CPU特性
...............................................................................................................................
6周边特性................................................................................................................................
6 概述.................................................................................................................................7
选型表.............................................................................................................................7
方框图.............................................................................................................................8
引脚图.............................................................................................................................8
引脚说明.......................................................................................................................10
极限参数.......................................................................................................................14
直流电气特性...............................................................................................................15 工作电压特性
......................................................................................................................
15待机电流特性......................................................................................................................
15工作电流特性......................................................................................................................
16 交流电气特性...............................................................................................................16内部高速RC振荡器HIRC频率精准度...........................................................................16内部低速振荡器电气特性–LIRC.....................................................................................17工作频率电气特性曲线图
..................................................................................................
17系统上电时间电气特性.....................................................................................................
17 输入/输出口电气特性................................................................................................18存储器电气特性...........................................................................................................18
LVR电气特性..............................................................................................................19
上电复位特性...............................................................................................................19
系统结构.......................................................................................................................20 时序和流水线结构
..............................................................................................................
20程序计数器..........................................................................................................................
21堆栈......................................................................................................................................
21算术逻辑单元–ALU..........................................................................................................
22 Flash程序存储器.........................................................................................................22结构
......................................................................................................................................
22特殊向量..............................................................................................................................
22查表......................................................................................................................................
22查表范例..............................................................................................................................
23在线烧录–ICP....................................................................................................................
24片上调试–OCDS................................................................................................................
24 数据存储器...................................................................................................................25结构
......................................................................................................................................
25通用数据存储器..................................................................................................................
26特殊功能数据存储器..........................................................................................................
26 特殊功能寄存器...........................................................................................................30间接寻址寄存器–IAR0,IAR1..........................................................................................30 Rev.1.40
2 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 存储器指针–MP0,
MP1.....................................................................................................
30存储区指针–BP.................................................................................................................
31累加器–ACC......................................................................................................................
31程序计数器低字节寄存器–PCL.......................................................................................31表格寄存器–TBLP,TBHP,TBLH.....................................................................................32状态寄存器–STATUS........................................................................................................
32 EEPROM数据存储器.................................................................................................34EEPROM数据存储器结构
.................................................................................................
34EEPROM寄存器.................................................................................................................
34从EEPROM中读取数据....................................................................................................
35写数据到EEPROM.............................................................................................................
36写保护..................................................................................................................................
36EEPROM中断.....................................................................................................................
36编程注意事项......................................................................................................................
36 振荡器...........................................................................................................................37振荡器概述
..........................................................................................................................
37系统时钟配置......................................................................................................................
37内部高速RC振荡器–HIRC.............................................................................................
38内部32kHz振荡器–LIRC................................................................................................
38 工作模式和系统时钟...................................................................................................39系统时钟
..............................................................................................................................
39系统工作模式......................................................................................................................
39控制寄存器..........................................................................................................................
40工作模式转换......................................................................................................................
42待机电流注意事项..............................................................................................................
45唤醒......................................................................................................................................
45编程注意事项......................................................................................................................
45 看门狗定时器...............................................................................................................46看门狗定时器时钟源
..........................................................................................................
46看门狗定时器控制寄存器..................................................................................................
46看门狗定时器操作..............................................................................................................
47 复位和初始化...............................................................................................................48复位功能
..............................................................................................................................
48复位初始状态......................................................................................................................
50 输入/输出端口............................................................................................................53上拉电阻
..............................................................................................................................
54PA口唤醒............................................................................................................................
55输入/输出端口控制寄存器...............................................................................................
55引脚重置功能......................................................................................................................
56输入/输出引脚结构...........................................................................................................
56编程注意事项......................................................................................................................
57 定时器模块–TM.........................................................................................................58简介
......................................................................................................................................
58TM操作...............................................................................................................................
58 Rev.1.403 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 TM时钟源
...........................................................................................................................
58TM中断...............................................................................................................................
58TM外部引脚.......................................................................................................................
58TM输入/输出端口控制寄存器........................................................................................59编程注意事项......................................................................................................................
60 周期型TM–PTM.......................................................................................................61周期型TM操作
..................................................................................................................
61周期型TM寄存器介绍......................................................................................................
61周期型TM工作模式..........................................................................................................
65 触控按键功能...............................................................................................................73触控按键结构
......................................................................................................................
73触控按键寄存器定义..........................................................................................................
73触控按键操作......................................................................................................................
79触控按键中断......................................................................................................................
80编程注意事项......................................................................................................................
80 串行接口模块–SIM....................................................................................................80SPI接口
...............................................................................................................................
80I2C接口................................................................................................................................
87 中断...............................................................................................................................96中断寄存器
..........................................................................................................................
96中断操作..............................................................................................................................
99外部中断..............................................................................................................................
99触控按键中断....................................................................................................................
100时基中断............................................................................................................................
100多功能中断........................................................................................................................
101串行接口模块中断............................................................................................................
101EEPROM中断...................................................................................................................
101TM中断.............................................................................................................................
102中断唤醒功能....................................................................................................................
102编程注意事项....................................................................................................................
102 应用电路.....................................................................................................................103 指令集.........................................................................................................................104
简介
....................................................................................................................................
104指令周期............................................................................................................................
104数据的传送........................................................................................................................
104算术运算............................................................................................................................
104逻辑和移位运算................................................................................................................
104分支和控制转换................................................................................................................
105位运算................................................................................................................................
105查表运算............................................................................................................................
105其它运算............................................................................................................................
105 指令集概要.................................................................................................................106惯例
....................................................................................................................................
106 指令定义.....................................................................................................................108 Rev.1.404 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C
增强型触控式Flash单片机 封装信息
.....................................................................................................................
11916-pinNSOP(150mil)外形尺寸.......................................................................................
12016-pinSSOP(150mil)外形尺寸.......................................................................................12120-pinSOP(300mil)外形尺寸..........................................................................................
12224-pinSOP(300mil)外形尺寸..........................................................................................
