CY8C24223ACY8C24423A
PSoC®可编程片上系统
PSoC®可编程片上系统
特性
■性能强大的哈佛（Harvard）架构处理器❐M8C处理器的速度最高可达24MHz❐8×8乘法、32位累加运算能力❐能在高速度条件下实现低功耗操作❐工作电压范围：2.4V~5.25V❐使用片上开关电压泵（SMP）时，工作电压可低至1.0V❐工业温度范围：–40°C~+85°
C ■高级外设（PSoC®模块）❐6个轨至轨模拟PSoC模块提供了：•高达14位的模数转换器（ADC）•高达9位的数模转换器（DAC）•可编程增益放大器（PGA）•可编程滤波器和比较器❐4个PSoC数字模块，能够提供：•8位到32位的定时器和计数器，8位和16位的脉宽调制器（PWM）•循环冗余校验（CRC）和伪随机序列（PRS）模块•全双工通用异步收发器（UART）•多个串行外设接口（SPI）主设备或从设备•可连接到所有通用I/O（GPIO）引脚❐通过多个模块的组合，可构建复杂的外设 ■高精度、可编程时钟❐内部±5%24/48MHz主振荡器❐高精度，24MHz，带可选32kHz晶振和锁相环（PLL）❐可选外部振荡器，最高频率可达24MHz❐内部振荡器，能够实现看门狗和睡眠功能 ■灵活的片上存储器❐4KB闪速程序存储器，能实现50,000次的擦/写周期❐SRAM数据存储器的大小为256个字节❐系统内串行编程（ISSP）❐局部闪存更新❐灵活的保护模式❐闪存内仿真电擦除可编程只读存储器（EEPROM） ■可编程的引脚配置❐所有GPIO均支持25mA的灌电流和10mA的拉电流❐所有GPIO均可选择上拉、下拉、高阻、强驱动或开漏驱动等模式❐所有GPIO上均有8个标准的模拟输入，此外还有4个路由受限制的模拟输入❐所有GPIO上均有两个电流为30mA的模拟输出❐所有GPIO都能生成可配置中断 ■新的CY8C24x23APSoC器件❐由CY8C24x23器件派生❐低功耗和低电压（2.4V） ■其它系统资源❐I2C从设备、主设备和多主设备的频率可达400kHz❐看门狗和睡眠定时器❐用户可配置的低压检测（LVD）功能❐集成监控电路❐片上高精度参考电压 ■完整的开发工具❐免费的开发软件（PSoCDesigner™）❐功能齐全的在线仿真器（ICE）和编程器❐全速仿真❐复合断点结构❐128KB的跟踪存储器 逻辑框图 PSoCCORE Port2Port1Port0s SystemBus GlobalDigitalInterconnect GlobalAnalogInterconnect SRAM256Bytes InterruptController SROMFlash4KBCPUCore(M8C) SleepandWatchdog MultipleClockSources(IncludesIMO,ILO,PLL,andECO) DIGITALSYSTEM DigitalBlockArray ANALOG AnalogBlockArray SYSTEM AnalogRef AnalogInputMuxing DigitalClocks Multiplyum. Decimator I2C PORandLVDSystemResets SYSTEMRESOURCES InternalVoltage Ref. SwitchModePump 勘误表：有关芯片勘误表的信息，请查看第67页上的勘误表。
具体内容包括触发条件、受影响器件以及推荐的解决方案。
赛普拉斯半导体公司文档编号：001-94553版本*
A •198ChampionCourt •SanJose,CA95134-1709•408-943-2600 修订时间November11,2015 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 更多有关的信息 在赛普拉斯的网站上提供了大量资料，有助于选择符合您设计的PSoC器件，并能够快速有效地将该器件集成到您的设计中。
下面是PSoC1的简要列表： ■概况：PSoC产品系列、PSoC产品路线图■产品选型器：PSoC1、PSoC3、PSoC4、PSoC5LP。
此外，在创建新项目时，PSoCDesigner还提供一个PSoC1包含的器件选择工具。
■数据手册：描述并提供了适用于所有PSoC1器件系列的电气规范。
请访问PSoC1数据手册网站，获取一个完整列表。
■应用笔记和代码示例：❐要想获取代码示例的完整列表，请访问PSoC1代码示例❐赛普拉斯提供了大量PSoC应用笔记，包括从基本到高级的广泛主题。
下面列出的是PSoC1入门的应用笔记：•AN75320：PSoC®1入门•AN2094：PSoC®1—GPIO入门•AN2015：PSoC®1—闪存和E2PROM入门•AN2014：PSoC®1编程的基础知识•AN32200：PSoC®1—时钟和全局资源•AN2010：PSoC®1的最佳实践与建议 ■技术参考手册（TRM）： ❐请访问PSoC1技术手册网站以获取各个技术手册的完整列表。
以下文件将详细介绍CY8C2XXXXPSoC1系列器件的架构、编程规范与寄存器映射。
•PSoC1CY8C2XXXX技术手册•PSoC1ISSP编程规范 ■开发套件：❐CY3210-CY8C24x23PSoC(R)评估转接板（EvalPod）是一个28引脚PDIP适配器，可以将任意PSoC器件无缝连接至任意赛普拉斯PSoC开发套件上的PDIP连接器。
CY3210-24x23提供了在任意PSoC开发套件上CY8C24x23APSoC器件系列的评估。
PSoC开发套件是单独销售的。
❐请访问PSoC®1套件网站并参考套件选择器指南文件，以查找适用于所有PSoC1系列的开发套件和调试器。
■CY3217-MiniProg1和CY8CKIT-002PSoC®MiniProg3器件提供用于闪存编程的接口。
■知识库文章（KBA）：提供了专家对器件/套件的设计和应用技巧。
例如，通过固件进行闪存读/写访问，将会说明如何在PSoC1器件中对闪存进行读和写操作 PSoCDesigner PSoCDesigner是基于Windows的免费集成设计环境（IDE）。
通过它可以同时在基于CapSense的系统中设计硬件和固件（请参见图1）。
通过PSoCDesigner，您可以：
1.将用户模块图标施放到主要设计工作区中，以进行您的硬件
3.配置用户模块 系统设计
2.使用PSoCDesigner集成开发环境C编译器对您的应用固件 和PSoC硬件进行协同设计
4.了解用户模块库
5.查看用户模块数据手册 图
1.PSoCDesigner的功能 13
2 5
4 文档编号：001-94553版本*
A 页2/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 目录 PSoC功能概述...................................................................4PSoC内核...................................................................4数字系统......................................................................4模拟系统......................................................................5其它系统资源...............................................................6PSoC器件特性............................................................6 入门....................................................................................7应用笔记......................................................................7开发套件......................................................................7培训.............................................................................7CYPros顾问................................................................7解决方案库..................................................................7技术支持......................................................................7 开发工具.............................................................................8PSoCDesigner软件子系统.........................................8 使用PSoCDesigner进行设计..........................................9选择用户模块...............................................................9配置用户模块...............................................................9组织和连接..................................................................9生成、验证和调试........................................................9 引脚分布...........................................................................108引脚器件的引脚分布...............................................1020引脚器件的引脚分布............................................1128引脚器件的引脚分布............................................1232引脚器件的引脚分布.............................................1356引脚器件的引脚分布.............................................14 寄存器参考........................................................................15寄存器规范................................................................15寄存器映射表.............................................................15 电气规范...........................................................................18最大绝对额定值.........................................................18工作温度....................................................................19直流电气特性.............................................................19 交流电气特性.............................................................37封装信息...........................................................................51 封装尺寸....................................................................51热阻..........................................................................57晶振引脚上的电容.....................................................57回流焊规范................................................................57开发工具选择....................................................................58软件...........................................................................58开发套件....................................................................58评估工具....................................................................58器件编程器................................................................59附件（仿真和编程）..................................................59 订购信息...........................................................................60订购代码定义.............................................................60 缩略语...............................................................................61所使用的缩略语.........................................................61 参考文档...........................................................................61 文档规范...........................................................................62测量单位....................................................................62数字规范....................................................................62 术语表...............................................................................62 勘误表...............................................................................67受影响的器件型号......................................................67CY8C24123A合格状态.............................................67CY8C24123A勘误表摘要.........................................67 文档修订记录....................................................................68 销售、解决方案和法律信息..............................................69全球销售和设计支持..................................................69产品...........................................................................69PSoC®解决方案.......................................................69赛普拉斯开发者社区..................................................69技术支持....................................................................69 文档编号：001-94553版本*
A 页3/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A PSoC功能概述 PSoC系列包含许多带片上控制器器件的可编程片上系统。
这些器件用于使用一个低成本的单芯片可编程组件替代多个基于MCU的传统系统组件。
PSoC器件包含多个可配置的模拟和数字逻辑模块，以及可编程互连。
这种架构可帮助您创建符合每个应用要求的自定义外设配置。
此外，在一系列方便易用的引脚布局和封装中还包含快速CPU、闪速程序存储器、SRAM数据存储器和可配置的I/O。
PSoC架构由以下4个主要部分组成：PSoC内核、数字系统、模拟系统和系统资源，如图2所示。
利用可配置的全局总线，可将所有器件资源整合到一个完全定制的系统中。
PSoCCY8C24x23A系列有多达3个I/O端口，用于连接到全局数字和模拟互连，并能够访问4个数字模块和6个模拟模块。
PSoC内核 PSoC内核是一个支持多种功能的强大引擎。
该内核包含了CPU、存储器、时钟和可配置GPIO。
M8CCPU内核是一个速度高达24Hz的强大处理器，能够提供一个4MIPS的8位哈佛架构微处理器。
CPU使用带有11个向量的中断控制器，能够简化实时嵌入式事件的编程。
程序执行流程由附带的睡眠定时器和看门狗定时器（WDT）提供定时和保护功能。
存储器包括用于存储程序的4KB闪存，用于存储数据的256字节SRAM以及使用闪存仿真的2KBEEPROM。
程序闪存在64字节的模块上采用四个保护级别，能够提供自定义的软件IP保护功能。
PSoC器件采用多个灵活的内部时钟发生器，其中包括在有效工作温度和电压下精度高达±2.5%到±5%的24MHz内部主振荡器（IMO）[1]。
24MHzIMO的频率还可以倍增至48MHz，以便供数字系统使用。
PSoC器件为睡眠定时器和WDT提供了一个低功耗的32kHz内部低速振荡器（ILO）。
如果对晶振的精度有要求，那么可将ECO（32.768kHz外部晶体振荡器）作为实时时钟（RTC）使用。
通过使用一个PLL，该时钟可选择性地生成晶振精度的24MHz系统时钟。
时钟以及可编程时钟分频器（属于系统资源）具有高度的灵活性，能够使PSoC器件满足几乎所有时序要求。
通过PSoCGPIO，可以连接到器件的CPU、数字模块和模拟模块。
可将每个引脚设置为8种驱动模式中的任何一种。
这样，在进行外部连接方面具有极大的灵活性。
每个引脚还能够在高电平、低电平以及自上次读取后发生变化时生成系统中断。
数字系统数字系统由4个数字PSoC模块组成。
每个模块均是一个8位资源，既可以单独使用，也可以与其他模块一起组成8、16、24和32位的外设（称为用户模块参考）。
图
2.数字系统框图 Port2 Port1 Port0 DigitalClocksFromCore ToSystemBus ToAnalogSystem 88 DIGITALSYSTEM DigitalPSoCBlockArray Row0
