 ©2012MicrochipTechnologyInc. 请注意以下有关Microchip器件代码保护功能的要点：•Microchip的产品均达到Microchip数据手册中所述的技术指标。
•Microchip确信：在正常使用的情况下，Microchip系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之
一。
•目前，仍存在着恶意、甚至是非法破坏代码保护功能的行为。
就我们所知，所有这些行为都不是以Microchip数据手册中规定的操作规范来使用Microchip产品的。
这样做的人极可能侵犯了知识产权。
•Microchip愿与那些注重代码完整性的客户合作。
•Microchip或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性。
代码保护并不意味着我们保证产品是“牢不可破”的。
代码保护功能处于持续发展中。
Microchip承诺将不断改进产品的代码保护功能。
任何试图破坏Microchip代码保护功能的行为均可视为违反了《数字器件千年版权法案（DigitalMillenniumCopyrightAct）》。
如果这种行为导致他人在未经授权的情况下，能访问您的软件或其他受版权保护的成果，您有权依据该法案提起诉讼，从而制止这种行为。
提供本文档的中文版本仅为了便于理解。
请勿忽视文档中包含 的英文部分，因为其中提供了有关Microchip产品性能和使用情况的有用信息。
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商标 Microchip的名称和徽标组合、Microchip徽标、dsPIC、KEELOQ、KEELOQ徽标、MPLAB、PIC、PICmicro、PICSTART、PIC32徽标、rfPIC和UNI/O均为MicrochipTechnologyInc.在美国和其他国家或地区的注册商标。
FilterLab、Hampshire、HI-TECHC、LinearActiveThermistor、MXDEV、MXLAB、SEEVAL和TheEmbeddedControlSolutionsCompany均为MicrochipTechnologyInc.在美国的注册商标。
Analog-for-the-DigitalAge、ApplicationMaestro、chipKIT、chipKIT徽标、CodeGuard、dsPICDEM、、dsPICworks、dsSPEAK、ECAN、ECONOMONITOR、FanSense、HI-TIDE、In-CircuitSerialProgramming、ICSP、Mindi、MiWi、MPASM、MPLABCertified徽标、MPLIB、MPLINK、mTouch、OmniscientCodeGeneration、PICC、PICC-18、PICDEM、、PICkit、PICtail、REALICE、rfLAB、SelectMode、TotalEndurance、TSHARC、UniWinDriver、WiperLock和ZENA均为MicrochipTechnologyInc.在美国和其他国家或地区的商标。
SQTP是MicrochipTechnologyInc.在美国的服务标记。
在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有。
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ISBN：978-1-62076-323-
0 QUALITYMANAGEMENTSYSTEMCERTIFIEDBYDNV ==ISO/TS16949== Microchip位于美国亚利桑那州Chandler和Tempe与位于俄勒冈州Gresham的全球总部、设计和晶圆生产厂及位于美国加利福尼亚州和印度的设计中心均通过了ISO/TS-16949:2009认证。
Microchip的PIC®MCU与dsPIC®DSC、KEELOQ®跳码器件、串行EEPROM、单片机外设、非易失性存储器和模拟产品严格遵守公司的质量体系流程。
此外，Microchip在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了ISO9001:2000认证。
©2012MicrochipTechnologyInc. DS25049B_CN第29页 美洲 公司总部CorporateOffice2355WestChandlerBlvd.Chandler,AZ85224-6199Tel:1-480-792-7200Fax:1-480-792-7277技术支持：/support网址： 亚特兰大AtlantaDuluth,GATel:1-678-957-9614Fax:1-678-957-1455 波士顿BostonWestborough,MATel:1-774-760-0087Fax:1-774-760-0088 芝加哥ChicagoItasca,ILTel:1-630-285-0071Fax:1-630-285-0075 克里夫兰ClevelandIndependence,OHTel:1-216-447-0464Fax:1-216-447-0643达拉斯DallasAddison,TXTel:1-972-818-7423Fax:1-972-818-2924 底特律DetroitFarmingtonHills,MITel:1-248-538-2250Fax:1-248-538-2260 