12320-pinSSOP(150mil)外形尺寸.......................................................................................12424-pinSSOP(150mil)外形尺寸.......................................................................................125SAWType16-pinQFN(4mm×4mm×0.75mm)外形尺寸................................................126SAWType20-pinQFN(4mm×4mm×0.75mm)外形尺寸................................................127SAWType24-pinQFN(4mm×4mm,lead:0.325mm)外形尺寸.....................................128 Rev.1.405 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 特性 CPU特性 ●工作电压：♦fSYS=8MHz：2.2V~5.5V♦fSYS=12MHz：2.7V~5.5V♦fSYS=16MHz：3.3V~5.5V ●VDD=5V，系统时钟为16MHz时，指令周期为0.25μs●提供暂停和唤醒功能，以降低功耗●振荡器类型： ♦内部高速RC–HIRC♦内部低速32kHzRC–LIRC●多种工作模式：快速、低速、空闲和休眠●内部集成振荡器，无需外接元器件●所有指令都可在1或2个指令周期内完成●查表指令●61条指令●6层堆栈●位操作指令 周边特性 ●Flash程序存储器：2K×16●数据存储器：288×8~512×8●TrueEEPROM存储器：64×8●看门狗定时器功能●多达22个双向I/O口●单个与I/O口共用的外部中断输入●单个10-bitPTM用于时间测量、捕捉输入、比较匹配输出、PWM输出及单 脉冲输出功能 ●单个时基功能用以产生固定的中断信号●串行接口模块包含SPI和I2C通信●低电压复位功能●8/12/16个触控按键功能●多种封装类型：16-pinNSOP/SSOP/QFN，20/24-pinSOP/SSOP/QFN Rev.1.40
6 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 概述 该系列单片机是一款具有8位高性能精简指令集且完全集成触控按键功能的Flash单片机。
该系列单片机具有内部触控按键功能和可多次编程的Flash存储器特性，为各种触控按键的应用提供了一种简单而又有效的实现方法。
触控按键功能完全集成于单片机内，无需外部元器件。
除了Flash程序存储器，还包括RAM数据存储器和用于存储序列数据、校准数据等非易失性数据的TrueEEPROM存储器。
内部看门狗定时器和低电压复位等内部保护特性，外加优秀的抗干扰和ESD保护性能，确保单片机在恶劣的电磁干扰环境下可靠地运行。
该系列单片机提供了内外部高低速振荡器功能选项，且内建完整的系统振荡器，无需外接元器件。
其在不同工作模式之间动态切换的能力，为用户提供了一个优化单片机操作和减少功耗的手段。
通过内部SPI和I2C接口，可方便与外部设备之间的通讯，I/O灵活、定时器模块和其它特性增强了该系列单片机的功能和灵活性。
该系列触控按键单片机能广泛应用于各种触控按键产品中，例如仪器仪表、家用电器、电子控制工具等等。
选型表 对此系列的芯片而言，大多数的特性参数都是一样的。
主要差异在于数据存储 器的容量，I/O引脚数目，定时器模块数量和触控按键的数量。
下表列出了各单片机的主要特性。
单片机型号 VDD BS83B08CBS83B12CBS83B16C 2.2V~5.5V2.2V~5.5V2.2V~5.5V 程序存储器 2K×162K×162K×16 数据存储器 288×8512×8512×
8 EEPROMI/O外部中断 64×
8 14
1 64×
8 18
1 64×
8 22
1 单片机型号TM模块时基 BS83B08C10-bitPTM×11BS83B12C10-bitPTM×11BS83B16C10-bitPTM×11 堆栈 666 触控按键 81216 SIM(SPI/I2C) 111 封装 16NSOP/SSOP/QFN20SOP/SSOP/QFN24SOP/SSOP/QFN Rev.1.40
7 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 方框图 ResetCircuit Interrupt INT Controller Pin-SharedWithPortA ROM2K×16 RAM512×
8 EEPROM64×
8 Stack6-level WaTticmhedrogLVRHT8MCUCoreSYSCLK SIMTimer I/O BusMUX TimeBase VDD VDD VSS VSS LIRC32kHz HIRC8/12/16MHz MUX ClockSystem TouchKeyModule3TouchKeyModule1TouchKeyModule0 5-bitUnitPeriodCounter Filter 16-bitC/FCounter Multifrequency DigitalPeripherals KeyOSCKeyOSCKeyOSCKeyOSC :BusEntry :Pin-SharedNode :SIMincludingSPI&I2C TouchKeyFunction Pin-RemappingFunction PortADriver PortBDriver PortCDriver PA0~PA4,PA7PB0~PB7PC0~PC7 KEY1~KEY16 Pin-SharedWithPortB&
C 引脚图 PB0/KEY11PB1/KEY22PB2/KEY33PB3/KEY44PB4/KEY55PB5/KEY66PB6/KEY77PB7/KEY88 16PA1/PTP/SDO15PA4/PTPI/[SDI/SDA]/INT14PA3/PTCK/SCS13PA0/SDI/SDA/ICPDA/OCDSDA12PA2/SCK/SCL/ICPCK/OCDSCK11PA7/PTPB/[SCK/SCL]10VDD 9VSS BS83B08C/BS83BV08C16NSOP-A/SSOP-
A PB0/KEY11PB1/KEY22PB2/KEY33PB3/KEY44PB4/KEY55PB5/KEY66PB6/KEY77PB7/KEY88PC0/KEY99PC1/KEY1010 20PA1/PTP/SDO19PA4/PTPI/[SDI/SDA]/INT18PA3/PTCK/SCS17PA0/SDI/SDA/ICPDA/OCDSDA16PA2/SCK/SCL/ICPCK/OCDSCK15PA7/PTPB/[SCK/SCL]14VDD13VSS12PC3/KEY1211PC2/KEY11 BS83B12C/BS83BV12C20SOP-A/SSOP-
A Rev.1.40
8 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 PB0/KEY11PB1/KEY22PB2/KEY33PB3/KEY44PB4/KEY55PB5/KEY66PB6/KEY77PB7/KEY88PC0/KEY99PC1/KEY1010PC2/KEY1111PC3/KEY1212 24PA1/PTP/SDO 23PA4/PTPI/[SDI/SDA]/INT22PA3/PTCK/SCS21PA0/SDI/SDA/ICPDA/OCDSDA20PA2/SCK/SCL/ICPCK/OCDSCK19PA7/PTPB/[SCK/SCL]18VDD17VSS16PC7/KEY16 15PC6/KEY1514PC5/KEY1413PC4/KEY13 BS83B16C/BS83BV16C24SOP-A/SSOP-
A PC1/KEY10PC2/KEY11PC3/KEY12 VSSVDD PA4/PTPI/[SDI/SDA]/INTPA1/PTP/SDOPB0/KEY1PB1/KEY2 PB2/KEY3PB3/KEY4PB4/KEY5PB5/KEY6 16151413
1 12 2BS83B08C11316QFN-A10
4 9 5678 PA3/PTCK/SCSPA0/SDI/SDA/ICPDAPA2/SCK/SCL/ICPCKPA7/PTPB/[SCK/SCL] PA7/PTPB/[SCK/SCL]PA2/SCK/SCL/ICPCKPA0/SDI/SDA/ICPDA PA3/PTCK/SCSPA4/PTPI/[SDI/SDA]/INT 2019181716
1 15 23 BS83B12C1143 420QFN-A12
5 11 678910 PC0/KEY9PB7/KEY8PB6/KEY7PB5/KEY6PB4/KEY5 PB3/KEY4PB2/KEY3PB1/KEY2PB0/KEY1PA1/PTP/SDO PA0/SDI/SDA/ICPDAPA3/PTCK/SCSPA1/PTP/SDO PA4/PTPI/[SDI/SDA]/INTPB0/KEY1PB1/KEY2 VDDVSSPB7/KEY8PB6/KEY7 PB2/KEY3PB3/KEY4PB4/KEY5PB5/KEY6PB6/KEY7PB7/KEY8 124232221201918
2 17 3BS83B16C16 424QFN-A15
5 14
6 13 789101112 PA2/SCK/SCL/ICPCKPA7/PTPB/[SCK/SCL]VDDVSSPC7/KEY16PC6/KEY15 PC5/KEY14PC4/KEY13PC3/KEY12PC2/KEY11PC1/KEY10PC0/KEY9 注：
1.括号内的引脚表示非默认引脚的位置。
详细信息可以参考相关的章节。
2.若共用脚同时有多种输出，“/”号右侧的引脚名具有更高的优先级。
3.OCDSCK和OCDSDA引脚为OCDS专用引脚，仅存在于BS83BVxxC中，BS83BVxxC是BS83BxxC的OCDSEV芯片。
Rev.1.40
9 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 引脚说明 除了电源引脚外，该系列单片机的所有引脚都以它们的端口名称进行标注，例如PA0、PA1等，用于描述这些引脚的数字输入/输出功能。
然而，这些引脚也与其它功能共用，如触控按键功能，定时器模块引脚等。
每个引脚的功能如下表所述，而引脚配置的详细内容见规格书其它章节。