4 DBB00 DBB01 DCB02 DCB034 88 RowInputConfiguration RowOutputConfiguration GIE[7:0]GIO[7:0] GlobalDigitalInterconnect GOE[7:0]GOO[7:0] 数字外设配置包括： ■PWM（8位和16位） ■带死区的PWM（8位和16位） ■计数器（8到32位） ■定时器（8到32位） ■带可选奇偶校验位的8位UART ■SPI主/从接口■I2C从/多主接口（其中一个可作为系统资源） ■CRC发生器（8到32位）■IrDA ■PRS生成器（8到32位）通过一系列能够将任意信号路由到任意引脚的全局总线，数字模块可以连接到任何GPIO。
此外，通过总线还可以实现信号复用和执行逻辑运算。
这种可配置特性使设计不再受固定外设控制器的限制。
数字模块采用了四个一行的排列方式，具体的模块数量会因PSoC器件系列不同而存在差别。
这样，您可以根据应用选择系统资源。
关于此产品系列的资源，请参见第6页上的表
1。
注释：
1.勘误表：器件在0°C到70°C温度范围内运行时，频率容差会下降到±2.5%。
如果以极限温度（0°C以下或70°C以上）运行，频率容差将从±2.5%偏差到±5%。
更多有关信息，请参见第67页上的勘误表。
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A 页4/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 模拟系统模拟系统包括六个可配置的模块，每个模块均有一个能够创建复合模拟信号流的运算放大器电路。
模拟外设非常灵活，并能够根据具体的应用要求进行自定义。
一些更加常用的PSoC模拟功能（大多数以用户模块的方式提供）包括： ■ADC（最多2个，6到14位分辨率，可选择为增量、DeltaSigma和SAR模式） ■滤波器（2极和4极带通、低通和陷波滤波器） ■放大器（最多2个，可选增益达48x） ■仪表放大器（1个，可选增益达93x） ■比较器（最多2个，有16个可选阈值） ■DAC（最多2个，6到9位分辨率） ■乘法DAC（最多2个，6到9位分辨率） ■大电流输出驱动器（2个，驱动电流为30mA，并作为PSoC内核资源） ■1.3V参考电压（作为系统资源） ■DTMF拨号器 ■调制器 ■相关器 ■峰值检测器 ■可以使用其他许多拓扑模拟模块都采用三个一列的排列方式，其中包括一个连续时间（CT）和两个开关电容（SC）模块，如图3所示。
图
3.模拟系统框图 P0[7]P0[5]P0[3]P0[1] P2[3] P2[1] AGNDInRefIn P0[6]P0[4]P0[2]P0[0]P2[6] P2[4]P2[2]P2[0] ArrayInputConfiguration ACI0[1:0] ACI1[1:0] BlockArray ACB00 ACB01 ASC10 ASD11 ASD20 ASC21 InterfacetoDigitalSystem RefHiRefLoAGND AnalogReference ReferenceGenerators AGNDInRefInBandgap M8CInterface(AddressBus,DataBus,Etc.) 文档编号：001-94553版本*
A 页5/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 其它系统资源 系统资源能够提供对整个系统非常有用的附加功能。
某些系统资源已在前面章节中列出。
除此之外，还包括乘法器、抽取滤波器、开关电压泵、低压检测和上电复位（POR）。
下面内容介绍了每种系统资源的优势： ■数字时钟分频器能够提供三个可自定义的时钟频率，以便在应用中使用。
这些时钟既可被路由到数字系统，又可被路由到模拟系统。
通过将数字PSoC模块作为时钟分频器使用，可以生成更多时钟。
■乘累加（MAC）资源能够提供具有32位累加运算能力的8位快速乘法器，以便协助通用计算和数字滤波器。
■抽取滤波器能够针对数字信号处理应用（包括创建DeltaSigmaADC）提供自定义的硬件滤波器。
■I2C模块通过两条线路提供了100kHz和400kHz的通信。
支持从/主和多主接口。
■低压检测（LVD）中断可以在电压下降时向应用发出信号，而高级POR电路则能够消除系统监控方面的需要。
■1.3V的内部参考电压为ADC、DAC等模拟系统提供了一个绝对的参考电压。
■集成开关电压泵通过单个1.2V的电池可生成正常的工作电压，从而提供一个低成本的升压转换器。
PSoC器件特性根据PSoC器件的特性，数字和模拟系统可具有16、8或4个数字模块，以及12、6或4个模拟模块。
第6页上的表1列出了特定PSoC器件系列所提供的资源。
本数据手册中介绍的PSoC器件是该表中突出显示的器件。
表
1.PSoC器件特性 PSoC器件型号CY8C29x66CY8C28xxxCY8C27x43CY8C24x94CY8C24x23ACY8C23x33CY8C22x45CY8C21x45CY8C21x34CY8C21x23CY8C20x34CY8C20xx6 数字I/O 多达64个多达44个多达44个多达56个多达24个多达26个多达38个多达24个多达28个多达16个多达28个多达36个 数字行
4 多达3个2111211100 数字模块16 多达12个8444844400 模拟输入多达12个多达44个多达12个多达48个多达12个多达12个多达38个多达24个多达28个多达8个多达28个多达36个 模拟输出
4 多达4个4222000000 模拟列
4 多达6个4222442200 模拟模块 12多达12+4[2] 12 6 6 46[2]6[2]4[2]4[2]3[2、3]3[2、3] SRAM大小2K1K2561K2562561K512512256512 多达2K 闪存大小32K16K16K16K4K8K16K8K8K4K8K 多达32K 注释：
2.有限的模拟功能。
3.两个模拟模块和一个CapSense®。
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A 页6/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 入门 有关详细信息及详细的编程信息，请参见PSoC®技术参考手册。
如需最新的订购、封装和电气规范信息，请参见网站上最新的PSoC器件数据手册。
应用笔记赛普拉斯应用笔记是对各种各样的PSoC设计方案提供的完美介绍。
开发套件PSoC开发套件可在线获得，也可以从不断增加的地区和全球分销商（包括Arrow、、Digi-Key、Farnell、FutureElectronics和Newark）那里获得。
培训网址下所在的在线免费PSoC技术培训（按需提供的培训、在线研讨会和专题讨论会）包含了有助于您进行设计的大量主题和技能。
CYPros顾问从技术协助到完整的PSoC设计，经过得到认证的PSoC顾问能够提供一切支持。
要联系或成为PSoC顾问，请访问CYPros顾问网站。
解决方案库 请访问我们的以解决方案为中心且内容持续更新的设计库。
您可以从中找到各种应用设计，包括有助于快速完成设计的固件和硬件设计文件。
技术支持 也可以在线获得技术支持（包括可搜索的知识库文章和技术论坛）。
如果找不到问题的答案，请致电1-800-541-4736联系技术支持。
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A 页7/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 开发工具 PSoCDesigner™是革新的集成开发环境（IDE），您可以用来自定义PSoC以满足特定的应用需求。
PSoCDesigner软件可加快系统的设计和上市进程。
在拖放式设计环境中使用预先设定的模拟和数字外设库（也称为用户模块）来开发您的应用程序。
然后，利用动态生成的应用编程接口（API）代码库来自定义您的设计。
最后，使用集成调试环境（包括在线仿真和标准的软件调试功能）来调试并测试您的设计。
PSoCDesigner包括： ■应用编辑器图形用户界面（GUI），用于配置和动态重新配置器件和用户模块 ■内容丰富的用户模块目录 ■集成的源码编辑器（C语言和汇编语言） ■免费的C语言编译器（无大小限制或时间限制） ■内置调试器 ■在线仿真 ■通信接口内置支持：❐硬件和软件I2C从设备和主设备❐全速USB2.0❐最多四个全双工通用异步收发器（UART）、SPI主设备和从设备及无线 PSoCDesigner支持PSoC1器件的整个库，并可在WindowsXP、WindowsVista和Windows7操作系统上运行。
PSoCDesigner软件子系统 设计入口 在芯片级视图中，选择需要使用的基本器件。
然后选择不同的板上模拟和数字组件（又称用户模块）。
这些组件采用了PSoC模块。
例如，用户模块有模数转换器（ADC）、数模转换器（DAC）、放大器和滤波器。
为所选应用配置用户模块，且将它们互连并连接至适当的引脚。
然后生成项目。
这样会在项目中加入API和库，您可以使用它们来对应用进行编程。
通过此工具，用户还可以轻松开发多个配置和动态重新配置。
利用动态重新配置，可在运行时更改配置。
本质上，这样让您能够使用超过100%的PSoC特定应用资源。
代码生成工具 这些代码生成工具能够在PSoCDesigner界面内无缝工作，并已采用一整套调试工具进行测试.您可以使用C语言、汇编语言或两者进行开发设计。
汇编器。
汇编器可使汇编代码与C语言代码无缝合并。
链接库会自动使用绝对寻址，或在相对模式下进行编译，然后与其他软件模块连接，以实现绝对寻址。
C语言编译器。
C语言编译器支持PSoC系列器件。
这些产品可让您为PSoC系列器件创建完整的C语言程序。
优化的C语言编译器能够对PSoC架构提供C语言的所有功能。
此外，还提供了各个嵌入式库。
这些库能够提供端口和总线操作、标准键盘和显示器支持，以及扩展的数学功能。
调试器 PSoCDesigner提供的调试环境具有硬件在线仿真功能，不仅可以提供PSoC器件的内部视图，而且可让您在物理系统中测试程序。
借助调试器命令，可对数据存储器进行读/编程及读/写操作，对I/O寄存器进行读/写操作。
可对CPU寄存器进行读写操作、设置和清除断点，以及提供程序运行、暂停和步进控制。
调试器还可让您创建相关寄存器和存储器位置的跟踪缓冲器。
在线帮助系统 在线帮助系统可提供上下文关联的在线帮助。
每个功能子系统都有上下文关联的帮助，以便提供程式化的快速参考。
此外，为了协助设计人员，该系统还提供了相关的教程和常见问题解答链接，以及在线支持论坛链接。
在线仿真器 功能强大的低成本在线仿真器（ICE）可支持开发工作。
该工具可以编程单个器件。
仿真器包含一个通过USB端口连接到PC的基本装置。
这个基本装置是通用的，它能够与所有的PSoC器件一起使用。
每个器件系列的仿真转接板（EmulationPod）都可单独购买。
仿真转接板取代了目标电路板中的PSoC器件并可执行全速（24MHz）操作。
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A 页8/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 使用PSoCDesigner进行设计 PSoC器件的开发过程不同于传统固定功能微处理器的。
可配置的模拟和数字硬件模块赋予PSoC架构独特的灵活性，有助于在开发期间管理规范变更，并降低库存成本。
这些可配置的资源（称为PSoC模块）能够实现许多用户可选的功能。
PSoC开发过程如下：
6.选择用户模块。
7.配置用户模块。
8.组织和连接。
9.生成、验证和调试。
选择用户模块 PSoCDesigner提供了一个预建且预测试的硬件外设组件库，被称为“用户模块”。
使用用户模块可使选择和实现外设器件（包括模拟和数字器件）变得非常简单。
配置用户模块 所选择的每个用户模块都能够建立基本寄存器设置用于实现所选功能。
此外，它们还提供参数和属性，以便您针对特定应用来自定义精确配置。
例如，PWM用户模块能够配置一个或多个数字PSoC模块（每8位分辨率使用一个模块）。
借助这些参数，您可以确定脉宽和占空比。
根据所选应用配置相应的参数和属性。
您可以直接输入某个值或从下拉菜单中选择。
数据手册中已经记录好了所有用户模块，并且您可以在PSoCDesigner软件中或赛普拉斯网站上直接查询。
这些用户模块数据手册介绍了用户模块的内部操作并提供了性能规范。
每个数据手册均描述了各个用户模块参数的用途，以及成功实现设计所需要的其他信息。
组织和连接 通过将用户模块互连，并与I/O引脚连接，您可以在芯片级构建信号链。
通过选择、配置和布线等操作，您可以全面控制所有的片上资源。
生成、验证和调试 当测试硬件配置准备就绪或接下来要开发项目代码时，请执行“生成配置文件”这一步骤。
这样会使PSoCDesigner生成源代码，该源代码会自动按照您的规范配置器件，并为系统提供软件。
生成的代码提供了带有高级函数的API，用于在运行时控制并响应硬件事件。
同时，还提供了可根据需要调整的中断服务子程序。
完善的代码开发环境可让您使用C语言和/或汇编语言来开发和自定义应用。
开发过程的最后一步是在PSoCDesigner的调试器（单击Connect图标进行访问）中完成的。
PSoCDesigner会将HEX文件下载到全速运行的在线仿真器（ICE）中。
PSoCDesigner的调试功能不差于具有类似功能但成本高出数倍的系统。
除了传统的单步执行、运行到断点以及监视变量等功能外，调试接口还提供了大型跟踪缓冲器。
这样，您可以定义复杂的断点事件，如监控地址和数据总线值、存储器位置以及外部信号。
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A 页9/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 引脚分布 本节说明、列出并阐释了CY8C24x23APSoC器件的引脚和引脚分布配置。
（带“P”标签的）任何端口引脚均能用作为数字I/O（VSS、VDD、SMP和XRES引脚除外）。
8引脚器件的引脚分布 表2.8引脚PDIP和SOIC 引脚编号 123 类型 数字模拟 I/O I/O I/O I/O I/O 引脚名称 P0[5]P0[3]P1[1]
4 电源
5 I/O VSSP1[0]
6 I/O IP0[2]
7 I/O IP0[4]
8 电源 VDD 说明 模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入和列输出晶振输入（XTALin）、I2C串行时钟（SCL）、ISSP-SCLK[4]接地晶振输出（XTALout）、I2C串行数据（SDA）、ISSP-SDATA[4]模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压 图
4.CY8C24123A8引脚PSoC器件
A,IO,P0[5]
A,IO,P0[3]I2CSCL,XTALin,P1[1] VSS
1 8 2PDIP7 3SOIC6
4 5 VDDP0[4],
A,IP0[2],
A,IP1[0],XTALout,I2CSDA 注意：A=模拟，I=输入、O=输出。
注释：
4.这些都是ISSP引脚，它们在上电复位时并非处于高阻态模式。
有关详细信息，请参见《PSoC技术参考手册》。
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A 页10/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 20引脚器件的引脚分布 表3.20-PDIP、SSOP和SOIC 引脚编号 1234567891011121314151617181920 类型 数字模拟 I/O
I I/O I/O I/O I/O I/O
I 电源I/OI/OI/OI/O 电源I/OI/OI/OI/O 输入 I/O
I I/O
I I/O
I I/O
I 电源 引脚名称 P0[7]P0[5]P0[3]P0[1]SMPP1[7]P1[5]P1[3]P1[1]VSSP1[0]P1[2]P1[4]P1[6]XRESP0[0]P0[2]P0[4]P0[6]VDD 说明 模拟列复用器输入模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入SMP连接至所需的外部组件I2CSCLI2CSDA XTALin、I2CSCL、ISSP-SCLK[5]接地。
XTALout、I2CSDA、ISSP-SDATA[5] 可选外部时钟输入（EXTCLK） 采用内部下拉电阻的高电平有效外部复位模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压 注意：A=模拟、I=输入和O=输出。
图
5.CY8C24223A20引脚PSoC器件
A,I,P0[7]
1 A,IO,P0[5]
2 A,IO,P0[3]
3 A,
I,P0[1]
4 SMP
5 I2CSCL,P1[7]
6 I2CSDA,P1[5]
7 P1[3]
8 I2CSCL,XTALin,P1[1]
9 VSS10 PDIPSSOPSOIC 20VDD19P0[6],
A,I 18P0[4],
A,I17P0[2],
A,I16P0[0],
A,I15XRES14P1[6]13P1[4],EXTCLK12P1[2]11PI21C[0S],DXATALout, 注释：
5.这些是ISSP引脚，它们在上电复位时不处于高阻态模式。
有关详细信息，请参见《PSoC技术参考手册》。
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A 页11/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 28引脚器件的引脚分布 表4.28引脚PDIP、SSOP和SOIC 引脚编号 12345678910111213141516171819202122232425262728 类型 数字I/O 模拟
I I/O I/O I/O I/O I/O
I I/O I/O I/O
I I/O
I 电源I/O I/O I/O I/O 电源I/O I/O I/O I/O 输入 I/O
I I/O
I I/O I/O I/O
I I/O
I I/O
I I/O
I 电源 引脚名称 P0[7]P0[5]P0[3]P0[1]P2[7]P2[5]P2[3]P2[1]SMPP1[7]P1[5]P1[3]P1[1]VSSP1[0]P1[2]P1[4]P1[6]XRESP2[0]P2[2]P2[4]P2[6]P0[0]P0[2]P0[4]P0[6]VDD 说明 模拟列复用器输入模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入 直接开关电容模块输入直接开关电容模块输入SMP连接至所需的外部组件I2CSCLI2CSDA XTALin、I2CSCL、ISSP-SCLK[6]接地。
XTALout、I2CSDA、ISSP-SDATA[6] 可选的EXTCLK 采用内部下拉电阻的高电平有效外部复位直接开关电容模块输入直接开关电容模块输入外部模拟接地（AGND）外部电压参考（VREF）模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压 注意：A=模拟，I=输入和O=输出。
图
6.CY8C24423A28引脚PSoC器件
A,I,P0[7]
1 A,IO,P0[5]
2 A,IO,P0[3]
3 A,
I,P0[1]
4 P2[7]
5 P2[5]
6 A,
I,P2[3]
7 A,
I,P2[1]
8 SMP
9 I2CSCL,P1[7]10 I2CSDA,P1[5]11 P1[3]12 I2CSCL,XTALin,P1[1]13 VSS14 PDIPSSOPSOIC 28VDD27P0[6],
A,I26P0[4],
A,I 25P0[2],
A,I24P0[0],
A,I23P2[6],ExternalVRef 22P2[4],ExternalAGND21P2[2],
A,I 20P2[0],
A,I19XRES18P1[6] 17P1[4],EXTCLK16P1[2]15P1[0],XTALout,I2CSDA 不能用于生产 注释：
6.这些是ISSP引脚，它们在上电复位时并非处于HighZ模式。