印第安纳波利斯IndianapolisNoblesville,INTel:1-317-773-8323Fax:1-317-773-5453 洛杉矶LosAngelesMissionViejo,CATel:1-949-462-9523Fax:1-949-462-9608 圣克拉拉SantaClaraSantaClara,CATel:1-408-961-6444Fax:1-408-961-6445 加拿大多伦多TorontoMississauga,Ontario,CanadaTel:1-905-673-0699Fax:1-905-673-6509 全球销售及服务网点 亚太地区 亚太总部AsiaPacificOfficeSuites3707-14,37thFloorTower6,TheGatewayHarbourCity,KowloonHongKongTel:852-2401-1200Fax:852-2401-3431 中国-北京Tel:86-10-8569-7000Fax:86-10-8528-2104 中国-成都Tel:86-28-8665-5511Fax:86-28-8665-7889 中国-重庆Tel:86-23-8980-9588Fax:86-23-8980-9500 中国-杭州Tel:86-571-2819-3187Fax:86-571-2819-3189 中国-香港特别行政区Tel:852-2401-1200Fax:852-2401-3431 中国-南京Tel:86-25-8473-2460Fax:86-25-8473-2470 中国-青岛Tel:86-532-8502-7355Fax:86-532-8502-7205 中国-上海Tel:86-21-5407-5533Fax:86-21-5407-5066 中国-沈阳Tel:86-24-2334-2829Fax:86-24-2334-2393 中国-深圳Tel:86-755-8203-2660Fax:86-755-8203-1760 中国-武汉Tel:86-27-5980-5300Fax:86-27-5980-5118 中国-西安Tel:86-29-8833-7252Fax:86-29-8833-7256 中国-厦门Tel:86-592-238-8138Fax:86-592-238-8130 中国-珠海Tel:86-756-321-0040Fax:86-756-321-0049 亚太地区 台湾地区-高雄Tel:886-7-536-4818Fax:886-7-330-9305 台湾地区-台北Tel:886-2-2500-6610Fax:886-2-2508-0102 台湾地区-新竹Tel:886-3-5778-366Fax:886-3-5770-955 澳大利亚Australia-SydneyTel:61-2-9868-6733Fax:61-2-9868-6755 印度India-BangaloreTel:91-80-3090-4444Fax:91-80-3090-4123 印度India-NewDelhiTel:91-11-4160-8631Fax:91-11-4160-8632 印度India-PuneTel:91-20-2566-1512Fax:91-20-2566-1513日本Japan-OsakaTel:81-66-152-7160Fax:81-66-152-9310 日本Japan-YokohamaTel:81-45-471-6166Fax:81-45-471-6122 韩国Korea-DaeguTel:82-53-744-4301Fax:82-53-744-4302 韩国Korea-SeoulTel:82-2-554-7200Fax:82-2-558-5932或82-2-558-5934 马来西亚Malaysia-KualaLumpurTel:60-3-6201-9857Fax:60-3-6201-9859 马来西亚Malaysia-PenangTel:60-4-227-8870Fax:60-4-227-4068 菲律宾Philippines-ManilaTel:63-2-634-9065Fax:63-2-634-9069 新加坡SingaporeTel:65-6334-8870Fax:65-6334-8850 泰国Thailand-BangkokTel:66-2-694-1351Fax:66-2-694-1350 欧洲 奥地利Austria-WelsTel:43-7242-2244-39Fax:43-7242-2244-393丹麦Denmark-CopenhagenTel:45-4450-2828Fax:45-4485-2829法国France-ParisTel:33-1-69-53-63-20Fax:33-1-69-30-90-79德国Germany-MunichTel:49-89-627-144-0Fax:49-89-627-144-44意大利Italy-MilanTel:39-0331-742611Fax:39-0331-466781荷兰Netherlands-DrunenTel:31-416-690399Fax:31-416-690340西班牙Spain-MadridTel:34-91-708-08-90Fax:34-91-708-08-91英国UK-WokinghamTel:44-118-921-5869Fax:44-118-921-5820 11/29/11 DS25049B_CN第30页 ©2012MicrochipTechnologyInc.