BS83B08C 引脚名称 功能 PA0 PA0/SDI/SDA/ICPDA/OCDSDA SDI SDAICPDAOCDSDA PA1 PA1/PTP/SDO PTP SDOPA2 PA2/SCK/SCL/ICPCK/OCDSCK PA3/PTCK/SCS SCK SCLICPCKOCDSCK PA3PTCKSCSPA4 PA4/PTPI/[SDI/SDA]/INT PTPISDISDA INT OPTPAWUPAPUSIMC0PXRMSIMC0PXRM — — PAWUPAPUPTMC0PTMC1PXRMSIMC0PAWUPAPUSIMC0PXRMSIMC0PXRM — — PAWUPAPUPTMC0SIMC0PAWUPAPUPTMC0PTMC1SIMC0PXRMSIMC0PXRMINTC0INTEG I/TO/T 描述 STCMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上拉电阻和唤醒功能 ST—SPI串行数据输入 STNMOSI2C数据引脚 STCMOSICP地址/数据引脚STCMOSOCDS数据/地址引脚，仅用于EV 芯片STCMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上拉 电阻和唤醒功能 —CMOSPTM输出 —CMOSSPI串行数据输出STCMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上拉 电阻和唤醒功能 STCMOSSPI串行时钟 STNMOSI2C时钟引脚 ST—ICP时钟引脚ST—OCDS时钟引脚，仅用于EV芯片STCMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上拉 电阻和唤醒功能ST—PTM时钟输入STCMOSSPI从机选择引脚STCMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上拉 电阻和唤醒功能 ST—PTM捕捉输入 ST—SPI串行数据输入STNMOSI2C数据引脚 ST—外部中断输入 Rev.1.40 10 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 引脚名称 PA7/PTPB/[SCK/SCL] PB0/KEY1~PB3/KEY4PB4/KEY5~PB7/KEY8VDDVSS 功能PA7PTPBSCK SCL PB0~PB3KEY1~KEY4 PB4~PB7KEY5~KEY8 VDDVSS OPTPAWUPAPUPXRMSIMC0PXRMSIMC0PXRM PBPU TKM0C1 PBPU TKM1C1—— I/TST–ST ST STNSISTNSIPWRPWR O/TCMOSCMOSCMOS NMOS CMOS— CMOS——— 描述通用I/O口，可通过寄存器设置上拉电阻和唤醒功能PTM反相输出 SPI串行时钟 I2C时钟引脚 通用I/O口，可通过寄存器设置上拉电阻触控按键输入通用I/O口，可通过寄存器设置上拉电阻触控按键输入正电源电压负电源电压，接地 注：I/T：输入类型；OPT：通过寄存器选项来配置；ST：施密特触发输入；NMOS：NMOS输出；NSI：非标准输入。
O/T：输出类型；PWR：电源；CMOS：CMOS输出；AN：模拟信号； BS83B12C 引脚名称 功能 PA0 PA0/SDI/SDA/ICPDA/OCDSDA SDI SDAICPDAOCDSDA PA1 PA1/PTP/SDO PTP SDO OPTPAWUPAPUSIMC0PXRMSIMC0PXRM — — PAWUPAPUPTMC0PTMC1PXRMSIMC0 I/TO/T 说明 STCMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上拉电阻和唤醒功能 ST—SPI串行数据输入 STNMOSI2C数据引脚 STCMOSICP地址/数据引脚STCMOSOCDS数据/地址引脚，仅用于EV 芯片STCMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上 拉电阻和唤醒功能 —CMOSPTM输出 —CMOSSPI串行数据输出 Rev.1.40 11 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 引脚名称 PA2/SCK/SCL/ICPCK/OCDSCK PA3/PTCK/SCS PA4/PTPI/[SDI/SDA]/INT PA7/PTPB/[SCK/SCL] PB0/KEY1~PB3/KEY4PB4/KEY5~PB7/KEY8PC0/KEY9~PC3/KEY12VDDVSS 功能PA2 SCK SCLICPCKOCDSCK PA3PTCKSCSPA4 PTPI SDI SDA INT PA7PTPBSCK SCL PB0~PB3KEY1~KEY4 PB4~PB7KEY5~KEY8 PC0~PC3KEY9~KEY12 VDDVSS OPTPAWUPAPUSIMC0PXRMSIMC0PXRM —— PAWUPAPUPTMC0SIMC0PAWUPAPUPTMC0PTMC1SIMC0PXRMSIMC0PXRMINTC0INTEGPAWUPAPUPXRMSIMC0PXRMSIMC0PXRM PBPU TKM0C1 PBPU TKM1C1 PCPU TKM2C1—— I/TST ST STSTSTSTSTSTST ST ST ST ST ST–ST ST STNSISTNSISTNSIPWRPWR O/T 说明 CMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上拉电阻和唤醒功能 CMOSSPI串行时钟 NMOSI2C时钟引脚 —ICP时钟引脚—OCDS时钟引脚，仅用于EV芯片CMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上 拉电阻和唤醒功能—PTM时钟输入CMOSSPI从机选择引脚CMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上 拉电阻和唤醒功能 —PTM捕捉输入 —SPI串行数据输入 NMOSI2C数据引脚 —外部中断输入 CMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上拉电阻和唤醒功能 CMOSPTM反相输出CMOSSPI串行时钟 NMOSI2C时钟引脚 CMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上拉电阻 —触控按键输入CMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上 拉电阻—触控按键输入CMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上 拉电阻—触控按键输入—正电源电压—负电源电压，接地 注：I/T：输入类型；OPT：通过寄存器选项来配置；ST：施密特触发输入；NMOS：NMOS输出； O/T：输出类型；NSI：非标准输入；CMOS：CMOS输出；AN：模拟信号。
PWR：电源； Rev.1.40 12 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 BS83B16C 引脚名称 功能 PA0 PA0/SDI/SDA/ICPDA/OCDSDA SDI SDAICPDAOCDSDA PA1 PA1/PTP/SDO PTP SDOPA2 PA2/SCK/SCL/ICPCK/OCDSCK PA3/PTCK/SCS SCK SCLICPCKOCDSCK PA3PTCKSCSPA4 PA4/PTPI/[SDI/SDA]/INT PTPISDISDA INT PA7/PTPB/[SCK/SCL] PA7PTPBSCK SCL Rev.1.40 OPTPAWUPAPUSIMC0PXRMSIMC0PXRM — — PAWUPAPUPTMC0PTMC1PXRMSIMC0PAWUPAPUSIMC0PXRMSIMC0PXRM — — PAWUPAPUPTMC0SIMC0PAWUPAPUPTMC0PTMC1SIMC0PXRMSIMC0PXRMINTC0INTEGPAWUPAPUPXRMSIMC0PXRMSIMC0PXRM I/TO/T 说明 STCMOS通用I/O口，可通过寄存器设置上拉电阻和唤醒功能 ST—SPI串行数据输入 STNMOSI2C数据引脚 STCMOSICP地址/数据引脚STCMOSOCDS数据/地址引脚，仅用于 EV芯片STCMOS通用I/O口，可通过寄存器设置 上拉电阻和唤醒功能 —CMOSPTM输出 —CMOSSPI串行数据输出STCMOS通用I/O口，可通过寄存器设置 上拉电阻和唤醒功能 STCMOSSPI串行时钟 STNMOSI2C时钟引脚 ST—ICP时钟引脚ST—OCDS时钟引脚，仅用于EV芯片STCMOS通用I/O口，可通过寄存器设置 上拉电阻和唤醒功能ST—PTM时钟输入STCMOSSPI从机选择引脚STCMOS通用I/O口，可通过寄存器设置 上拉电阻和唤醒功能 ST—PTM捕捉输入 ST—SPI串行数据输入STNMOSI2C数据引脚 ST—外部中断输入STCMOS通用I/O口，可通过寄存器设置 上拉电阻和唤醒功能–CMOSPTM反相输出STCMOSSPI串行时钟 STNMOSI2C时钟引脚 13 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 引脚名称 PB0/KEY1~PB3/KEY4 PB4/KEY5~PB7/KEY8 PC0/KEY9~PC3/KEY12 PC4/KEY13~PC7/KEY16VDDVSS 功能 PB0~PB3KEY1~KEY4 PB4~PB7KEY5~KEY8 PC0~PC3KEY9~KEY12 PC4~PC7KEY13~KEY16 VDDVSS OPTPBPUTKM0C1PBPUTKM1C1PCPUTKM2C1PCPUTKM3C1 —— I/TSTNSISTNSISTNSISTNSIPWRPWR O/TCMOS —CMOS —CMOS —CMOS ——— 说明通用I/O口，可通过寄存器设置上拉电阻触控按键输入通用I/O口，可通过寄存器设置上拉电阻触控按键输入通用I/O口，可通过寄存器设置上拉电阻触控按键输入通用I/O口，可通过寄存器设置上拉电阻触控按键输入正电源电压负电源电压，接地 注：I/T：输入类型；OPT：通过寄存器选项来配置；ST：施密特触发输入；NMOS：NMOS输出；NSI：非标准输入。
O/T：输出类型；PWR：电源；CMOS：CMOS输出；AN：模拟信号； 极限参数 电源供应电压................................................................................VSS-0.3V~VSS+6.0V
输入电压.......................................................................................VSS-0.3V~VDD+0.3V
储存温度...................................................................................................-50˚C~125˚C
工作温度.....................................................................................................-40˚C~85˚C
IOH总电流
...........................................................................................................
-80mAIOL总电流.............................................................................................................