有关详细信息，请参见《PSoC技术参考手册》。
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A 页12/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 32引脚器件的引脚分布 表5.32引脚QFN[7] 引脚编号 1234567891011121314151617181920212223242526272829303132 类型 数字I/O 模拟 I/O I/O
I I/O
I 电源 电源I/O I/O I/OI/O 电源I/OI/OI/O I/O 输入 I/O
I I/O
I I/O I/O I/O
I I/O
I I/O
I I/O
I 电源 I/O
I I/O I/O I/O I/O I/O
I 引脚
名称 P2[7]P2[5]P2[3]P2[1]VSSSMPP1[7]P1[5]NCP1[3]P1[1]VSSP1[0]P1[2]P1[4]NCP1[6]XRESP2[0]P2[2]P2[4]P2[6]P0[0]P0[2]NCP0[4]P0[6]VDDP0[7]P0[5]P0[3]P0[1] 注意：A=模拟，I=输入、O=输出。
说明 直接开关电容模块输入直接开关电容模块输入接地SMP连接至所需的外部组件I2CSCLI2CSDA无连接。
引脚必须处于悬空状态 XTALin、I2CSCL、ISSP-SCLK[8]接地XTALout、I2CSDA、ISSP-SDATA[8] 可选的EXTCLK无连接。
引脚必须处于悬空状态 采用内部下拉电阻的高电平有效外部复位直接开关电容模块输入直接开关电容模块输入外部AGND外部VREF模拟列复用器输入模拟列复用器输入无连接。
引脚必须处于悬空状态模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压模拟列复用器输入模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入 NC9P1[3]10I2CSCL,XTALin,P1[1]11 VSS12I2CSDA,XTALout,P1[0]13 P1[2]14EXTCLK,P1[4]15 NC16 图
7.CY8C24423A32引脚PSoC器件 32P0[1],
A,I31P0[3],
A,IO30P0[5],
A,IO29P0[7],
A,I28VDD27P0[6],
A,I26P0[4],
A,I25NC P2[7]1P2[5]2A,
I,P2[3]3A,
I,P2[1]
4 VSS5SMP6I2CSCL,P1[7]7I2CSDA,P1[5]
8 QFN(TopView) 24P0[2],
A,I23P0[0],
A,I 22P2[6],ExternalVRef21P2[4],ExternalAGND20P2[2],
A,I19P2[0],
A,I18XRES17P1[6] 注释：
7.QFN封装上的中心焊盘必须接地（VSS），以获得最佳的机械、热学和电气性能。
如果中心焊盘未接地，则必须使其处于电气悬空状态，不能连接到其他任何信号。
8.这些是ISSP引脚，它们在上电复位时不处于高阻态模式。
有关详细信息，请参见《PSoC技术参考手册》。
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A 页13/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 56引脚器件的引脚分布56引脚SSOP器件用于CY8C24000A片上调试（OCD）PSoC器件。
注意：此器件仅用于在线调试。
不能用于生产。
表6.56引脚SSOPOCD 引脚编号 类型 数字 模拟 引脚名称 说明
1 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态
2 I/O
I P0[7] 模拟列复用器输入
3 I/O
I P0[5] 模拟列复用器输入和列输出
4 I/O
I P0[3] 模拟列复用器输入和列输出
5 I/O
I P0[1] 模拟列复用器输入
6 I/O P2[7]
7 I/O P2[5]
8 I/O
I P2[3] 直接开关电容模块输入
9 I/O
I P2[1] 直接开关电容模块输入 10 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 11 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 12 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 13 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 14 OCD 15 OCD 16 电源 17 OCDE
OCDOSMPNC OCD偶数据I/OOCD奇数据输出SMP连接至所需的外部组件无连接。
引脚必须处于悬空状态 18 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 19 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 20 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 21 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 22 23 I/O NC
P1[7] 无连接。
引脚必须处于悬空状态I2CSCL 24 I/O P1[5] I2CSDA 25 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 26 I/O P1[3] 27 I/O 28 电源 29 P1[1]VDDNC XTALin、I2CSCL、ISSP-SCLK[9]供电电压无连接。
引脚必须处于悬空状态 30 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 31 I/O 32 I/O P1[0]P1[2] XTALout、I2CSDA、ISSP-SDATA[9] 33 I/O 34 I/O P1[4]P1[6] 可选的EXTCLK 35 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 36 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 37 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 38 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 39 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 40 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 41 输入 XRES
采用内部下拉电阻的高电平有效外部复位。
42 OCD 43 OCD 44 HCLKCCLKNC OCD高速时钟输出。
OCDCPU时钟输出。
无连接。
引脚必须处于悬空状态 45 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 46 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 47 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 48 I/O
I P2[0] 直接开关电容模块输入。
49 I/O
I P2[2] 直接开关电容模块输入。
50 I/O 51 I/O 52 I/O P2[4] 外部
AGND。
P2[6] 外部VREF。
I P0[0] 模拟列复用器输入。
53 I/O
I P0[2] 模拟列复用器输入和列输出。
54 I/O
I P0[4] 模拟列复用器输入和列输出。
55 I/O
I P0[6] 模拟列复用器输入。
56 电源 VDD 供电电压。
注意：A
=模拟、I=输入、O=输出和OCD=片上调试。
图
8.CY8C24000A56引脚PSoC器件 NC1AI,P0[7]2AIO,P0[5]3AIO,P0[3]4AI,P0[1]
5 P2[7]6P2[5]7AI,P2[3]8AI,P2[1]
9 NC10 NC11NC12NC13 OCDE14 OCDO15SMP16NC17NC18NC19NC20NC21NC22 I2CSCL,P1[7]23 I2CSDA,P1[5]24NC25 P1[3]26 SCLK,I2CSCL,XTALIn,P1[1]27 VSS28 SSOP 56VDD55P0[6],AI54P0[4],AIO53P0[2],AIO52P0[0],AI51P2[6],ExternalVRef50P2[4],ExternalAGND49P2[2],AI48P2[0],AI 47NC 46NC45NC 44NC 43CCLK42HCLK 41XRES40NC39NC38NC37NC36NC35NC34P1[6] 33P1[4],EXTCLK32P1[2] 31P1[0],XTALOut,I2CSDA,SDATA30NC 29NC 注释：
9.这些是ISSP引脚，它们在上电复位时并非处于HighZ模式。
有关详细信息，请参见《PSoC技术参考手册》。
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A 页14/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 寄存器参考 本节列出了CY8C24x23APSoC器件中的各个寄存器。
更多有关寄存器的信息，请查看PSoC可编程片上系统参考手册。
寄存器规范 所使用的缩略语下表列出了本节中特定的寄存器规范。
表
7.缩略词 规范RWLC# 说明读取寄存器或位写入寄存器或位逻辑寄存器或位可清除的寄存器或位由位决定的访问 寄存器映射表 PSoC器件共有512个字节的寄存器地址空间。
该寄存器空间（也称I/O空间）被分为两个组，分别为组0和组
1。
标记寄存器（CPU_F）中的XOI位用于确定用户当前位于哪个组。
XOI位被设置时，用户位于组1中。
注意：在以下寄存器映射表中，空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
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A 页15/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 表
8.寄存器映射组0表格：用户空间 名称PRT0DR 地址（
0，十六进制）访问 00 RW PRT0IE 01 RW PRT0GS 02 RW PRT0DM203 RW PRT1DR 04 RW PRT1IE 05 RW PRT1GS 06 RW PRT1DM207 RW PRT2DR 08 RW PRT2IE 09 RW PRT2GS 0A RW PRT2DM20B RW 0C 0D 0E 0F 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F DBB00DR0
20 # DBB00DR121
W DBB00DR222 RW DBB00CR023 # DBB01DR024 # DBB01DR125
W DBB01DR226 RW DBB01CR027 # DCB02DR028 # DCB02DR129
W DCB02DR22A RW DCB02CR02B # DCB03DR02C # DCB03DR12D
W DCB03DR22E RW DCB03CR02F # 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 空白字段均被保留，不能访问这些字段。
名称 AMX_IN
ARF_CRCMP_CR0ASY_CRCMP_CR1 ACB00CR3ACB00CR0ACB00CR1ACB00CR2ACB01CR3ACB01CR0ACB01CR1ACB01CR2 地址（
0，十六进制）404142434445464748494A4B4C4D4E4F505152535455565758595A5B5C5D5E5F606162636465666768696A6B6C6D6E6F707172737475767778797A7B7C7D7E7F 访问 RWRW##RW RWRWRWRWRWRWRWRW 名称ASC10CR0 地址（
0，十六进制）80 ASC10CR181 ASC10CR282 ASC10CR383 ASD11CR0 84 ASD11CR1 85 ASD11CR2 86 ASD11CR3 87 88 89 8A 8B 8C 8D 8E 8F ASD20CR0
90 ASD20CR191 ASD20CR292 ASD20CR393 ASC21CR094 ASC21CR195 ASC21CR296 ASC21CR397 98 99 9A 9B 9C 9D 9E 9F A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF RDI0RI B0 RDI0SYN B1 RDI0IS B2 RDI0LT0 B3 RDI0LT1 B4 RDI0RO0 B5 RDI0RO1 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF #
表示由位决定的访问。
访问RWRWRWRWRWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRW 名称 I2C_CFGI2C_SCRI2C_DRI2C_MSCRINT_CLR0INT_CLR1INT_CLR3INT_MSK3INT_MSK0INT_MSK1INT_VCRES_WDTDEC_DHDEC_DLDEC_CR0DEC_CR1MUL_XMUL_YMUL_DHMUL_DLACC_DR1ACC_DR0ACC_DR3ACC_DR2 CPU_
F CPU_SCR1CPU_SCR0 地址（
0，十六进制）C0C1C2C3C4C5C6C7C8C9CACBCCCDCECFD0D1D2D3D4D5D6D7D8D9DADBDCDDDEDFE0E1E2E3E4E5E6E7E8E9EAEBECEDEEEFF0F1F2F3F4F5F6F7F8F9FAFBFCFDFEFF 访问 RW#RW#RWRWRWRWRWRWRCWRCRCRWRWWWRRRWRWRWRW RL ## 文档编号：001-94553版本*
A 页16/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 表0-
1.寄存器映射组1表：配置空间 名称PRT0DM0PRT0DM1PRT0IC0PRT0IC1PRT1DM0PRT1DM1PRT1IC0PRT1IC1PRT2DM0PRT2DM1PRT2IC0PRT2IC1 DBB00FNDBB00INDBB00OUDBB01FNDBB01INDBB01OUDCB02FNDCB02INDCB02OUDCB03FNDCB03INDCB03OU 地址（
1，十六进制）000102030405060708090A0B0C0D0E0F101112131415161718191A1B1C1D1E1F202122232425262728292A2B2C2D2E2F303132333435363738393A3B3C3D3E3F 访问RWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRW 名称 CLK_CR0CLK_CR1ABF_CR0AMD_CR0AMD_CR1ALT_CR0 ACB00CR3ACB00CR0ACB00CR1ACB00CR2ACB01CR3ACB01CR0ACB01CR1ACB01CR2 空白字段均被保留，不能访问这些字段。
地址（
1，十六进制）404142434445464748494A4B4C4D4E4F505152535455565758595A5B5C5D5E5F606162636465666768696A6B6C6D6E6F707172737475767778797A7B7C7D7E7F 访问 RWRWRWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRWRW 名称ASC10CR0 地址（
1，十六进制）80 ASC10CR181 ASC10CR282 ASC10CR383 ASD11CR0 84 ASD11CR1 85 ASD11CR2 86 ASD11CR3 87 88 89 8A 8B 8C 8D 8E 8F ASD20CR0
90 ASD20CR191 ASD20CR292 ASD20CR393 ASC21CR094 ASC21CR195 ASC21CR296 ASC21CR397 98 99 9A 9B 9C 9D 9E 9F A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF RDI0RI B0 RDI0SYN B1 RDI0IS B2 RDI0LT0 B3 RDI0LT1 B4 RDI0RO0 B5 RDI0RO1 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF #
表示由位决定的访问。
访问RWRWRWRWRWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRW 名称 GDI_O_INGDI_E_INGDI_O_OUGDI_E_OU OSC_GO_ENOSC_CR4OSC_CR3OSC_CR0OSC_CR1OSC_CR2VLT_CRVLT_CMPIMO_TRILO_TRBDG_TRECO_TR CPU_
F CPU_SCR1CPU_SCR0 地址（
1，十六进制）C0C1C2C3C4C5C6C7C8C9CACBCCCDCECFD0D1D2D3D4D5D6D7D8D9DADBDCDDDEDFE0E1E2E3E4E5E6E7E8E9EAEBECEDEEEFF0F1F2F3F4F5F6F7F8F9FAFBFCFDFEFF 访问 RWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRWRWWRWW RL ## 文档编号：001-94553版本*
A 页17/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 电气规范 本节提供了CY8C24x23APSoC器件的直流和交流电气规范。
有关最新的电气规范，请通过访问网站，检查您是否有最新的数据手册。
除非另有说明，规范的适用温度为–40°CTA85°C和TJ100°
C。
有关SLIMO模式下IMO电气规范的信息，请参见第37页上的表29。
图
9.电压与CPU频率 图10.IMO频率调整选项 5.25 5.25 SLIMO SLIMO Mode=
1 Mode=
0 4.75 4.75 SLIMOMode=
0 VddVoltage ValirdatingnOpeRegio VddVoltage 3.60SLIMOSLIMO Mode=
1 Mode=
0 3.00 3.00 SLIMOSLIMO Mode=1Mode=
1 2.40 2.40 93kHz 3MHzCPUFrequency 12MHz 24MHz 93kHz 6MHz 12MHz IMOFrequency 24MHz 最大绝对额定值超过最大额定值可能会缩短器件的使用寿命。
用户指引未经过测试。
表
9.绝对最大额定值 符号TSTG 存放温度 说明 TBAKETEMP烘烤温度 tBAKETIME烘烤时间 TAVDDVIOVIOZIMIOESD LU 加电时的环境温度相对于VSS的VDD供电电压直流输入电压应用于三态的直流电压任意端口引脚上的最大输入电流静电放电电压栓锁电流 最小值–55 典型值25 最大值+100 – 125请参见 封装标签 请参见 – 72 封装标签 –40 – +85 –0.5 – +6.0 VSS–0.5–VDD+0.5 VSS–0.5–VDD+0.5 –25 – +50 2000 – – – – 200 单位°