80mA总功耗...............................................................................................................
500mW 注：这里只强调额定功率，超过极限参数所规定的范围将对芯片造成损害，无法预期芯片在上述标示范围外的工作状态，而且若长期在标示范围外的条件下工作，可能影响芯片的可靠性。Rev.1.40 14 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 直流电气特性 以下表格中参数测量结果可能受多个因素影响，如振荡器类型、工作电压、工作频率、引脚负载状况、温度和程序指令等等。
工作电压特性 符号 参数 工作电压–HIRCVDD 工作电压–LIRC 测试条件fSYS=8MHzfSYS=12MHzfSYS=16MHzfSYS=32kHz 最小2.22.73.32.2 Ta=-40˚C~85˚
C 典型最大单位—5.5—5.5V—5.5—5.5V 待机电流特性 Ta=25˚
C 符号 待机模式 SLEEP模式 IDLE0模式–LIRCISTB IDLE1模式–HIRC VDD2.2V3V5V2.2V3V5V2.2V3V5V2.7V3V5V3.3V5V 测试条件条件 WDTon fSUBon fSUBon,fSYS=8MHz fSUBon,fSYS=12MHzfSUBon,fSYS=16MHz 最小典型最大最大单位@85˚
C —1.22.42.9 —1.533.6μ
A —35
6 —2.444.8 —35 6μ
A —51012 —288400480 —360500600μ
A —600800960 —432600720 —540750900μ
A —80012001440 —1.11.61.9mA—1.42.02.4 注：当使用该表格电气特性数据时，以下几点需注意：
1.任何数字输入都设置为非浮空的状态。
2.所有测量都在无负载且所有外围功能关闭的条件下进行。
3.无直流电流路径。
4.所有待机电流数值都是在HALT指令执行后测得，因此HALT后停止执行所有指令。
Rev.1.40 15 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 工作电流特性 符号 工作模式 低速模式–LIRC IDD快速模式–HIRC VDD2.2V3V5V2.2V3V5V2.7V3V5V3.3V5V 测试条件条件 fSYS=32kHz fSYS=8MHz fSYS=12MHzfSYS=16MHz 最小 ——————————— 注：当使用该表格电气特性数据时，以下几点需注意：
1.任何数字输入都设置为非浮空的状态。
2.所有测量都在无负载且所有外围功能关闭的条件下进行。
3.无直流电流路径。
4.所有工作电流数据都是通过执行连续NOP指令程序回路进行测量。
典型 810300.60.81.61.01.22.43.04.0 Ta=25˚
C 最大单位 1620μA501.01.2mA2.41.41.8mA3.64.5 mA6.0 交流电气特性 以下表格中参数测量结果可能受多个因素影响，如振荡器类型、工作电压、工作频率和温度等等。
内部高速RC振荡器HIRC频率精准度 程序烧录时，烧录器会依据用户选择的HIRC频率和工作电压(3V或5V)对HIRC进行频率精准度调整。
符号 参数 通过烧录器调整后的8MHzHIRC频率 fHIRC 通过烧录器调整后的12MHzHIRC频率 通过烧录器调整后的fHIRC16MHzHIRC频率 测试条件 VDD 温度 3V/5V 25˚C-40˚C~85˚
C 2.2V~5.5V 25˚C-40˚C~85˚
C 3V/5V 25˚C-40˚C~85˚
C 2.7V~5.5V 25˚C-40˚C~85˚
C 25˚C5V -40˚C~85˚
C 3.3V~5.5V 25˚C-40˚C~85˚
C 最小典型最大单位 -1%8+1%-2%8+2% MHz-2.5%8+2.5%-3%8+3%-1%12+1%-2%12+2% MHz-2.5%12+2.5%-3%12+3%-1%16+1%-2%16+2% MHz-2.5%16+2.5%-3%16+3% 注：
1.烧录器可在3V/5V这两个可选的固定电压下对HIRC频率进行调整，在此提供VDD=3V/5V时的参 Rev.1.40 16 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 数值。
2.3V/5V表格列下面提供的是全压条件下的参数值。
建议电压固定在3V微调应用电压范围从2.2V至3.6V和电压固定在5V微调应用电压范围从3.3V到5.5V范围中。
3.表格中提供的最小和最大误差值仅在对应的烧录器调整频率下有效。
当烧录器已对所选的频率进行调整，此后再通过程序中振荡器控制位将其频率改为其它值时，频率误差范围将增加到±20%。
内部低速振荡器电气特性–LIRC 符号 参数 fLIRCtSTART LIRC振荡器频率LIR启动时间 测试条件 VDD 温度 2.2V~5.5V 25˚C-40˚C~85˚
C — — Ta=25˚
C,除非另有规定 最小典型最大单位-10%32+10% kHz-50%32+60% ——500μs 工作频率电气特性曲线图 SystemOperatingFrequency 16MHz12MHz 8MHz ~~ ~~~~ 2.2V 2.7V3.3VOperatingVoltage 5.5V 系统上电时间电气特性 符号 参数 系统启动时间(从fSYSoff的状态下唤醒) 系统启动时间tSST(从fSYSon的状态下唤醒) 系统速度切换时间(快速模式→低速模式或低速模式→快速模式)系统复位延迟时间(上电复位或LVR硬件复位)系统复位延迟时间tRSTD(LVRC/WDTC软件复位)系统复位延迟时间(WDT溢出复位) 测试条件 VDD 条件 —fSYS=fH~fH/64,fH=fHIRC —fSYS=fSUB=fLIRC —fSYS=fH~fH/64,fH=fHIRC —fSYS=fSUB=fLIRC Ta=-40˚C~85˚
C 最小典型最大单位 —16—tHIRC—2—tLIRC—2—tH—2—tSUB —fHIRCoff→on —16—tHIRC —RRPOR=5V/ms — — — — 424854ms141618ms Rev.1.40 17 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 符号 参数 tSRESET软件复位最小延迟脉宽 测试条件 VDD 条件 — — 最小典型最大单位4590120μs 注：
1.系统启动时间里提到的fSYSon/off状态取决于工作模式类型以及所选的系统时钟振荡器。
更多相关细节请参考系统工作模式章节。
2.tHIRC、tSYS等符号所表示的时间单位，是对应频率值的倒数，相关频率值在前面表格有说明。
例如，tHIRC=1/fHIRC，tSYS=1/fSYS等等。
3.LIRC被选择作为系统时钟源且在休眠模式下LIRC关闭，则上面表格中对应tSST数值还需加上LIRC频率表格里提供的LIRC启动时间tSTART。
4.系统速度切换时间实际上是指新使能的振荡器的启动时间。
输入/输出口电气特性 Ta=25˚
C 符号 参数 测试条件 VDD 条件 最小典型最大单位 VILI/O口或输入引脚低电平输入电压5V—— 0—1.5V
0 —0.2VDD VIHI/O口或输入引脚高电平输入电压5V— —3.5—5.0V0.8VDD—VDD IOLI/O口灌电流 3VVOL=0.1VDD5V 1632—mA3265— IOHI/O口源电流 3VVOH=0.9VDD5V -4-8—mA-8-16— RPHI/O口上拉电阻(注) 3V — 5V — 2060100kΩ103050 ILEAK输入漏电流 5VVIN=VDD或VIN=VSS——±1μ
A tTCKTM时钟输入引脚最小脉宽 — — 0.3——μs tTPITM捕捉输入引脚最小脉宽 — — 0.3——μs 注：RPH内部上拉电阻值的计算方法是：将其接地并使能输入引脚的上拉电阻选项，然后在特定电源电压下测量输入灌电流，用电压值除以测得的电流值从而得到此上拉电阻值。
存储器电气特性 符号 参数 VDD VRW读/写工作电压 — 程序存储器/EEPROM存储器 擦除/写周期时间–Flash程—序存储器tDEW写周期时间–数据EEPROM—存储器 IDDPGMVDD电压下烧录/擦除电流— 测试条件条件— — —— Ta=-40˚C~85˚C最小典型最大单位VDDmin—VDDmaxV —23ms—46ms——5.0mA Rev.1.40 18 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 符号 参数 存储单元耐久性–Flash程序存储器EP存储单元耐久性–数据EEPROM存储器tRETDROM数据保存时间RAM数据存储器VDRRAM数据保存电压 注：“E/W”表示擦/写次数。
测试条件 VDD 条件 — — — — —Ta=25˚
C — — 最小典型最大单位 10K—100K— —40 —E/W—E/W—Year 1.0——
V LVR电气特性 符号 参数 VLVR低电压复位电压 ILVR使用LVR的额外功耗tLVR产生LVR复位的低电压 最短保持时间 测试条件 VDD 条件 —LVR使能，电压选择2.1V —LVR使能，电压选择2.55V —LVR使能，电压选择3.15V —LVR使能，电压选择3.8V 3VLVR除能→LVR使能5V — — Ta=25˚
C 最小典型最大单位 2.1 2.55 -5% +5%