C °C 小时 °CVVVmAVmA 注释存放温度越高，数据保留时间就越短。
推荐的存放温度为+25°C±25°
C。
存放温度长期保持在65°C以上会降低可靠性。
人体模型ESD 文档编号：001-94553版本*
A 页18/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 工作温度 表10.工作温度 符号 TATJ 环境温度结温 说明 最小值–40–40 典型值–– 最大值+85+100 单位 注释 °
C °C从环境温度到结温的温度升高情况因封装不同而有所变化。
请参见第57页上的表48。
您必须限制功耗以满足此要求。
直流电气特性 直流芯片级规范表11分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75V~5.25V，–40°CTA85°C，3.0V~3.6V，且–40°CTA85°C或2.4V~3.0V，且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V，这些参数仅供设计指导使用。
表11.直流芯片级规范 符号VDD 供电电压 IDD 供电电流 说明 最小值2.4 典型值– 最大值5.25 –
5 8 IDD3供电电流 – 3.3 6.0 IDD27供电电流 –
2 4 ISB 使用POR、LVD、睡眠定时器以及WDT的睡眠 – （模式）电流。
[10] ISBH在高温条件下使用POR、LVD、睡眠定时器和 – WDT时的睡眠（模式）电流。
[10] ISBXTL使用POR、LVD、睡眠定时器、WDT和外部晶 – 振时的睡眠（模式）电流。
[10]
3 6.5
4 25
4 7.5 ISBXTLH在高温条件下使用POR、LVD、睡眠定时器、 – WDT和外部晶振时的睡眠（模式）电流。
[10]
5 26 VREF参考电压（带隙）VREF27参考电压（带隙） 1.281.301.321.161.301.32 单位VmA mA mA µAµAµ
A µA VV 注释 请参见直流POR和LVD规范，第35页上的表26。
条件为VDD=5.0V、TA=25°
C、CPU=3MHz、SYSCLK倍频器被禁用、VC1=1.5MHz、VC2=93.75kHz、VC3=93.75kHz、模拟电源=关闭SLIMO模式=
0。
IMO=24MHz 条件为VDD=3.3V、TA=25°
C、CPU=3MHz、SYSCLK倍频器被禁用，VC1=1.5MHz、VC2=93.75kHz、VC3=93.75kHz、模拟电源=关闭。
SLIMO模式=
0。
IMO=24MHz 条件为VDD=2.7V、TA=25°
C、CPU=0.75MHz、SYSCLK倍频器被禁用、VC1=0.375MHz、VC2=23.44kHz、VC3=0.09kHz、模拟电源=关闭。
SLIMO模式=
1。
IMO=6MHz 条件为带有内部低速振荡器、VDD=3.3V、–40°CTA55°
C、模拟电源=关闭 条件为内部低速振荡器，VDD=3.3V、55°CC、模拟电源=关闭
条件为使用适当负载且最大功耗为1µW的32.768kHz晶振。
VDD=3.3V、–40°CTA55°
C、模拟电源=关闭 条件为使用适当负载且最大功耗为1µW的32.768kHz晶振。
VDD=3.3V、55°CC，模拟电源=关闭
已针对相应的VDD进行调整。
VDD>3.0V 已针对相应的VDD进行调整。
VDD=2.4V~3.0V 注释：10.待机电流包含了系统稳定运行时所需要的所有功能（POR、LVD、WDT、睡眠定时器）的电流。
必须将它同类似功能处于启用状态的器件进行比较。
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A 页19/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A GPIO直流规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75V~5.25V和–40°CTA85°C，3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C，或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V，这些参数仅供设计指导使用。
表12.5V和3.3V直流GPIO规范 符号 RPURPDVOH 上拉电阻下拉电阻输出高电平 说明 VOL 输出低电压 IOH IOL VILVIHVHIILCIN COUT 高电平拉电流 低电平灌电流 输入低电平输入高电平输入迟滞输入漏电流（绝对值）输入引脚上的电容负载 输出引脚上的电容负载 最小值44 VDD–1.0 典型值5.65.6– 最大值88– – – 0.75 10 – – 25 – – – – 0.8 2.1 – – 60 – –
1 – – 3.5 10 – 3.5 10 单位
kΩkΩ
V V mAmAVVmVnApFpF 注释 IOH=10mA，VDD=4.75~5.25V（偶数端口引脚上（如：P0[2]、P1[4]）的最大电流为40mA，奇数端口引脚上（如：P0[3]、P1[5]）的最大电流为40mA）。
IOH预算的最大总电流为80mA。
IOL=25mA，VDD=4.75~5.25V（偶数端口引脚（如P0[2]、P1[4]）上的最大电流为100mA，奇数端口引脚上（如P0[3]、P1[5]）的最大电流为100mA）。
预算IOH的最大总电流为150mA。
VOH=VDD–1.0V，请参见VOH注解中介绍的总电流限制VOL=0.75V，请参见VOL注释中的总电流限制VDD=3.0~5.25VVDD=3.0~5.25V 粗略测试结果为1µA取决于封装和引脚。
温度=25°C取决于封装和引脚。
温度=25°
C 表13.2.7VGPIO直流电气规范 符号 RPURPDVOH 上拉电阻下拉电阻输出高电平 说明 VOL IOH VILVIHVHIOL IILCIN COUT 输出低电平 高电平拉电流 输入低电平输入高电平输入迟滞低电平灌电流 输入漏电流（绝对值）输入引脚上的电容负载 输出引脚上的电容负载 最小值44 VDD–0.4 典型值5.65.6– 最大值88– – – 0.75
2 – – – – 0.75 2.0 – – – 90 – 11.25 – – –
1 – – 3.5 10 – 3.5 10 单位
kΩkΩ
V V mA VVmVmA nApF pF 注释 IOH=2mA（典型值为6.25mA），VDD=2.4~3.0V（最大电流为16mA，预算IOH的典型总电流为50mA）。
IOL=11.25mA、VDD=2.4~3.0V（预算IOL的最大总电流为90mA）。
VOH=VDD–0.4，请参见VOH注释中总电流的限制。
VDD=2.4~3.0VDD=2.4~3.0 VOL=0.75V，请参见VOL注释中总电流的限制。
粗略测试结果为1µA取决于封装和引脚。
温度=25°C取决于封装和引脚。
温度=25°
C 文档编号：001-94553版本*
A 页20/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 直流运算放大器规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75V~5.25V和–40°CTA85°C，3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C，或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V，这些参数仅供设计指导使用。
运算放大器既是模拟连续时间PSoC模块的组件，又是模拟开关电容PSoC模块的组件。
许可的规范是在模拟连续时间PSoC模块中测得的。
典型参数的测量条件为：温度为25°
C，且电压为5V，这些参数仅供设计指导使用。
表14.5V直流运算放大器规范 符号VOSOA 说明输入偏移电压（绝对值）功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=高 TCVOSOAIEBOACINOA 平均输入偏移电压漂移输入漏电流（端口0模拟引脚）输入电容（端口0模拟引脚） VCMOA 共模电压范围共模电压范围（高功率或高运算放大器偏压） GOLOAVOHIGHOAVOLOWOAISOA PSRROA 开环增益功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=高输出高电平电压摆幅（内部信号）功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=高输出低电平电压摆幅（内部信号）功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=高供电电流（含相关的AGND缓冲器）功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=高供电电压抑制比 最小值典型值最大值单位 注释 – 1.6 10 mV – 1.3
8 mV 1.2 7.5 mV – – 7.0 35.0µV/°
C – 20 – pA粗略测试结果为1µ
A – 4.5 9.5 pF取决于封装和引脚。
温度=25°
C 0.0 – VDD V共模输入电压范围是通过模拟输出 0.5 –VDD–0.5 缓冲器测得的。
该规范包含了模拟输出缓冲器特性所造成的限制。
60 – 60 – 80 – 规范适用于高运算放大器偏压。
对 – dB于运算放大器低偏压模式，最小值 – dB为60dB。
– dB VDD–0.2– –
V VDD–0.2– –
V VDD–0.5– –
V – – 0.2
V – – 0.2
V – – 0.5
V – 150 200 µ
A – 300 400 µ
A – 600 800 µ
A – 1200
1600 µ
A – 24003200 µ
A – 46006400 µ
A 64 80 – dBVSSVIN（VDD–2.25）或 （VDD–1.25V）VINVDD 文档编号：001-94553版本*
A 页21/69 表15.3.3V直流运算放大器规范 符号VOSOA TCVOSOAIEBOACINOA 说明输入偏移电压（绝对值）功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=高平均输入偏移电压漂移输入漏电流（端口0模拟引脚）输入电容（端口0模拟引脚） VCMOA 共模电压范围 GOLOAVOHIGHOAVOLOWOAISOA 开环增益功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=低输出高电平电压摆幅（内部信号）功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=低输出低电平电压摆幅（内部信号）功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=低供电电流（含相关的AGND缓冲器）功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=高 PSRROA供电电压抑制比 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 最小值––––––0.2 606080VDD–0.2VDD–0.2VDD–0.2––– ––––––64 典型值1.651.32–7.0204.5– ––––––––– 15030060012002400 –80 最大值108–35.0–9.5 VDD–0.2 ––––––0.20.20.2 20040080016003200 –– 单位 注释 功耗=高和运算放大器偏压=高的mV设置不适用于3.3VVDD操作。
mVmV µV/°
C pA粗略测试结果为1A pF取决于封装和引脚。
温度=25°
C V共模输入电压范围是通过模拟输出缓冲器测得的。
该规范包含了模拟输出缓冲器特性所造成的限制。
该规范适用于运算放大器低偏压。
dB对于高运算放大器偏压模式（高功dB耗、高运算放大器偏压除外），dB最小值为60dB。
功耗=高和运算放大器偏压=高的V设置不适用于3.3VVDD操作。
VV 功耗=高和运算放大器偏压=高的V设置不适用于3.3VVDD操作。
VV 功耗=高和运算放大器偏压=高的A设置不适用于3.3VVDD操作。
AAAA
A dBVSSVIN（VDD–2.25）或（VDD–1.25V）VINVDD 文档编号：001-94553版本*
A 页22/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 表16.2.7V直流运算放大器规范 符号VOSOA TCVOSOAIEBOACINOA 说明输入偏移电压（绝对值）功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=高平均输入偏移电压漂移输入漏电流（端口0模拟引脚）输入电容（端口0模拟引脚） VCMOA 共模电压范围 GOLOAVOHIGHOAVOLOWOAISOA 开环增益功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=低输出高电平电压摆幅（内部信号）功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=低输出低电平电压摆幅（内部信号）功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=低供电电流（含相关的AGND缓冲器）功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=高 PSRROA供电电压抑制比 最小值––––––0.2 606080VDD–0.2VDD–0.2VDD–0.2––– ––––––64 典型值1.651.32–7.0204.5– ––––––––– 15030060012002400 –80 最大值108–35.0–9.5 VDD–0.2 ––––––0.20.20.2 20040080016003200 –– 单位 注意 功耗=高，运算放大器偏压=高的设mV置不适用于2.7VVDD操作。
mVmV V/°
C pA总测试到1A pF取决于封装和引脚。
温度=25°
C V共模输入电压范围是通过模拟输出缓冲器测得的。
该规范包含了模拟输出缓冲器特性所造成的限制。
该规范适用于低运算放大器偏压。
对dB于高运算放大器偏压模式（高功耗、dB高运算放大器偏压除外），最小值为dB60dB。
功耗=高，运算放大器偏压=高的设V置不适用于2.7VVDD操作。
VV 功耗=高，运算放大器偏压=高的设V置不适用于2.7VVDD操作。
VV 功耗=高，运算放大器偏压=高的设A置不适用于2.7VVDD操作。
AAAA
A dBVSSVIN（VDD–2.25）或（VDD–1.25V）VINVDD 低功耗比较器的直流规范表17分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75V~5.25V和–40°CTA85°C，3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C，或2.4V-3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测量条件为：温度为25°
C，且电压为5V，这些参数仅供设计指导使用。
表17.直流低功耗电压比较器规范 符号 VREFLPCISLPCVOSLPC 说明低功耗电压比较器（LPC）的参考电压范围LPC供电电流LPC电压偏移 最小值0.2–– 典型值–102.5 最大值VDD–1 40 30 单位VµAmV 注释 文档编号：001-94553版本*
A 页23/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 直流模拟输出缓冲区规格下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75V~5.25V和–40°CTA85°C，3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C，或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V，这些参数仅供设计指导使用。
表18.5V直流模拟输出缓冲器规范 符号CL 负载电容 说明 最小值– 典型值– 最大值200 VOSOB 输入偏移电压（绝对值） –
3 12 TCVOSOB平均输入偏移电压漂移 – +
6 – VCMOB 共模输入电压范围 0.5 – VDD–1.0 ROUTOB 输出电阻功耗=低功耗=高 –
1 – –
1 – VOHIGHOB输出为高电平的电压摆幅 （32Ω的负载连接到VDD/2）功耗=低 0.5×VDD+1.1– – 功耗=高 0.5×VDD+1.1– – VOLOWOB 输出为低电平的电压摆幅（32Ω的负载连接到VDD/2）功耗=低功耗=高 – – .5×VDD–1.3 – –0.5×VDD–1.3 ISOB 供电电流（包含运算放大器偏压单元 （无负载）） 功耗=低 – 功耗=高 – 1.1 5.1 2.6 8.8 PSRROB供电电压抑制比 52 64 – 单位pFmVV/°CVΩΩ VV VV mAmAdB 注释本规范适用于由模拟输出缓冲器驱动的外部电路。
VOUT>(VDD–1.25) 表19.3.3V直流模拟输出缓冲器规范 符号CL 负载电容 说明 VOSOBTCVOSOBVCMOBROUTOBVOHIGHOB VOLOWOB ISOB PSRROB 输入偏移电压（绝对值） 平均输入偏移电压漂移 共模输入电压范围 输出电阻功耗=低功耗=高 输出高电平电压摆幅（负载=1KΩ~VDD/2）功耗=低功耗=高 输出低电平电压摆幅（负载=1KΩ~VDD/2）功耗=低功耗=高 供电电流（包含运算放大器偏压单元（无负载））功耗=低功耗=高 供电电压抑制比 最小值–––0.5–– 0.5×VDD+1.00.5×VDD+1.0 –– ––52 典型值–3+6–11 –– –– 0.82.064 最大值20012– VDD–1.0–– –– 0.5×VDD–1.00.5×VDD–1.0 2.04.3– 单位pFmVV/°CVΩΩ VV VV mAmAdB 注释本规范适用于由模拟输出缓冲器驱动的外部电路。
VOUT>(VDD–1.25) 文档编号：001-94553版本*
A 页24/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 表20.2.7V直流模拟输出缓冲器规范 符号CL 负载电容 说明 VOSOBTCVOSOBVCMOBROUTOBVOHIGHOB VOLOWOB ISOB PSRROB 输入偏移电压（绝对值）平均输入偏移电压漂移共模输入电压范围输出电阻功耗=低功耗=高输出高电平电压摆幅（负载=1KΩ~VDD/2）功耗=低功耗=高输出低电平电压摆幅（负载=1KΩ~VDD/2）功耗=低功耗=高供电电流（包含运算放大器偏压单元（无负载））功耗=低功耗=高供电电压抑制比 最小值– ––0.5 –– 典型值– 3+6– 11 最大值200 12–VDD–1.0 –– 0.5×VDD+0.2– – 0.5×VDD+0.2– – – –0.5×VDD–0.7 – –0.5×VDD–0.7 0.8 2.0 – 2.0 4.3 52 64 – 单位pFmVV/°CV VV VVmAmAdB 注释本规范适用于由模拟输出缓冲器驱动的外部电路。
VOUT>(VDD–1.25)。
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A 页25/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 直流开关电压泵规范表21分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75V~5.25V和–40°CTA85°C，3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C，或2.4V-3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为：温度为25°
C，电压为5V、3.3V或2.7V，这些参数仅供设计指导使用。
表21.直流开关电压泵（SMP）规范 符号VPUMP5V 说明泵输出电压为5V VPUMP3V 泵输出电压为3.3V VPUMP2V 泵输出电压为2.6V IPUMP VBAT5VVBAT3VVBAT2VVBATSTARTVPUMP_Line 可用输出电流VBAT=1.8V、VPUMP=5.0VVBAT=1.5V、VPUMP=3.25VVBAT=1.3V、VPUMP=2.55V来自电池的输入电压范围 来自电池的输入电压范围 来自电池的输入电压范围 电池的最低输入电压，用于启动泵 线路调节（在VBAT范围内） 最小值4.75 3.00 2.45 5881.81.01.01.2 – VPUMP_Load负载调节 – VPUMP_Ripple输出电压纹波（取决于电容/ – 负载） E3 效率 35 E2 效率 – FPUMP 开关频率 – DCPUMP 开关占空比 – 典型值5.0 3.25 2.55 ––––––– 5 5 10050 –1.350 最大值5.25 3.60 2.80 –––5.03.33.0– – – –– ––– 单位VVV mAmAmAVVVV%VO %VO mVpp% 注释脚注中的配置。
[11]平均值，忽略纹波。
SMP激发电压被设置为5.0V。
脚注中的配置。
[11]平均值，忽略纹波。
SMP激发电压设置为3.25V。
脚注中的配置。
[11]平均值，忽略纹波。
SMP激发电压被设置为2.55V。
脚注中的配置。
[11]SMP激发电压被设置为5.0V。
SMP激发电压被设置为3.25V。
SMP激发电压被设置为2.55V。
脚注中列出的配置。
[11]SMP激发电压被设置为5.0V。
脚注中列出的配置。
[11]SMP激发电压被设置为3.25V。
脚注中列出的配置。
[11]SMP激发电压被设置为2.55V。
脚注中列出的配置。
[11]0°CTA100。
在TA=–40°C时，电压为1.25V脚注中的配置。
[11]VO是指通过直流POR和LVD规范中VM[2:0]设置指定的“PUMP激发的VDD值”,第35页上的表26。
脚注中的配置。
[11]VO是指通过直流POR和LVD规范中VM[2:0]设置指定的“PUMP激发的VDD值”,第35页上的表26。
脚注中的配置。
[11]负载电流为5mA。
脚注中的配置。
[11]负载电流为5mA。
SMP激发电压被设置为3.25V。
MHz% 注释：11.L1=2mH电感，C1=10mF电容，D1=Schottky（肖特基）二极管。
请参考图11。
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A 页26/69 图11.基本开关电压泵电路 D1 +VBAT L1Battery Vdd SMP PSoC Vss VPUMPC1 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 文档编号：001-94553版本*
A 页27/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 直流模拟参考规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75V~5.25V和–40°CTA85°C，3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C，或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V，这些参数仅供设计指导使用。
RefHI和RefLO许可的规范是通过模拟连续时间PSoC模块测得的。
RefHi和RefLo的功耗级别是指模拟参考控制寄存器的功耗。
在AGND旁路模式下，在P2[4]端测量AGND。
每个模拟连接时间PSoC模块将最大值为10mV的额外偏移误差添加到本地AGND缓冲器所许可的AGND规范。
除非另行规定，否则参考控制功耗可以设置为中或高。
注意：当使用由模拟参考决定的模拟源时，应避免将P2[4]作为数字信号。
AGND上可能出现数字信号的某些耦合。
表22.5V直流模拟参考规范 参考电压ARF_CR [5:3] 0b000 参考电压功耗设置 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 0b001 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 符号 VREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHI VAGNDVREFLO VREFHI VAGNDVREFLO VREFHI VAGNDVREFLO VREFHI VAGNDVREFLO 参考电压 说明 最小值 典型值 最大值 单位 参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.136VDD/2+1.288VDD/2+1.409V AGNDVDD/2 VDD/2–0.138VDD/2+0.003VDD/2+0.132V 参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.417VDD/2–1.289VDD/2–1.154V 参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.202VDD/2+1.290VDD/2+1.358V AGNDVDD/2 VDD/2–0.055VDD/2+0.001VDD/2+0.055V 参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.369VDD/2–1.295VDD/2–1.218V 参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.211VDD/2+1.292VDD/2+1.357V AGNDVDD/2 VDD/2–0.055 VDD/2 VDD/2+0.052V 参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.368VDD/2–1.298VDD/2–1.224V 参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.215VDD/2+1.292VDD/2+1.353V AGNDVDD/2 VDD/2–0.040VDD/2–0.001VDD/2+0.033V 参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.368VDD/2–1.299VDD/2–1.225V 参考电压为高P2[4]+P2[6](P2[4]=P2[4]+P2[6]P2[4]+P2[6]–P2[4]+P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V)–0.076 0.021 0.041 AGNDP2[4] P2[4] P2[4] P2[4] – 参考电压为低P2[4]–P2[6]（P2[4]=P2[4]–P2[6]P2[4]–P2[6]+P2[4]–P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V）–0.025 0.011 0.085 参考电压为高P2[4]+P2[6]（P2[4]=P2[4]+P2[6]P2[4]+P2[6]–P2[4]+P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V）–0.069 0.014 0.043 AGNDP2[4] P2[4] P2[4] P2[4] – 参考电压为低P2[4]–P2[6]（P2[4]=P2[4]–P2[6]P2[4]–P2[6]+P2[4]–P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V）–0.029 0.005 0.052 参考电压为高P2[4]+P2[6]（P2[4]=P2[4]+P2[6]P2[4]+P2[6]–P2[4]+P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V）–0.072 0.011 0.048 AGNDP2[4] P2[4] P2[4] P2[4] – 参考电压为低P2[4]–P2[6]（P2[4]=P2[4]–P2[6]P2[4]–P2[6]+P2[4]–P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V）–0.031 0.002 0.057 参考电压为高P2[4]+P2[6](P2[4]=P2[4]+P2[6]P2[4]+P2[6]–P2[4]+P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V)–0.070 0.009 0.047 AGNDP2[4] P2[4] P2[4] P2[4] – 参考电压为低P2[4]–P2[6]（P2[4]=P2[4]–P2[6]P2[4]–P2[6]+P2[4]–P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V）–0.033 0.001 0.039 文档编号：001-94553版本*
A 页28/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 表22.5V直流模拟参考规范（续） 参考电压ARF_CR [5:3] 0b010 参考电压功耗设置 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 0b011 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 0b100 参考功耗=高运算放大器偏压=高 符号 VREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHI VAGNDVREFLO 参考功耗=高运算放大器偏压=低 VREFHI VAGNDVREFLO 参考功耗=中运算放大器偏压=高 VREFHI VAGNDVREFLO 参考功耗=中运算放大器偏压=低 VREFHI VAGNDVREFLO 参考电压 说明 参考电压为高AGND 参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低 VDDVDD/2VSSVDDVDD/2VSSVDDVDD/2VSSVDDVDD/2VSS 参考电压为高3×带隙AGND2×带隙 参考电压为低带隙 参考电压为高3×带隙AGND2×带隙 参考电压为低带隙 参考电压为高3×带隙AGND2×带隙 参考电压为低带隙 参考电压为高3×带隙AGND2×带隙 参考电压为低带隙 参考电压为高2×带隙+P2[6]（P2[6]=1.3V） AGND2×带隙 参考电压为低2×带隙–P2[6]（P2[6]=1.3V） 参考电压为高2×带隙+P2[6]（P2[6]=1.3V） AGND2×带隙 参考电压为低2×带隙–P2[6]（P2[6]=1.3V） 参考电压为高2×带隙+P2[6]（P2[6]=1.3V） AGND2×带隙 参考电压为低2×带隙–P2[6]（P2[6]=1.3V） 参考电压为高2×带隙+P2[6]（P2[6]=1.3V） AGND2×带隙 参考电压为低2×带隙–P2[6]（P2[6]=1.3V） 最小值 典型值 最大值 单位 VDD–0.121VDD–0.003 VDD
V VDD/2–0.040 VDD/2 VDD/2+0.034V VSS VSS+0.006VSS+0.019V VDD–0.083VDD–0.002 VDD
V VDD/2–0.040VDD/2–0.001VDD/2+0.033V VSS VSS+0.004VSS+0.016V VDD–0.075VDD–0.002 VDD
V VDD/2–0.040VDD/2–0.001VDD/2+0.032V VSS VSS+0.003VSS+0.015V VDD–0.074VDD–0.002 VDD
V VDD/2–0.040VDD/2–0.001VDD/2+0.032V VSS VSS+0.002VSS+0.014V 3.753 3.874 3.979
V 2.511 2.590 2.657
V 1.243 1.297 1.333
V 3.767 3.881 3.974
V 2.518 2.592 2.652
V 1.241 1.295 1.330
V 2.771 3.885 3.979
V 2.521 2.593 2.649
V 1.240 1.295 1.331
V 3.771 3.887 3.977
V 2.522 2.594 2.648
V 1.239 1.295 1.332
V 2.481
+P2[6]2.569+P2[6]2.639+P2[6]
V 2.511 2.590 2.658
V 2.515–P2[6]2.602–P2[6]2.654–P2[6]
V 2.498+P2[6]2.579+P2[6]2.642+P2[6]
V 2.518 2.592 2.652
V 2.513–P2[6]2.598–P2[6]2.650–P2[6]
V 2.504+P2[6]2.583+P2[6]2.646+P2[6]
V 2.521 2.592 2.650
V 2.513–P2[6]2.596–P2[6]2.649–P2[6]
V 2.505+P2[6]2.586+P2[6]2.648+P2[6]
V 2.521 2.594 2.648
V 2.513–P2[6]2.595–P2[6]2.648–P2[6]
V 文档编号：001-94553版本*
A 页29/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 表22.5V直流模拟参考规范（续） 参考电压ARF_CR [5:3] 0b101 参考电压功耗设置 参考功耗=高运算放大器偏压=高 符号 VREFHI VAGNDVREFLO 参考功耗=高运算放大器偏压=低 VREFHI VAGNDVREFLO 参考功耗=中运算放大器偏压=高 VREFHI VAGNDVREFLO 参考功耗=中运算放大器偏压=低 VREFHI VAGNDVREFLO 0b1100b111 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 VREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLO 参考电压 说明 参考电压为高 AGND参考电压为低 参考电压为高 AGND参考电压为低 参考电压为高 AGND参考电压为低 参考电压为高 AGND参考电压为低 参考电压为高AGND 参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低 P2[4]+带隙（P2[4]=VDD/2）P2[4] P2[4]–带隙（P2[4]=VDD/2）P2[4]+带隙（P2[4]=VDD/2）P2[4] P2[4]–带隙（P2[4]=VDD/2）P2[4]+带隙（P2[4]=VDD/2）P2[4] P2[4]–带隙（P2[4]=VDD/2）P2[4]+带隙（P2[4]=VDD/2）P2[4] P2[4]–带隙（P2[4]=VDD/2）2×带隙 带隙VSS2×带隙 带隙VSS2×带隙 带隙VSS2×带隙 带隙VSS3.2×带隙 1.6×带隙VSS3.2×带隙 1.6×带隙VSS3.2×带隙 1.6×带隙VSS3.2×带隙 1.6×带隙VSS 最小值 P2[4]+1.228 P2[4]P2[4]–1.358 P2[4]+1.236 P2[4]P2[4]–1.357 P2[4]+1.237 P2[4]P2[4]–1.356 P2[4]+1.237 P2[4]P2[4]–1.357 2.5121.250VSS2.5151.253VSS2.5181.254VSS2.5171.255VSS4.0112.020VSS4.0222.023VSS4.0262.024VSS4.0302.024VSS 典型值 P2[4]+1.284 P2[4]P2[4]–1.293 P2[4]+1.289 P2[4]P2[4]–1.297 P2[4]+1.291 P2[4]P2[4]–1.299 P2[4]+1.292 P2[4]P2[4]–1.300 2.5941.303VSS+0.0112.5921.301VSS+0.0062.5931.301VSS+0.0042.5941.300VSS+0.0034.1432.075VSS+0.0114.1382.075VSS+0.0064.1412.075VSS+0.0044.1432.076VSS+0.003 最大值 P2[4]+1.332 P2[4]P2[4]–1.226 P2[4]+1.332 P2[4]P2[4]–1.229 P2[4]+1.337 P2[4]P2[4]–1.232 P2[4]+1.337 P2[4]P2[4]–1.233 2.6541.346VSS+0.0272.6541.340VSS+0.022.6511.338VSS+0.0172.6501.337VSS+0.0154.2032.118VSS+0.0264.2032.114VSS+0.0174.2072.114VSS+0.0154.2062.112VSS+0.013 单位
V –V
V –V
V –V
V –V VVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVV 文档编号：001-94553版本*
A 页30/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 表23.3.3V直流模拟参考规范 参考电压ARF_CR [5:3] 0b000 参考电压功耗设置 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 0b001 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 0b010 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 0b011 所有电源设置不适用于3.3V操作 符号 参考电压 说明 最小值 典型值 最大值单位 VREFHI参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.170VDD/2+1.288VDD/2+1.376V VAGND AGNDVDD/2 VDD/2–0.098VDD/2+0.003VDD/2+0.097V VREFLO参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.386VDD/2–1.287VDD/2–1.169V VREFHI参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.210VDD/2+1.290VDD/2+1.355V VAGND AGNDVDD/2 VDD/2–0.055VDD/2+0.001VDD/2+0.054V VREFLO参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.359VDD/2–1.292VDD/2–1.214V VREFHI参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.198VDD/2+1.292VDD/2+1.368V VAGND AGNDVDD/2 VDD/2–0.041 VDD/2 VDD/2+0.04V VREFLO参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.362VDD/2–1.295VDD/2–1.220V VREFHI参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.202VDD/2+1.292VDD/2+1.364V VAGND AGNDVDD/2 VDD/2–0.033 VDD/2 VDD/2+0.030V VREFLO参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.364VDD/2–1.297VDD/2–1.222V VREFHI参考电压为高P2[4]+P2[6]（P2[4]=P2[4]+P2[6]P2[4]+P2[6]–P2[4]+P2[6]+