V 3.15 3.8 —1525μA—2030 120240480μs 上电复位特性 符号 参数VDD VPOR上电复位电压 — RRPOR上电复位电压速率 — tPOR VDD保持为VPOR的最小时间— VDD 测试条件条件——— Ta=25˚
C 最小典型最大单位 ——0.035— 1— 100mV—V/ms—ms tPOR RRPORVPOR Time Rev.1.40 19 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 系统结构 内部系统结构是Holtek单片机具有良好性能的主要因素。
由于采用RISC结构，该系列单片机具有高运算速度和高性能的特点。
通过流水线的方式，指令的取得和执行同时进行，此举使得除了跳转和调用指令外，其它指令都能在一个指令周期内完成。
8位ALU参与指令集中所有的运算，它可完成算术运算、逻辑运算、移位、递增、递减和分支等功能，而内部的数据路径则是以通过累加器和ALU的方式加以简化。
有些寄存器在数据存储器中被实现，且可以直接或间接寻址。
简单的寄存器寻址方式和结构特性，确保了在提供具有较大可靠度和灵活性的I/O控制系统时，仅需要少数的外部器件。
使得该系列单片机适用于低成本和大量生产的控制应用。
时序和流水线结构 主系统时钟由HIRC或LIRC振荡器提供，它被细分为T1~T4四个内部产生的非重叠时序。
在T1时间，程序计数器自动加一并抓取一条新的指令。
剩下的时间T2~T4完成译码和执行功能，因此，一个T1~T4时钟周期构成一个指令周期。
虽然指令的抓取和执行发生在连续的指令周期，但单片机流水线结构会保证指令在一个指令周期内被有效执行。
除非程序计数器的内容被改变，如子程序的调用或跳转，在这种情况下指令将需要多一个指令周期的时间去执行。
如果指令牵涉到分支，例如跳转或调用等指令，则需要两个指令周期才能完成指令执行。
需要一个额外周期的原因是程序先用一个周期取出实际要跳转或调用的地址，再用另一个周期去实际执行分支动作，因此用户需要特别考虑额外周期的问题，尤其是在执行时间要求较严格的时候。
fSYS(SystemClock) PhaseClockT1 PhaseClockT2 PhaseClockT3 PhaseClockT4 ProgramCounter PC PC+
1 PC+
2 Pipelining FetchInst.(PC)ExecuteInst.(PC-1) FetchInst.(PC+1)ExecuteInst.(PC) 系统时序和流水线 FetchInst.(PC+2)ExecuteInst.(PC+1)
1 MOVA,[12H]
2 CALLDELAY
3 CPL[12H]
4 :
5 : 6DELAY:NOP FetchInst.1 ExecuteInst.1FetchInst.2 ExecuteInst.2FetchInst.3 FlushPipelineFetchInst.6 ExecuteInst.6FetchInst.7 指令捕捉 Rev.1.40 20 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 程序计数器 在程序执行期间，程序计数器用来指向下一个要执行的指令地址。
除了“JMP”和“CALL”指令需要跳转到一个非连续的程序存储器地址之外，它会在每条指令执行完成以后自动加
一。
只有较低的8位，即所谓的程序计数器低字节寄存器PCL，可以被用户直接读写。
当执行的指令要求跳转到不连续的地址时，如跳转指令、子程序调用、中断或复位等，单片机通过加载所需要的地址到程序寄存器来控制程序，对于条件跳转指令，一旦条件符合，在当前指令执行时取得的下一条指令将会被舍弃，而由一个空指令周期来取代。
单片机型号 BS83B08CBS83B12CBS83B16C 程序计数器 高字节PC10~PC8PC10~PC8PC10~PC8 低字节(PCL)PCL7~PCL0 程序计数器 程序计数器的低字节，即程序计数器的低字节寄存器PCL，可以通过程序控制，且它是可以读取和写入的寄存器。
通过直接写入数据到这个寄存器，一个程序 短跳转可直接执行，然而只有低字节的操作是有效的，跳转被限制在存储器的 当前页中，即256个存储器地址范围内，当这样一个程序跳转要执行时，会插入一个空指令周期。
程序计数器的低字节可由程序直接进行读取，PCL的使用可能引起程序跳转，因此需要额外的指令周期。
堆栈 堆栈是一个特殊的存储空间，用来存储程序计数器中的内容。
该系列单片机有6层堆栈，堆栈既不是数据部分也不是程序空间部分，而且它既不是可读取也不是可写入的。
当前层由堆栈指针(SP)加以指示，堆栈指针同样也是不可读写的。
在子程序调用或中断响应服务时，程序计数器的内容被压入到堆栈中。
当子程序或中断响应结束时，返回指令(RET或RETI)使程序计数器从堆栈中重新得到它保存的值。
当一个芯片复位后，堆栈指针将指向堆栈顶部。
如果堆栈已满，且有非屏蔽的中断发生，中断请求标志会被置位，但中断响应将被禁止。
当堆栈指针减少(执行RET或RETI)，中断将被响应。
这个特性提供程序设计者简单的方法来预防堆栈溢出。
然而即使堆栈已满，CALL指令仍然可以被执行，而造成堆栈溢出。
使用时应避免堆栈溢出的情况发生，因为这可能导致不可预期的程序分支指令执行错误。
若堆栈溢出，则首个存入堆栈的程序计数器数据将会丢失。
ProgramCounter TopofStackStackPointer BottomofStack StackLevel1 StackLevel2 StackLevel3::: StackLevel6 ProgramMemory Rev.1.40 21 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 算术逻辑单元–ALU 算术逻辑单元是单片机中很重要的部分，执行指令集中的算术和逻辑运算。
ALU连接到单片机的数据总线，在接收相关的指令码后执行需要的算术与逻辑操作，并将结果存储在指定的寄存器，当ALU计算或操作时，可能导致进位、借位或其它状态的改变，而相关的状态寄存器会因此更新内容以显示这些改变，ALU所提供的功能如下：●算术运算：ADD，ADDM，ADC，ADCM，SUB，SUBM，SBC，SBCM，DAA ●逻辑运算：AND，OR，XOR，ANDM，ORM，XORM，CPL，CPLA ●移位运算：RRA，RR，RRCA，RRC，RLA，RL，RLCA，RLC ●递增和递减：INCA，INC，DECA，DEC ●分支判断：JMP，SZ，SZA，SNZ，SIZ，SDZ，SIZA，SDZA，CALL，RET，RETI Flash程序存储器 程序存储器用来存放用户代码即储存程序。
程序存储器为Flash类型意味着可以多次重复编程，方便用户使用同一芯片进行程序的修改。
使用适当的单片机编程工具，此系列Flash单片机提供用户灵活便利的调试方法和项目开发规划及更新。
结构 该系列单片机的程序存储器的容量为2K×16位，程序存储器用程序计数器来寻址，其中也包含数据、表格和中断入口。
数据表格可以设定在程序存储器的任 何地址，由表格指针来寻址。
000H004H InitialisationVector InterruptVector 018H 7FFH 16bits 程序存储器结构 特殊向量 程序存储器内部某些地址保留用做诸如复位和中断入口等特殊用途。
地址000H是芯片复位后的程序起始地址。
在芯片复位之后，程序将跳到这个地址并开始执行。
查表 程序存储器中的任何地址都可以定义成一个表格，以便储存固定的数据。
使用表格时，表格指针必须先行设定，其方式是将表格的地址放在表格指针寄存器TBLP和TBHP中。
这些寄存器定义表格总的地址。
Rev.1.40 22 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 在设定完表格指针后，表格数据可以使用“TABRD[m]”或“TABRDL[m]”指令分别从程序存储器查表读取。
当这个指令执行时，程序存储器中表格数据低字节，将被传送到使用者所指定的数据存储器[m]，程序存储器中表格数据的高字节，则被传送到TBLH特殊寄存器。
下图是查表中寻址/数据流程： LastpageorTBHPRegister ProgramMemory PCHighByteTBLPRegister Address Data16bits TBLHRegisterDataHighByte UserSelectedRegister DataLowByte 查表范例 以下范例说明表格指针和表格数据如何被定义和执行。
这个例子使用的表格数据用ORG伪指令储存在存储器中。
ORG指令的值“700H”指向的地址是2K程序存储器中最后一页的起始地址。
表格指针低字节寄存器的初始值设为06H，这可保证从数据表格读取的第一笔数据位于程序存储器地址706H，即最后一页起始地址后的第六个地址。
值得注意的是，假如“TABRD[m]”指令被使用，则表格指针指向TBHP指定的页。
在这个例子中，表格数据的高字节等于零，而当“TABRD[m]”指令被执行时，此值将会自动的被传送到TBLH寄存器。
TBLH寄存器为只读寄存器，不能重新储存，若主程序和中断服务程序都使用表格读取指令，应该注意它的保护。
使用表格读取指令，中断服务程序可能会改变TBLH的值，若随后在主程序中再次使用这个值，则会发生错误，因此建议避免同时使用表格读取指令。
然而在某些情况下，如果同时使用表格读取指令是不可避免的，则在执行任何主程序的表格读取指令前，中断应该先除能，另外要注意的是所有与表格相关的指令，都需要两个指令周期去完成操作。
表格读取程序范例 tempreg1db?