V VDD/2，P2[6]=0.5V）–0.072 0.017 0.041 VAGND AGNDP2[4] P2[4] P2[4] P2[4] – VREFLO参考电压为低P2[4]–P2[6]（P2[4]=P2[4]–P2[6]P2[4]–P2[6]+P2[4]–P2[6]+
V VDD/2，P2[6]=0.5V）–0.029 0.010 0.048 VREFHI参考电压为高P2[4]+P2[6]（P2[4]=P2[4]+P2[6]P2[4]+P2[6]–P2[4]+P2[6]+
V VDD/2，P2[6
C ■高级外设（PSoC®模块）❐6个轨至轨模拟PSoC模块提供了：•高达14位的模数转换器（ADC）•高达9位的数模转换器（DAC）•可编程增益放大器（PGA）•可编程滤波器和比较器❐4个PSoC数字模块，能够提供：•8位到32位的定时器和计数器，8位和16位的脉宽调制器（PWM）•循环冗余校验（CRC）和伪随机序列（PRS）模块•全双工通用异步收发器（UART）•多个串行外设接口（SPI）主设备或从设备•可连接到所有通用I/O（GPIO）引脚❐通过多个模块的组合，可构建复杂的外设 ■高精度、可编程时钟❐内部±5%24/48MHz主振荡器❐高精度，24MHz，带可选32kHz晶振和锁相环（PLL）❐可选外部振荡器，最高频率可达24MHz❐内部振荡器，能够实现看门狗和睡眠功能 ■灵活的片上存储器❐4KB闪速程序存储器，能实现50,000次的擦/写周期❐SRAM数据存储器的大小为256个字节❐系统内串行编程（ISSP）❐局部闪存更新❐灵活的保护模式❐闪存内仿真电擦除可编程只读存储器（EEPROM） ■可编程的引脚配置❐所有GPIO均支持25mA的灌电流和10mA的拉电流❐所有GPIO均可选择上拉、下拉、高阻、强驱动或开漏驱动等模式❐所有GPIO上均有8个标准的模拟输入，此外还有4个路由受限制的模拟输入❐所有GPIO上均有两个电流为30mA的模拟输出❐所有GPIO都能生成可配置中断 ■新的CY8C24x23APSoC器件❐由CY8C24x23器件派生❐低功耗和低电压（2.4V） ■其它系统资源❐I2C从设备、主设备和多主设备的频率可达400kHz❐看门狗和睡眠定时器❐用户可配置的低压检测（LVD）功能❐集成监控电路❐片上高精度参考电压 ■完整的开发工具❐免费的开发软件（PSoCDesigner™）❐功能齐全的在线仿真器（ICE）和编程器❐全速仿真❐复合断点结构❐128KB的跟踪存储器 逻辑框图 PSoCCORE Port2Port1Port0s SystemBus GlobalDigitalInterconnect GlobalAnalogInterconnect SRAM256Bytes InterruptController SROMFlash4KBCPUCore(M8C) SleepandWatchdog MultipleClockSources(IncludesIMO,ILO,PLL,andECO) DIGITALSYSTEM DigitalBlockArray ANALOG AnalogBlockArray SYSTEM AnalogRef AnalogInputMuxing DigitalClocks Multiplyum. Decimator I2C PORandLVDSystemResets SYSTEMRESOURCES InternalVoltage Ref. SwitchModePump 勘误表：有关芯片勘误表的信息，请查看第67页上的勘误表。
具体内容包括触发条件、受影响器件以及推荐的解决方案。
赛普拉斯半导体公司文档编号：001-94553版本*
A •198ChampionCourt •SanJose,CA95134-1709•408-943-2600 修订时间November11,2015 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 更多有关的信息 在赛普拉斯的网站上提供了大量资料，有助于选择符合您设计的PSoC器件，并能够快速有效地将该器件集成到您的设计中。
下面是PSoC1的简要列表： ■概况：PSoC产品系列、PSoC产品路线图■产品选型器：PSoC1、PSoC3、PSoC4、PSoC5LP。
此外，在创建新项目时，PSoCDesigner还提供一个PSoC1包含的器件选择工具。
■数据手册：描述并提供了适用于所有PSoC1器件系列的电气规范。
请访问PSoC1数据手册网站，获取一个完整列表。
■应用笔记和代码示例：❐要想获取代码示例的完整列表，请访问PSoC1代码示例❐赛普拉斯提供了大量PSoC应用笔记，包括从基本到高级的广泛主题。
下面列出的是PSoC1入门的应用笔记：•AN75320：PSoC®1入门•AN2094：PSoC®1—GPIO入门•AN2015：PSoC®1—闪存和E2PROM入门•AN2014：PSoC®1编程的基础知识•AN32200：PSoC®1—时钟和全局资源•AN2010：PSoC®1的最佳实践与建议 ■技术参考手册（TRM）： ❐请访问PSoC1技术手册网站以获取各个技术手册的完整列表。
以下文件将详细介绍CY8C2XXXXPSoC1系列器件的架构、编程规范与寄存器映射。
•PSoC1CY8C2XXXX技术手册•PSoC1ISSP编程规范 ■开发套件：❐CY3210-CY8C24x23PSoC(R)评估转接板（EvalPod）是一个28引脚PDIP适配器，可以将任意PSoC器件无缝连接至任意赛普拉斯PSoC开发套件上的PDIP连接器。
CY3210-24x23提供了在任意PSoC开发套件上CY8C24x23APSoC器件系列的评估。
PSoC开发套件是单独销售的。
❐请访问PSoC®1套件网站并参考套件选择器指南文件，以查找适用于所有PSoC1系列的开发套件和调试器。
■CY3217-MiniProg1和CY8CKIT-002PSoC®MiniProg3器件提供用于闪存编程的接口。
■知识库文章（KBA）：提供了专家对器件/套件的设计和应用技巧。
例如，通过固件进行闪存读/写访问，将会说明如何在PSoC1器件中对闪存进行读和写操作 PSoCDesigner PSoCDesigner是基于Windows的免费集成设计环境（IDE）。
通过它可以同时在基于CapSense的系统中设计硬件和固件（请参见图1）。
通过PSoCDesigner，您可以：
1.将用户模块图标施放到主要设计工作区中，以进行您的硬件
3.配置用户模块 系统设计
2.使用PSoCDesigner集成开发环境C编译器对您的应用固件 和PSoC硬件进行协同设计
4.了解用户模块库
5.查看用户模块数据手册 图
1.PSoCDesigner的功能 13
2 5
4 文档编号：001-94553版本*
A 页2/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 目录 PSoC功能概述...................................................................4PSoC内核...................................................................4数字系统......................................................................4模拟系统......................................................................5其它系统资源...............................................................6PSoC器件特性............................................................6 入门....................................................................................7应用笔记......................................................................7开发套件......................................................................7培训.............................................................................7CYPros顾问................................................................7解决方案库..................................................................7技术支持......................................................................7 开发工具.............................................................................8PSoCDesigner软件子系统.........................................8 使用PSoCDesigner进行设计..........................................9选择用户模块...............................................................9配置用户模块...............................................................9组织和连接..................................................................9生成、验证和调试........................................................9 引脚分布...........................................................................108引脚器件的引脚分布...............................................1020引脚器件的引脚分布............................................1128引脚器件的引脚分布............................................1232引脚器件的引脚分布.............................................1356引脚器件的引脚分布.............................................14 寄存器参考........................................................................15寄存器规范................................................................15寄存器映射表.............................................................15 电气规范...........................................................................18最大绝对额定值.........................................................18工作温度....................................................................19直流电气特性.............................................................19 交流电气特性.............................................................37封装信息...........................................................................51 封装尺寸....................................................................51热阻..........................................................................57晶振引脚上的电容.....................................................57回流焊规范................................................................57开发工具选择....................................................................58软件...........................................................................58开发套件....................................................................58评估工具....................................................................58器件编程器................................................................59附件（仿真和编程）..................................................59 订购信息...........................................................................60订购代码定义.............................................................60 缩略语...............................................................................61所使用的缩略语.........................................................61 参考文档...........................................................................61 文档规范...........................................................................62测量单位....................................................................62数字规范....................................................................62 术语表...............................................................................62 勘误表...............................................................................67受影响的器件型号......................................................67CY8C24123A合格状态.............................................67CY8C24123A勘误表摘要.........................................67 文档修订记录....................................................................68 销售、解决方案和法律信息..............................................69全球销售和设计支持..................................................69产品...........................................................................69PSoC®解决方案.......................................................69赛普拉斯开发者社区..................................................69技术支持....................................................................69 文档编号：001-94553版本*
A 页3/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A PSoC功能概述 PSoC系列包含许多带片上控制器器件的可编程片上系统。
这些器件用于使用一个低成本的单芯片可编程组件替代多个基于MCU的传统系统组件。
PSoC器件包含多个可配置的模拟和数字逻辑模块，以及可编程互连。
这种架构可帮助您创建符合每个应用要求的自定义外设配置。
此外，在一系列方便易用的引脚布局和封装中还包含快速CPU、闪速程序存储器、SRAM数据存储器和可配置的I/O。
PSoC架构由以下4个主要部分组成：PSoC内核、数字系统、模拟系统和系统资源，如图2所示。
利用可配置的全局总线，可将所有器件资源整合到一个完全定制的系统中。
PSoCCY8C24x23A系列有多达3个I/O端口，用于连接到全局数字和模拟互连，并能够访问4个数字模块和6个模拟模块。
PSoC内核 PSoC内核是一个支持多种功能的强大引擎。
该内核包含了CPU、存储器、时钟和可配置GPIO。
M8CCPU内核是一个速度高达24Hz的强大处理器，能够提供一个4MIPS的8位哈佛架构微处理器。
CPU使用带有11个向量的中断控制器，能够简化实时嵌入式事件的编程。
程序执行流程由附带的睡眠定时器和看门狗定时器（WDT）提供定时和保护功能。
存储器包括用于存储程序的4KB闪存，用于存储数据的256字节SRAM以及使用闪存仿真的2KBEEPROM。
程序闪存在64字节的模块上采用四个保护级别，能够提供自定义的软件IP保护功能。
PSoC器件采用多个灵活的内部时钟发生器，其中包括在有效工作温度和电压下精度高达±2.5%到±5%的24MHz内部主振荡器（IMO）[1]。
24MHzIMO的频率还可以倍增至48MHz，以便供数字系统使用。
PSoC器件为睡眠定时器和WDT提供了一个低功耗的32kHz内部低速振荡器（ILO）。
如果对晶振的精度有要求，那么可将ECO（32.768kHz外部晶体振荡器）作为实时时钟（RTC）使用。
通过使用一个PLL，该时钟可选择性地生成晶振精度的24MHz系统时钟。
时钟以及可编程时钟分频器（属于系统资源）具有高度的灵活性，能够使PSoC器件满足几乎所有时序要求。
通过PSoCGPIO，可以连接到器件的CPU、数字模块和模拟模块。
可将每个引脚设置为8种驱动模式中的任何一种。
这样，在进行外部连接方面具有极大的灵活性。
每个引脚还能够在高电平、低电平以及自上次读取后发生变化时生成系统中断。
数字系统数字系统由4个数字PSoC模块组成。
每个模块均是一个8位资源，既可以单独使用，也可以与其他模块一起组成8、16、24和32位的外设（称为用户模块参考）。
图
2.数字系统框图 Port2 Port1 Port0 DigitalClocksFromCore ToSystemBus ToAnalogSystem 88 DIGITALSYSTEM DigitalPSoCBlockArray Row0
4 DBB00 DBB01 DCB02 DCB034 88 RowInputConfiguration RowOutputConfiguration GIE[7:0]GIO[7:0] GlobalDigitalInterconnect GOE[7:0]GOO[7:0] 数字外设配置包括： ■PWM（8位和16位） ■带死区的PWM（8位和16位） ■计数器（8到32位） ■定时器（8到32位） ■带可选奇偶校验位的8位UART ■SPI主/从接口■I2C从/多主接口（其中一个可作为系统资源） ■CRC发生器（8到32位）■IrDA ■PRS生成器（8到32位）通过一系列能够将任意信号路由到任意引脚的全局总线，数字模块可以连接到任何GPIO。
此外，通过总线还可以实现信号复用和执行逻辑运算。
这种可配置特性使设计不再受固定外设控制器的限制。
数字模块采用了四个一行的排列方式，具体的模块数量会因PSoC器件系列不同而存在差别。
这样，您可以根据应用选择系统资源。
关于此产品系列的资源，请参见第6页上的表
1。
注释：
1.勘误表：器件在0°C到70°C温度范围内运行时，频率容差会下降到±2.5%。
如果以极限温度（0°C以下或70°C以上）运行，频率容差将从±2.5%偏差到±5%。
更多有关信息，请参见第67页上的勘误表。
文档编号：001-94553版本*
A 页4/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 模拟系统模拟系统包括六个可配置的模块，每个模块均有一个能够创建复合模拟信号流的运算放大器电路。
模拟外设非常灵活，并能够根据具体的应用要求进行自定义。
一些更加常用的PSoC模拟功能（大多数以用户模块的方式提供）包括： ■ADC（最多2个，6到14位分辨率，可选择为增量、DeltaSigma和SAR模式） ■滤波器（2极和4极带通、低通和陷波滤波器） ■放大器（最多2个，可选增益达48x） ■仪表放大器（1个，可选增益达93x） ■比较器（最多2个，有16个可选阈值） ■DAC（最多2个，6到9位分辨率） ■乘法DAC（最多2个，6到9位分辨率） ■大电流输出驱动器（2个，驱动电流为30mA，并作为PSoC内核资源） ■1.3V参考电压（作为系统资源） ■DTMF拨号器 ■调制器 ■相关器 ■峰值检测器 ■可以使用其他许多拓扑模拟模块都采用三个一列的排列方式，其中包括一个连续时间（CT）和两个开关电容（SC）模块，如图3所示。
图
3.模拟系统框图 P0[7]P0[5]P0[3]P0[1] P2[3] P2[1] AGNDInRefIn P0[6]P0[4]P0[2]P0[0]P2[6] P2[4]P2[2]P2[0] ArrayInputConfiguration ACI0[1:0] ACI1[1:0] BlockArray ACB00 ACB01 ASC10 ASD11 ASD20 ASC21 InterfacetoDigitalSystem RefHiRefLoAGND AnalogReference ReferenceGenerators AGNDInRefInBandgap M8CInterface(AddressBus,DataBus,Etc.) 文档编号：001-94553版本*
A 页5/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 其它系统资源 系统资源能够提供对整个系统非常有用的附加功能。
某些系统资源已在前面章节中列出。
除此之外，还包括乘法器、抽取滤波器、开关电压泵、低压检测和上电复位（POR）。
下面内容介绍了每种系统资源的优势： ■数字时钟分频器能够提供三个可自定义的时钟频率，以便在应用中使用。
这些时钟既可被路由到数字系统，又可被路由到模拟系统。
通过将数字PSoC模块作为时钟分频器使用，可以生成更多时钟。
■乘累加（MAC）资源能够提供具有32位累加运算能力的8位快速乘法器，以便协助通用计算和数字滤波器。
■抽取滤波器能够针对数字信号处理应用（包括创建DeltaSigmaADC）提供自定义的硬件滤波器。
■I2C模块通过两条线路提供了100kHz和400kHz的通信。
支持从/主和多主接口。
■低压检测（LVD）中断可以在电压下降时向应用发出信号，而高级POR电路则能够消除系统监控方面的需要。
■1.3V的内部参考电压为ADC、DAC等模拟系统提供了一个绝对的参考电压。
■集成开关电压泵通过单个1.2V的电池可生成正常的工作电压，从而提供一个低成本的升压转换器。
PSoC器件特性根据PSoC器件的特性，数字和模拟系统可具有16、8或4个数字模块，以及12、6或4个模拟模块。
第6页上的表1列出了特定PSoC器件系列所提供的资源。
本数据手册中介绍的PSoC器件是该表中突出显示的器件。
表
1.PSoC器件特性 PSoC器件型号CY8C29x66CY8C28xxxCY8C27x43CY8C24x94CY8C24x23ACY8C23x33CY8C22x45CY8C21x45CY8C21x34CY8C21x23CY8C20x34CY8C20xx6 数字I/O 多达64个多达44个多达44个多达56个多达24个多达26个多达38个多达24个多达28个多达16个多达28个多达36个 数字行
4 多达3个2111211100 数字模块16 多达12个8444844400 模拟输入多达12个多达44个多达12个多达48个多达12个多达12个多达38个多达24个多达28个多达8个多达28个多达36个 模拟输出
4 多达4个4222000000 模拟列
4 多达6个4222442200 模拟模块 12多达12+4[2] 12 6 6 46[2]6[2]4[2]4[2]3[2、3]3[2、3] SRAM大小2K1K2561K2562561K512512256512 多达2K 闪存大小32K16K16K16K4K8K16K8K8K4K8K 多达32K 注释：
2.有限的模拟功能。
3.两个模拟模块和一个CapSense®。
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A 页6/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 入门 有关详细信息及详细的编程信息，请参见PSoC®技术参考手册。
如需最新的订购、封装和电气规范信息，请参见网站上最新的PSoC器件数据手册。
应用笔记赛普拉斯应用笔记是对各种各样的PSoC设计方案提供的完美介绍。
开发套件PSoC开发套件可在线获得，也可以从不断增加的地区和全球分销商（包括Arrow、、Digi-Key、Farnell、FutureElectronics和Newark）那里获得。
培训网址下所在的在线免费PSoC技术培训（按需提供的培训、在线研讨会和专题讨论会）包含了有助于您进行设计的大量主题和技能。
CYPros顾问从技术协助到完整的PSoC设计，经过得到认证的PSoC顾问能够提供一切支持。
要联系或成为PSoC顾问，请访问CYPros顾问网站。
解决方案库 请访问我们的以解决方案为中心且内容持续更新的设计库。
您可以从中找到各种应用设计，包括有助于快速完成设计的固件和硬件设计文件。
技术支持 也可以在线获得技术支持（包括可搜索的知识库文章和技术论坛）。
如果找不到问题的答案，请致电1-800-541-4736联系技术支持。
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A 页7/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 开发工具 PSoCDesigner™是革新的集成开发环境（IDE），您可以用来自定义PSoC以满足特定的应用需求。
PSoCDesigner软件可加快系统的设计和上市进程。
在拖放式设计环境中使用预先设定的模拟和数字外设库（也称为用户模块）来开发您的应用程序。
然后，利用动态生成的应用编程接口（API）代码库来自定义您的设计。
最后，使用集成调试环境（包括在线仿真和标准的软件调试功能）来调试并测试您的设计。
PSoCDesigner包括： ■应用编辑器图形用户界面（GUI），用于配置和动态重新配置器件和用户模块 ■内容丰富的用户模块目录 ■集成的源码编辑器（C语言和汇编语言） ■免费的C语言编译器（无大小限制或时间限制） ■内置调试器 ■在线仿真 ■通信接口内置支持：❐硬件和软件I2C从设备和主设备❐全速USB2.0❐最多四个全双工通用异步收发器（UART）、SPI主设备和从设备及无线 PSoCDesigner支持PSoC1器件的整个库，并可在WindowsXP、WindowsVista和Windows7操作系统上运行。
PSoCDesigner软件子系统 设计入口 在芯片级视图中，选择需要使用的基本器件。
然后选择不同的板上模拟和数字组件（又称用户模块）。
这些组件采用了PSoC模块。
例如，用户模块有模数转换器（ADC）、数模转换器（DAC）、放大器和滤波器。
为所选应用配置用户模块，且将它们互连并连接至适当的引脚。
然后生成项目。
这样会在项目中加入API和库，您可以使用它们来对应用进行编程。
通过此工具，用户还可以轻松开发多个配置和动态重新配置。
利用动态重新配置，可在运行时更改配置。
本质上，这样让您能够使用超过100%的PSoC特定应用资源。
代码生成工具 这些代码生成工具能够在PSoCDesigner界面内无缝工作，并已采用一整套调试工具进行测试.您可以使用C语言、汇编语言或两者进行开发设计。
汇编器。
汇编器可使汇编代码与C语言代码无缝合并。
链接库会自动使用绝对寻址，或在相对模式下进行编译，然后与其他软件模块连接，以实现绝对寻址。
C语言编译器。
C语言编译器支持PSoC系列器件。
这些产品可让您为PSoC系列器件创建完整的C语言程序。
优化的C语言编译器能够对PSoC架构提供C语言的所有功能。
此外，还提供了各个嵌入式库。
这些库能够提供端口和总线操作、标准键盘和显示器支持，以及扩展的数学功能。
调试器 PSoCDesigner提供的调试环境具有硬件在线仿真功能，不仅可以提供PSoC器件的内部视图，而且可让您在物理系统中测试程序。
借助调试器命令，可对数据存储器进行读/编程及读/写操作，对I/O寄存器进行读/写操作。
可对CPU寄存器进行读写操作、设置和清除断点，以及提供程序运行、暂停和步进控制。
调试器还可让您创建相关寄存器和存储器位置的跟踪缓冲器。
在线帮助系统 在线帮助系统可提供上下文关联的在线帮助。
每个功能子系统都有上下文关联的帮助，以便提供程式化的快速参考。
此外，为了协助设计人员，该系统还提供了相关的教程和常见问题解答链接，以及在线支持论坛链接。
在线仿真器 功能强大的低成本在线仿真器（ICE）可支持开发工作。
该工具可以编程单个器件。
仿真器包含一个通过USB端口连接到PC的基本装置。
这个基本装置是通用的，它能够与所有的PSoC器件一起使用。
每个器件系列的仿真转接板（EmulationPod）都可单独购买。
仿真转接板取代了目标电路板中的PSoC器件并可执行全速（24MHz）操作。
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A 页8/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 使用PSoCDesigner进行设计 PSoC器件的开发过程不同于传统固定功能微处理器的。
可配置的模拟和数字硬件模块赋予PSoC架构独特的灵活性，有助于在开发期间管理规范变更，并降低库存成本。
这些可配置的资源（称为PSoC模块）能够实现许多用户可选的功能。
PSoC开发过程如下：
6.选择用户模块。
7.配置用户模块。
8.组织和连接。
9.生成、验证和调试。
选择用户模块 PSoCDesigner提供了一个预建且预测试的硬件外设组件库，被称为“用户模块”。
使用用户模块可使选择和实现外设器件（包括模拟和数字器件）变得非常简单。
配置用户模块 所选择的每个用户模块都能够建立基本寄存器设置用于实现所选功能。
此外，它们还提供参数和属性，以便您针对特定应用来自定义精确配置。
例如，PWM用户模块能够配置一个或多个数字PSoC模块（每8位分辨率使用一个模块）。
借助这些参数，您可以确定脉宽和占空比。
根据所选应用配置相应的参数和属性。
您可以直接输入某个值或从下拉菜单中选择。
数据手册中已经记录好了所有用户模块，并且您可以在PSoCDesigner软件中或赛普拉斯网站上直接查询。
这些用户模块数据手册介绍了用户模块的内部操作并提供了性能规范。
每个数据手册均描述了各个用户模块参数的用途，以及成功实现设计所需要的其他信息。
组织和连接 通过将用户模块互连，并与I/O引脚连接，您可以在芯片级构建信号链。
通过选择、配置和布线等操作，您可以全面控制所有的片上资源。
生成、验证和调试 当测试硬件配置准备就绪或接下来要开发项目代码时，请执行“生成配置文件”这一步骤。
这样会使PSoCDesigner生成源代码，该源代码会自动按照您的规范配置器件，并为系统提供软件。
生成的代码提供了带有高级函数的API，用于在运行时控制并响应硬件事件。
同时，还提供了可根据需要调整的中断服务子程序。
完善的代码开发环境可让您使用C语言和/或汇编语言来开发和自定义应用。
开发过程的最后一步是在PSoCDesigner的调试器（单击Connect图标进行访问）中完成的。
PSoCDesigner会将HEX文件下载到全速运行的在线仿真器（ICE）中。
PSoCDesigner的调试功能不差于具有类似功能但成本高出数倍的系统。
除了传统的单步执行、运行到断点以及监视变量等功能外，调试接口还提供了大型跟踪缓冲器。
这样，您可以定义复杂的断点事件，如监控地址和数据总线值、存储器位置以及外部信号。
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A 页9/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 引脚分布 本节说明、列出并阐释了CY8C24x23APSoC器件的引脚和引脚分布配置。
（带“P”标签的）任何端口引脚均能用作为数字I/O（VSS、VDD、SMP和XRES引脚除外）。
8引脚器件的引脚分布 表2.8引脚PDIP和SOIC 引脚编号 123 类型 数字模拟 I/O I/O I/O I/O I/O 引脚名称 P0[5]P0[3]P1[1]
4 电源
5 I/O VSSP1[0]
6 I/O IP0[2]
7 I/O IP0[4]
8 电源 VDD 说明 模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入和列输出晶振输入（XTALin）、I2C串行时钟（SCL）、ISSP-SCLK[4]接地晶振输出（XTALout）、I2C串行数据（SDA）、ISSP-SDATA[4]模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压 图
4.CY8C24123A8引脚PSoC器件
A,IO,P0[5]
A,IO,P0[3]I2CSCL,XTALin,P1[1] VSS
1 8 2PDIP7 3SOIC6
4 5 VDDP0[4],
A,IP0[2],
A,IP1[0],XTALout,I2CSDA 注意：A=模拟，I=输入、O=输出。
注释：
4.这些都是ISSP引脚，它们在上电复位时并非处于高阻态模式。
有关详细信息，请参见《PSoC技术参考手册》。
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A 页10/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 20引脚器件的引脚分布 表3.20-PDIP、SSOP和SOIC 引脚编号 1234567891011121314151617181920 类型 数字模拟 I/O
I I/O I/O I/O I/O I/O
I 电源I/OI/OI/OI/O 电源I/OI/OI/OI/O 输入 I/O
I I/O
I I/O
I I/O
I 电源 引脚名称 P0[7]P0[5]P0[3]P0[1]SMPP1[7]P1[5]P1[3]P1[1]VSSP1[0]P1[2]P1[4]P1[6]XRESP0[0]P0[2]P0[4]P0[6]VDD 说明 模拟列复用器输入模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入SMP连接至所需的外部组件I2CSCLI2CSDA XTALin、I2CSCL、ISSP-SCLK[5]接地。
XTALout、I2CSDA、ISSP-SDATA[5] 可选外部时钟输入（EXTCLK） 采用内部下拉电阻的高电平有效外部复位模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压 注意：A=模拟、I=输入和O=输出。
图
5.CY8C24223A20引脚PSoC器件
A,I,P0[7]
1 A,IO,P0[5]
2 A,IO,P0[3]
3 A,
I,P0[1]
4 SMP
5 I2CSCL,P1[7]
6 I2CSDA,P1[5]
7 P1[3]
8 I2CSCL,XTALin,P1[1]
9 VSS10 PDIPSSOPSOIC 20VDD19P0[6],
A,I 18P0[4],
A,I17P0[2],
A,I16P0[0],
A,I15XRES14P1[6]13P1[4],EXTCLK12P1[2]11PI21C[0S],DXATALout, 注释：
5.这些是ISSP引脚，它们在上电复位时不处于高阻态模式。
有关详细信息，请参见《PSoC技术参考手册》。
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A 页11/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 28引脚器件的引脚分布 表4.28引脚PDIP、SSOP和SOIC 引脚编号 12345678910111213141516171819202122232425262728 类型 数字I/O 模拟
I I/O I/O I/O I/O I/O
I I/O I/O I/O
I I/O
I 电源I/O I/O I/O I/O 电源I/O I/O I/O I/O 输入 I/O
I I/O
I I/O I/O I/O
I I/O
I I/O
I I/O
I 电源 引脚名称 P0[7]P0[5]P0[3]P0[1]P2[7]P2[5]P2[3]P2[1]SMPP1[7]P1[5]P1[3]P1[1]VSSP1[0]P1[2]P1[4]P1[6]XRESP2[0]P2[2]P2[4]P2[6]P0[0]P0[2]P0[4]P0[6]VDD 说明 模拟列复用器输入模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入 直接开关电容模块输入直接开关电容模块输入SMP连接至所需的外部组件I2CSCLI2CSDA XTALin、I2CSCL、ISSP-SCLK[6]接地。
XTALout、I2CSDA、ISSP-SDATA[6] 可选的EXTCLK 采用内部下拉电阻的高电平有效外部复位直接开关电容模块输入直接开关电容模块输入外部模拟接地（AGND）外部电压参考（VREF）模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压 注意：A=模拟，I=输入和O=输出。
图
6.CY8C24423A28引脚PSoC器件
A,I,P0[7]
1 A,IO,P0[5]
2 A,IO,P0[3]
3 A,
I,P0[1]
4 P2[7]
5 P2[5]
6 A,
I,P2[3]
7 A,
I,P2[1]
8 SMP
9 I2CSCL,P1[7]10 I2CSDA,P1[5]11 P1[3]12 I2CSCL,XTALin,P1[1]13 VSS14 PDIPSSOPSOIC 28VDD27P0[6],
A,I26P0[4],
A,I 25P0[2],
A,I24P0[0],