tempreg2db?
:mova,06h movtblp,amova,07hmovtbhp,a:tabrdtempreg1 dectblptabrdtempreg2 ;temporaryregister#1;temporaryregister#
2 ;initialiselowtablepointer-notethatthisaddress;isreferenced;tothelastpageorthepagethattbhppointed;initialisehightablepointer ;transfersvalueintablereferencedbytablepointer;dataatprogrammemoryaddress“706H”transferredto;tempreg1andTBLH;reducevalueoftablepointerbyone;transfersvalueintablereferencedbytablepointer;dataatprogrammemoryaddress“705H”transferredto;tempreg2andTBLH;inthisexamplethedata“1AH”istransferredto Rev.1.40 23 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 ;tempreg1anddata“0FH”toregistertempreg2 : org700h ;setsinitialaddressofprogrammemory dc00Ah,00Bh,00Ch,00Dh,00Eh,00Fh,01Ah,01Bh : : 在线烧录–ICP Flash型程序存储器提供用户便利地对同一芯片进行程序的更新和修改。
另外，Holtek单片机提供4线接口的在线烧录方式。
用户可将进行过烧录或未经过烧录的单片机芯片连同电路板一起制成，最后阶段进行程序的更新和程序的烧录，在无需去除或重新插入芯片的情况下方便地保持程序为最新版。
HoltekFlashMCU与烧录器引脚对应表如下： Holtek烧录器引脚名称ICPDAICPCKVDDVSS MCU在线烧录引脚名称PA0PA2VDDVSS 引脚说明串行数据/地址输入/输出串行时钟输入电源地 程序存储器可以通过4线的接口在线进行烧录。
其中一个引脚用于数据串行下载或上传、另一个引脚用于串行时钟、两条用于提供电源。
芯片在线烧写的详细使用说明超出此文档的描述范围，将由专门的参考文献提供。
烧录过程中，烧录器会控制PA0和PA2引脚进行数据和时钟烧录，用户必须确保ICPDA和ICPCK这两个引脚没有连接至其它输出脚。
WriterConnectorSignals MCUProgrammingPins Writer_VDD VDD ICPDAICPCKWriter_VSS PA0PA2VSS ** TootherCircuit 注：*可能为电阻或电容。
若为电阻则其值必须大于1kΩ，若为电容则其必须小于1nF。
片上调试–OCDS EV芯片BS83BVxxC用于BS83BxxC单片机仿真。
此EV芯片提供片上调试功能(OCDS)用于开发过程中的单片机调试。
除了片上调试功能方面，EV芯片和实际MCU在功能上几乎是兼容的。
用户可将OCDSDA和OCDSCK引脚连接至HoltekHT-IDE开发工具，从而实现EV芯片对实际IC的仿真。
OCDSDA引脚为OCDS数据/地址输入/输出脚，OCDSCK引脚为OCDS时钟输入脚。
当用户用EV芯片进行调试时，实际单片机OCDSDA和OCDSCK引脚上的其它共用功能无效。
由于这两个OCDS引脚与ICP引脚共用，因此在线烧录时仍用 Rev.1.40 24 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 作Flash存储器烧录引脚。
关于OCDS功能的详细描述，请参考“Holteke-Linkfor8-bitMCUOCDS使用手册”文件。
Holteke-Link引脚名称 OCDSDA OCDSCKVDDVSS EV芯片OCDS引脚名称 OCDSDA OCDSCKVDDVSS 引脚说明片上调试串行数据/地址输入/输出片上调试时钟输入电源地 数据存储器 数据存储器是内容可更改的8位RAM内部存储器，用来储存临时数据。
结构 数据存储器分为两个部分，第一部分是特殊功能数据存储器。
这些寄存器有固定的地址且与单片机的正确操作密切相关。
大多特殊功能寄存器都可在程序控制下直接读取和写入，但有些被加以保护而不对用户开放。
第二部分数据存储器是做一般用途使用，都可在程序控制下进行读取和写入。
总的数据存储器被分为两个Bank。
大部分特殊功能数据寄存器均可在所有Bank被访问，除了EEC寄存器只位于Bank1的“40H”地址。
切换不同区域可通过设置区域指针实现。
单片机的数据存储器的起始地址是“00H”。
单片机型号BS83B08CBS83B12C BS83B16C 特殊功能数据存储器 所在BankBank：地址 0,
1 0:00H~5FH 1:00H~7FH 0:00H~7FH 0~
3 1:00H~7FH 2:00H~7FH 3:00H~7FH 0:00H~7FH 0~
3 1:00H~7FH 2:00H~7FH 3:00H~7FH 通用数据存储器 容量 Bank：地址 288×
8 0:60H~FFH1:80H~FFH 512×
8 0:80H~FFH1:80H~FFH2:80H~FFH3:80H~FFH 512×
8 0:80H~FFH1:80H~FFH2:80H~FFH3:80H~FFH 数据存储器概要 Rev.1.40 25 2021-08-27 00H SpecialPurposeDataMemory 5FH60H GeneralPurposeDataMemory BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 EECat40HinBank1onlyStartfrom80HinBank1 FFH Bank0Bank1 数据存储器结构–BS83B08C 00H SpecialPurposeDataMemory EECat40HinBank1only 7FH80H GeneralPurposeDataMemory FFH Bank0Bank1Bank3 数据存储器结构–BS83B12C/BS83B16C 通用数据存储器 所有的单片机程序需要一个读/写的存储区，让临时数据可以被储存和再使用，该RAM区域就是通用数据存储器。
这个数据存储区可让使用者进行读取和写入的操作。
使用位操作指令可对个别的位做置位或复位的操作，较大地方便了用户在数据存储器内进行位操作。
特殊功能数据存储器 这个区域的数据存储器是存放特殊寄存器的，这些寄存器与单片机的正确操作密切相关，大多数的寄存器可进行读取和写入，只有一些是被写保护而只能读取的，相关细节的介绍请参看有关特殊功能寄存器的部分。
要注意的是，任何读取指令对存储器中未定义的地址进行读取将返回“00H”。
Rev.1.40 26 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 00H01H02H03H04H05H06H07H08H09H0AH0BH0CH0DH0EH0FH10H11H12H13H14H15H16H17H18H19H1AH1BH1CH1DH1EH1FH 20H21H22H23H24H25H26H27H28H Bank0 Bank1 IAR0 MP0 IAR1 MP1 BP ACC PCL TBLP TBLH TBHP STATUS SMOD CTRL INTEG INTC0 INTC1 MFI
LVRC PAPACPAPUPAWUPXRM WDTCTBCPSCR EEAEEDPBPBCPBPUSIMTOCSIMC0SIMC1SIMDSIMC2/SIMA Bank0 Bank1 3BH PTMC0 3CH PTMC1 3DH PTMDL 3EH PTMDH 3FH PTMAL 40HPTMAH EEC 41H PTMRPL 42H PTMRPH 43H TKTMR 44H TKC0 45H TK16DL 46H TK16DH 47H TKC1 48H TKM016DL 49H TKM016DH 4AH TKM0ROL 4BH TKM0ROH 4CH TKM0C0 4DH TKM0C1 4EH TKM116DL 4FH TKM116DH 50H TKM1ROL 51H TKM1ROH 52H TKM1C0 53H TKM1C1 3AH 5FH :
Unused,readas00H. 注：该单片机特殊功能数据存储器Bank1的地址范围为00H~7FH，60H~7FH未使用，读为00H。
特殊功能数据存储器结构–BS83B08C Rev.1.40 27 2021-08-27 00H01H02H03H04H05H06H07H08H09H0AH0BH0CH0DH0EH0FH10H11H12H13H14H15H16H17H18H19H1AH1BH1CH1DH1EH1FH 20H21H22H23H24H25H26H27H Bank0 Bank1Bank2IAR0MP0IAR1MP1BPACCPCLTBLPTBLHTBHP STATUSSMODCTRLINTEGINTC0INTC1 Bank3 MFILVRC PAPACPAPUPAWUPXRM WDTCTBCPSCR EEAEEDPBPBCPBPUSIMTOCSIMC0SIMC1SIMDSIMC2/SIMA BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 Bank0Bank1Bank2Bank3 38H PC 39H PCC 3AH PCPU 3BH PTMC0 3CH PTMC1 3DH PTMDL 3EH PTMDH 3FH PTMAL 40H
PTMAHEECPTMAHPTMAH 41H PTMRPL 42H PTMRPH 43H TKTMR 44H TKC0 45H TK16DL 46H TK16DH 47H TKC1 48H TKM016DL 49H TKM016DH 4AH TKM0ROL 4BH TKM0ROH 4CH TKM0C0 4DH TKM0C1 4EH TKM116DL 4FH TKM116DH 50H TKM1ROL 51H TKM1ROH 52H TKM1C0 53H TKM1C1 54H TKM216DL 55H TKM216DH 56H TKM2ROL 57H TKM2ROH 58H TKM2C0 59H TKM2C1 37H 7FH :
Unused,readas00H. 特殊功能数据存储器结构–BS83B16C Rev.1.40 28 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 00H01H02H03H04H05H06H07H08H09H0AH0BH0CH0DH0EH0FH10H11H12H13H14H15H16H17H18H19H1AH1BH1CH1DH1EH1FH 20H21H22H23H24H25H26H27H Bank0 Bank1Bank2IAR0MP0IAR1MP1BPACCPCLTBLPTBLHTBHP STATUSSMODCTRLINTEGINTC0INTC1 Bank3 MFILVRC PAPACPAPUPAWUPXRM WDTCTBCPSCR EEAEEDPBPBCPBPUSIMTOCSIMC0SIMC1SIMDSIMC2/SIMA 38H39H3AH3BH3CH3DH3EH3FH40H41H42H43H44H45H46H47H48H49H4AH4BH4CH4DH4EH4FH50H51H52H53H54H55H56H57H58H59H5AH5BH5CH5DH5EH5FH60H Bank0Bank1Bank2Bank3PCPCC PCPUPTMC0PTMC1PTMDLPTMDHPTMALPTMAHEECPTMAHPTMAHPTMRPLPTMRPHTKTMRTKC0TK16DLTK16DHTKC1TKM016DLTKM016DHTKM0ROLTKM0ROHTKM0C0TKM0C1TKM116DLTKM116DHTKM1ROLTKM1ROHTKM1C0TKM1C1TKM216DLTKM216DHTKM2ROLTKM2ROHTKM2C0TKM2C1TKM316DLTKM316DHTKM3ROLTKM3ROHTKM3C0TKM3C1 37H 7FH :Unused,readas00H. 特殊功能数据存储器结构–BS83B16C Rev.1.40 29 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 特殊功能寄存器 大部分特殊功能寄存器的细节将在相关功能章节描述，但有几个寄存器需在此章节单独描述。
间接寻址寄存器–IAR0,IAR1 间接寻址寄存器IAR0和IAR1的地址虽位于数据存储区，但不同于普通寄存器，它们没有实际的物理地址。
与定义实际存储器地址的直接存储器寻址不同，间 接寻址是使用间接寻址寄存器和存储器指针来执行存储器数据操作。
在间接寻 址寄存器IAR0和IAR1上的任何动作，将对间接寻址寄存器MP0和MP1所指定的存储器地址产生对应的读/写操作。
它们总是成对出现，IAR0和MP0可以访问Bank0，而IAR1和MP1可以访问任何Bank。
因为这些间接寻址寄存器不是实际存在的，直接读取将返回“00H”的结果，而直接写入此寄存器则不做任何操作。
存储器指针–MP0,MP1 该系列单片机提供两个存储器指针，即MP0和MP1。
由于这些指针在数据存储器中能像普通的寄存器一般被操作，因此提供了一个寻址和数据追踪的有效方法。
当对间接寻址寄存器进行任何操作时，单片机指向的实际地址是由存储器指针所指定的地址。
MP0、IAR0用于访问Bank0，而MP1和IAR1可通过BP寄存器访问所有的Bank。
直接寻址仅可以用在Bank0中，所有Bank都可使用MP1和IAR1进行间接寻址。
以下例子说明如何清除一个具有4RAM地址的区块，它们已事先定义成地址adres1到adres4。
间接寻址程序举例 data.section´data´ adres1 db?
adres2 db?
adres3 db?
adres4 db?
block db?
code.sectionat0´code´ org00h start: mova,04h movblock,a mova,offsetadres1 movmp0,a loop: clrIAR0 incmp0 sdzblock jmploop continue: ;setupsizeofblock ;umulatorloadedwithfirstRAMaddress;setupmemorypointerwithfirstRAMaddress ;clearthedataataddressdefinedbymp0;incrementmemorypointer;checkiflastmemorylocationhasbeencleared 在上面的例子中有一点值得注意，即并没有确定RAM地址。
Rev.1.40 30 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 存储区指针–BP 数据存储器被分为几个部分。
可以通过设置存储区指针(BankPointer)值来访问不同的数据存储区。
BP指针的Bit0~1用于选择数据存储区的Bank0~
3。
复位后，数据存储器会初始化到Bank0，但是在暂停模式下的WDT溢出复位，选择的数据存储器Bank不会改变。
应该注意的是特殊功能数据存储器不受存储区的影响，也就是说，不论是在哪一个存储区，都能对特殊功能寄存器进行读写操作。
数据存储器的直接寻址总是访问Bank0，不影响存储区指针的值。
要访问Bank1~
3，则必须要使用间接寻址方式。
●BP寄存器–BS83B08C Bit
7 6
5 4
3 2
1 0 Name— — — — — — —DMBP0 R/W — — — — — — — R/W POR — — — — — — —
0 Bit7~1Bit0 未定义，读为“0” DMBP0：数据存储区选择位0：Bank01：Bank1 ●BP寄存器–BS83B12C/BS83B16C Bit
7 6
5 4
3 2
1 0 Name— — — — — —DMBP1DMBP0 R/W — — — — — — R/WR/W POR — — — — — —
0 0 Bit7~2Bit1~
0 未定义，读为“0” DMBP0：数据存储区选择位00：Bank001：Bank110：Bank211：Bank3 累加器–ACC 对任何单片机来说，累加器是相当重要的，且与ALU所完成的运算有密切关系，所有ALU得到的运算结果都会暂时存在ACC累加器里。
若没有累加器，ALU必须在每次进行如加法、减法和移位的运算时，将结果写入到数据存储器，这样会造成程序编写和时间的负担。
另外数据传送也常常牵涉到累加器的临时储存功能，例如在使用者定义的一个寄存器和另一个寄存器之间传送数据时，由于两寄存器之间不能直接传送数据，因此必须通过累加器来传送数据。
程序计数器低字节寄存器–PCL 为了提供额外的程序控制功能，程序计数器低字节设置在数据存储器的特殊功能区域内，程序员可对此寄存器进行操作，很容易的直接跳转到其它程序地址。
直接给PCL寄存器赋值将导致程序直接跳转到程序存储器的某一地址，然而由于寄存器只有8位长度，因此只允许在本页的程序存储器范围内进行跳转，而当使用这种运算时，要注意会插入一个空指令周期。
Rev.1.40 31 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 表格寄存器–TBLP,TBHP,TBLH 这三个特殊功能寄存器对存储在程序存储器中的表格进行操作。
TBLP和TBHP为表格指针，指向表格数据存储的地址。
它们的值必须在任何表格读取指令执行前加以设定，由于它们的值可以被如“INC”或“DEC”的指令所改变，这就提供了一种简单的方法对表格数据进行读取。
表格读取数据指令执行之后，表格数据高字节存储在TBLH中。
其中要注意的是，表格数据低字节会被传送到使用者指定的地址。
状态寄存器–STATUS 这8位的状态寄存器由零标志位(Z)、进位标志位(C)、辅助进位标志位(AC)、溢出标志位(OV)、暂停标志位(PDF)和看门狗定时器溢出标志位(TO)组成。
这些算术/逻辑操作和系统运行标志位是用来记录单片机的运行状态。
除了PDF和TO标志外，状态寄存器中的位像其它大部分寄存器一样可以被改变。
任何数据写入到状态寄存器将不会改变TO或PDF标志位。
另外，执行不同的指令后，与状态寄存器有关的运算可能会得到不同的结果。
TO标志位只会受系统上电、看门狗溢出或执行“CLRWDT”或“HALT”指令影响。
PDF标志位只会受执行“HALT”或“CLRWDT”指令或系统上电影响。
Z、OV、AC和C标志位通常反映最近运算的状态。
●C：当加法运算的结果产生进位，或减法运算的结果没有产生借位时，则
C 被置位，否则C被清零，同时C也会被带进位的移位指令所影响。
●AC：当低半字节加法运算的结果产生进位，或低半字节减法运算的结果没有产生借位时，AC被置位，否则AC被清零。
●Z：当算术或逻辑运算结果是零时，Z被置位，否则Z被清零。
●OV：当运算结果高两位的进位状态异或结果为1时，OV被置位，否则OV 被清零。
●PDF：系统上电或执行“CLRWDT”指令会清零PDF，而执行“HALT”指令则会置位PDF。
●TO：系统上电或执行“CLRWDT”或“HALT”指令会清零TO，而当WDT溢出则会置位TO。
另外，当进入一个中断程序或执行子程序调用时，状态寄存器不会自动压入到堆栈保存。
假如状态寄存器的内容是重要的且子程序可能改变状态寄存器的话，则需谨慎的去做正确的储存。
Rev.1.40 32 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 ●STATUS寄存器 Bit
7 6
5 4
3 2
1 0 Name— — TOPDFOV
Z AC
C R/W — —
R R R/WR/WR/WR/W POR — —
0 0 x x x x Bit7~6Bit5Bit4Bit3Bit2Bit1 “x”：未知 未定义，读为“0” TO：看门狗溢出标志位0：系统上电或执行“CLRWDT”或“HALT”指令后1：看门狗溢出发生 PDF：暂停标志位0：系统上电或执行“CLRWDT”指令后1：执行“HALT”指令 OV：溢出标志位0：无溢出1：运算结果高两位的进位状态异或结果为
1 Z：零标志位0：算术或逻辑运算结果不为01：算术或逻辑运算结果为
0 AC：辅助进位标志位0：无辅助进位1：在加法运算中低四位产生了向高四位进位，或减法运算中低四位不发生从高四位借位 Bit0 C：进位标志位 0：无进位 1：如果在加法运算中结果产生了进位，或在减法运算中结果不发生借位 C标志位也受循环移位指令的影响。
Rev.1.40 33 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 EEPROM数据存储器 该系列单片机的一个特性是内建EEPROM数据存储器。
EEPROM为电可擦可编程存储器，由于其非易失的存储结构，即使在电源掉电的情况下存储器内的数据仍然保存完好。
这种存储区扩展了存储器空间，对设计者来说增加了许多新的应用机会。
EEPROM可以用来存储产品编号、校准值、用户特定数据、系统配置参数或其它产品信息等。
EEPROM的数据读取和写入过程也会变的更简单。
单片机型号 容量 地址 BS83B08CBS83B12CBS83B16C 64×
8 00H~3FH EEPROM数据存储器结构 该系列单片机的EEPROM数据存储器容量为64×8位。
由于映射方式与程序存储器和数据存储器不同，因此不能像其它类型的存储器一样寻址。
使用所有Bank中的地址寄存器和数据寄存器以及Bank1中的一个控制寄存器，可以实现对EEPROM的单字节读写操作。
EEPROM寄存器 有三个寄存器控制内部EEPROM数据存储器总的操作。
地址寄存器EEA、数据寄存器EED及控制寄存器EEC。
EEA和EED可位于Bank0中，它们能像其它位于Bank0的特殊功能寄存器一样直接被访问。
EEC位于Bank1中，不能被直接访问，仅能通过MP1和IAR1进行间接读取或写入。
由于EEC控制寄存器位于Bank1中的“40H”，在EEC寄存器上的任何操作被执行前，MP1必须先设为“40H”，BP被设为“01H”。
寄存器 名称
7 EEA — EEDD7 EEC — 位
6 5
4 3
2 1
0 —EEA5EEA4EEA3EEA2EEA1EEA0 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 — — —WRENWRRDENRD EEPROM寄存器列表 ●EEA寄存器 Bit
7 Name— R/W — POR —
6 5
4 —EEA5EEA4 — R/WR/W —
0 0 Bit7~6Bit5~
0 未定义，读为“0”EEA5~EEA0：数据EEPROM地址数据EEPROM地址bit5~bit0 3EEA3R/W
0 2EEA2R/W
0 1EEA1R/W
0 0EEA0R/W
0 Rev.1.40 34 2021-08-27 BS83B08C/BS83B12C/BS83B16C增强型触控式Flash单片机 ●EED寄存器 Bit
7 6
5 4
3 2
1 0 NameD7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 R/WR/WR/WR/WR/WR/WR/WR/WR/W POR
0 0
0 0
0 0
0 0 Bit7~
0 D7~D0：EEPROM数据bit7~bit0 ●EEC寄存器 Bit
7 6
5 4
3 2
1 0 Name— — — —WRENWRRDENRD R/W — — — — R/WR/WR/WR/W POR — — — —
0 0
0 0 Bit7~
4 未定义，读为“0” Bit3 WREN：数据EEPROM写使能位 0：除能 1：使能 此位为数据EEPROM写使能位，向数据EEPROM写操作之前需将此位置高。
将此位清零时，则禁止向数据EEPROM写操作。
Bit2 WR：EEPROM写控制位 0：写周期结束 1：写周期有效 此位为数据EEPROM写控制位，由应用程序将此位置高将激活写周期。
写周期结束后，硬件自动将此位清零。
当WREN未先置高时，此位置高无效。
Bit1 RDEN：数据EEPROM读使能位 0：除能 1：使能 此位为数据EEPROM读使能位，向数据EEPROM读操作之前需将此位置高。
将此位清零时，则禁止向数据EEPROM读操作。
Bit0 RD：EEPROM读控制位 0：读周期结束 1：读周期有效 此位为数据EEPROM读控制位，由应用程序将此位置高将激活读周期。
读周期结束后，硬件自动将此位清零。
当RDEN未先置高时，此位置高无效。
注：
1.在同一条指令中WREN、WR、RDEN和RD不能同时置为“1”。
WR和RD不能同 时置为“1”。
2.确保fSUB时钟在执行写动作前已稳定。
3.确保写动作完成后才可改写EEPROM相关寄存器。
从EEPROM中
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