A,I23P2[6],ExternalVRef 22P2[4],ExternalAGND21P2[2],
A,I 20P2[0],
A,I19XRES18P1[6] 17P1[4],EXTCLK16P1[2]15P1[0],XTALout,I2CSDA 不能用于生产 注释：
6.这些是ISSP引脚，它们在上电复位时并非处于HighZ模式。
有关详细信息，请参见《PSoC技术参考手册》。
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A 页12/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 32引脚器件的引脚分布 表5.32引脚QFN[7] 引脚编号 1234567891011121314151617181920212223242526272829303132 类型 数字I/O 模拟 I/O I/O
I I/O
I 电源 电源I/O I/O I/OI/O 电源I/OI/OI/O I/O 输入 I/O
I I/O
I I/O I/O I/O
I I/O
I I/O
I I/O
I 电源 I/O
I I/O I/O I/O I/O I/O
I 引脚
名称 P2[7]P2[5]P2[3]P2[1]VSSSMPP1[7]P1[5]NCP1[3]P1[1]VSSP1[0]P1[2]P1[4]NCP1[6]XRESP2[0]P2[2]P2[4]P2[6]P0[0]P0[2]NCP0[4]P0[6]VDDP0[7]P0[5]P0[3]P0[1] 注意：A=模拟，I=输入、O=输出。
说明 直接开关电容模块输入直接开关电容模块输入接地SMP连接至所需的外部组件I2CSCLI2CSDA无连接。
引脚必须处于悬空状态 XTALin、I2CSCL、ISSP-SCLK[8]接地XTALout、I2CSDA、ISSP-SDATA[8] 可选的EXTCLK无连接。
引脚必须处于悬空状态 采用内部下拉电阻的高电平有效外部复位直接开关电容模块输入直接开关电容模块输入外部AGND外部VREF模拟列复用器输入模拟列复用器输入无连接。
引脚必须处于悬空状态模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压模拟列复用器输入模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入 NC9P1[3]10I2CSCL,XTALin,P1[1]11 VSS12I2CSDA,XTALout,P1[0]13 P1[2]14EXTCLK,P1[4]15 NC16 图
7.CY8C24423A32引脚PSoC器件 32P0[1],
A,I31P0[3],
A,IO30P0[5],
A,IO29P0[7],
A,I28VDD27P0[6],
A,I26P0[4],
A,I25NC P2[7]1P2[5]2A,
I,P2[3]3A,
I,P2[1]
4 VSS5SMP6I2CSCL,P1[7]7I2CSDA,P1[5]
8 QFN(TopView) 24P0[2],
A,I23P0[0],
A,I 22P2[6],ExternalVRef21P2[4],ExternalAGND20P2[2],
A,I19P2[0],
A,I18XRES17P1[6] 注释：
7.QFN封装上的中心焊盘必须接地（VSS），以获得最佳的机械、热学和电气性能。
如果中心焊盘未接地，则必须使其处于电气悬空状态，不能连接到其他任何信号。
8.这些是ISSP引脚，它们在上电复位时不处于高阻态模式。
有关详细信息，请参见《PSoC技术参考手册》。
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A 页13/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 56引脚器件的引脚分布56引脚SSOP器件用于CY8C24000A片上调试（OCD）PSoC器件。
注意：此器件仅用于在线调试。
不能用于生产。
表6.56引脚SSOPOCD 引脚编号 类型 数字 模拟 引脚名称 说明
1 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态
2 I/O
I P0[7] 模拟列复用器输入
3 I/O
I P0[5] 模拟列复用器输入和列输出
4 I/O
I P0[3] 模拟列复用器输入和列输出
5 I/O
I P0[1] 模拟列复用器输入
6 I/O P2[7]
7 I/O P2[5]
8 I/O
I P2[3] 直接开关电容模块输入
9 I/O
I P2[1] 直接开关电容模块输入 10 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 11 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 12 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 13 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 14 OCD 15 OCD 16 电源 17 OCDE
OCDOSMPNC OCD偶数据I/OOCD奇数据输出SMP连接至所需的外部组件无连接。
引脚必须处于悬空状态 18 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 19 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 20 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 21 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 22 23 I/O NC
P1[7] 无连接。
引脚必须处于悬空状态I2CSCL 24 I/O P1[5] I2CSDA 25 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 26 I/O P1[3] 27 I/O 28 电源 29 P1[1]VDDNC XTALin、I2CSCL、ISSP-SCLK[9]供电电压无连接。
引脚必须处于悬空状态 30 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 31 I/O 32 I/O P1[0]P1[2] XTALout、I2CSDA、ISSP-SDATA[9] 33 I/O 34 I/O P1[4]P1[6] 可选的EXTCLK 35 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 36 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 37 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 38 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 39 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 40 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 41 输入 XRES
采用内部下拉电阻的高电平有效外部复位。
42 OCD 43 OCD 44 HCLKCCLKNC OCD高速时钟输出。
OCDCPU时钟输出。
无连接。
引脚必须处于悬空状态 45 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 46 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 47 NC 无连接。
引脚必须处于悬空状态 48 I/O
I P2[0] 直接开关电容模块输入。
49 I/O
I P2[2] 直接开关电容模块输入。
50 I/O 51 I/O 52 I/O P2[4] 外部
AGND。
P2[6] 外部VREF。
I P0[0] 模拟列复用器输入。
53 I/O
I P0[2] 模拟列复用器输入和列输出。
54 I/O
I P0[4] 模拟列复用器输入和列输出。
55 I/O
I P0[6] 模拟列复用器输入。
56 电源 VDD 供电电压。
注意：A
=模拟、I=输入、O=输出和OCD=片上调试。
图
8.CY8C24000A56引脚PSoC器件 NC1AI,P0[7]2AIO,P0[5]3AIO,P0[3]4AI,P0[1]
5 P2[7]6P2[5]7AI,P2[3]8AI,P2[1]
9 NC10 NC11NC12NC13 OCDE14 OCDO15SMP16NC17NC18NC19NC20NC21NC22 I2CSCL,P1[7]23 I2CSDA,P1[5]24NC25 P1[3]26 SCLK,I2CSCL,XTALIn,P1[1]27 VSS28 SSOP 56VDD55P0[6],AI54P0[4],AIO53P0[2],AIO52P0[0],AI51P2[6],ExternalVRef50P2[4],ExternalAGND49P2[2],AI48P2[0],AI 47NC 46NC45NC 44NC 43CCLK42HCLK 41XRES40NC39NC38NC37NC36NC35NC34P1[6] 33P1[4],EXTCLK32P1[2] 31P1[0],XTALOut,I2CSDA,SDATA30NC 29NC 注释：
9.这些是ISSP引脚，它们在上电复位时并非处于HighZ模式。
有关详细信息，请参见《PSoC技术参考手册》。
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A 页14/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 寄存器参考 本节列出了CY8C24x23APSoC器件中的各个寄存器。
更多有关寄存器的信息，请查看PSoC可编程片上系统参考手册。
寄存器规范 所使用的缩略语下表列出了本节中特定的寄存器规范。
表
7.缩略词 规范RWLC# 说明读取寄存器或位写入寄存器或位逻辑寄存器或位可清除的寄存器或位由位决定的访问 寄存器映射表 PSoC器件共有512个字节的寄存器地址空间。
该寄存器空间（也称I/O空间）被分为两个组，分别为组0和组
1。
标记寄存器（CPU_F）中的XOI位用于确定用户当前位于哪个组。
XOI位被设置时，用户位于组1中。
注意：在以下寄存器映射表中，空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
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8.寄存器映射组0表格：用户空间 名称PRT0DR 地址（
0，十六进制）访问 00 RW PRT0IE 01 RW PRT0GS 02 RW PRT0DM203 RW PRT1DR 04 RW PRT1IE 05 RW PRT1GS 06 RW PRT1DM207 RW PRT2DR 08 RW PRT2IE 09 RW PRT2GS 0A RW PRT2DM20B RW 0C 0D 0E 0F 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F DBB00DR0
20 # DBB00DR121
W DBB00DR222 RW DBB00CR023 # DBB01DR024 # DBB01DR125
W DBB01DR226 RW DBB01CR027 # DCB02DR028 # DCB02DR129
W DCB02DR22A RW DCB02CR02B # DCB03DR02C # DCB03DR12D
W DCB03DR22E RW DCB03CR02F # 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 空白字段均被保留，不能访问这些字段。
名称 AMX_IN
ARF_CRCMP_CR0ASY_CRCMP_CR1 ACB00CR3ACB00CR0ACB00CR1ACB00CR2ACB01CR3ACB01CR0ACB01CR1ACB01CR2 地址（
0，十六进制）404142434445464748494A4B4C4D4E4F505152535455565758595A5B5C5D5E5F606162636465666768696A6B6C6D6E6F707172737475767778797A7B7C7D7E7F 访问 RWRW##RW RWRWRWRWRWRWRWRW 名称ASC10CR0 地址（
0，十六进制）80 ASC10CR181 ASC10CR282 ASC10CR383 ASD11CR0 84 ASD11CR1 85 ASD11CR2 86 ASD11CR3 87 88 89 8A 8B 8C 8D 8E 8F ASD20CR0
90 ASD20CR191 ASD20CR292 ASD20CR393 ASC21CR094 ASC21CR195 ASC21CR296 ASC21CR397 98 99 9A 9B 9C 9D 9E 9F A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF RDI0RI B0 RDI0SYN B1 RDI0IS B2 RDI0LT0 B3 RDI0LT1 B4 RDI0RO0 B5 RDI0RO1 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF #
表示由位决定的访问。
访问RWRWRWRWRWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRW 名称 I2C_CFGI2C_SCRI2C_DRI2C_MSCRINT_CLR0INT_CLR1INT_CLR3INT_MSK3INT_MSK0INT_MSK1INT_VCRES_WDTDEC_DHDEC_DLDEC_CR0DEC_CR1MUL_XMUL_YMUL_DHMUL_DLACC_DR1ACC_DR0ACC_DR3ACC_DR2 CPU_
F CPU_SCR1CPU_SCR0 地址（
0，十六进制）C0C1C2C3C4C5C6C7C8C9CACBCCCDCECFD0D1D2D3D4D5D6D7D8D9DADBDCDDDEDFE0E1E2E3E4E5E6E7E8E9EAEBECEDEEEFF0F1F2F3F4F5F6F7F8F9FAFBFCFDFEFF 访问 RW#RW#RWRWRWRWRWRWRCWRCRCRWRWWWRRRWRWRWRW RL ## 文档编号：001-94553版本*
A 页16/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 表0-
1.寄存器映射组1表：配置空间 名称PRT0DM0PRT0DM1PRT0IC0PRT0IC1PRT1DM0PRT1DM1PRT1IC0PRT1IC1PRT2DM0PRT2DM1PRT2IC0PRT2IC1 DBB00FNDBB00INDBB00OUDBB01FNDBB01INDBB01OUDCB02FNDCB02INDCB02OUDCB03FNDCB03INDCB03OU 地址（
1，十六进制）000102030405060708090A0B0C0D0E0F101112131415161718191A1B1C1D1E1F202122232425262728292A2B2C2D2E2F303132333435363738393A3B3C3D3E3F 访问RWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRW 名称 CLK_CR0CLK_CR1ABF_CR0AMD_CR0AMD_CR1ALT_CR0 ACB00CR3ACB00CR0ACB00CR1ACB00CR2ACB01CR3ACB01CR0ACB01CR1ACB01CR2 空白字段均被保留，不能访问这些字段。
地址（
1，十六进制）404142434445464748494A4B4C4D4E4F505152535455565758595A5B5C5D5E5F606162636465666768696A6B6C6D6E6F707172737475767778797A7B7C7D7E7F 访问 RWRWRWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRWRW 名称ASC10CR0 地址（
1，十六进制）80 ASC10CR181 ASC10CR282 ASC10CR383 ASD11CR0 84 ASD11CR1 85 ASD11CR2 86 ASD11CR3 87 88 89 8A 8B 8C 8D 8E 8F ASD20CR0
90 ASD20CR191 ASD20CR292 ASD20CR393 ASC21CR094 ASC21CR195 ASC21CR296 ASC21CR397 98 99 9A 9B 9C 9D 9E 9F A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF RDI0RI B0 RDI0SYN B1 RDI0IS B2 RDI0LT0 B3 RDI0LT1 B4 RDI0RO0 B5 RDI0RO1 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF #
表示由位决定的访问。
访问RWRWRWRWRWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRW 名称 GDI_O_INGDI_E_INGDI_O_OUGDI_E_OU OSC_GO_ENOSC_CR4OSC_CR3OSC_CR0OSC_CR1OSC_CR2VLT_CRVLT_CMPIMO_TRILO_TRBDG_TRECO_TR CPU_
F CPU_SCR1CPU_SCR0 地址（
1，十六进制）C0C1C2C3C4C5C6C7C8C9CACBCCCDCECFD0D1D2D3D4D5D6D7D8D9DADBDCDDDEDFE0E1E2E3E4E5E6E7E8E9EAEBECEDEEEFF0F1F2F3F4F5F6F7F8F9FAFBFCFDFEFF 访问 RWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRWRWWRWW RL ## 文档编号：001-94553版本*
A 页17/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 电气规范 本节提供了CY8C24x23APSoC器件的直流和交流电气规范。
有关最新的电气规范，请通过访问网站，检查您是否有最新的数据手册。
除非另有说明，规范的适用温度为–40°CTA85°C和TJ100°
C。
有关SLIMO模式下IMO电气规范的信息，请参见第37页上的表29。
图
9.电压与CPU频率 图10.IMO频率调整选项 5.25 5.25 SLIMO SLIMO Mode=
1 Mode=
0 4.75 4.75 SLIMOMode=
0 VddVoltage ValirdatingnOpeRegio VddVoltage 3.60SLIMOSLIMO Mode=
1 Mode=
0 3.00 3.00 SLIMOSLIMO Mode=1Mode=
1 2.40 2.40 93kHz 3MHzCPUFrequency 12MHz 24MHz 93kHz 6MHz 12MHz IMOFrequency 24MHz 最大绝对额定值超过最大额定值可能会缩短器件的使用寿命。
用户指引未经过测试。
表
9.绝对最大额定值 符号TSTG 存放温度 说明 TBAKETEMP烘烤温度 tBAKETIME烘烤时间 TAVDDVIOVIOZIMIOESD LU 加电时的环境温度相对于VSS的VDD供电电压直流输入电压应用于三态的直流电压任意端口引脚上的最大输入电流静电放电电压栓锁电流 最小值–55 典型值25 最大值+100 – 125请参见 封装标签 请参见 – 72 封装标签 –40 – +85 –0.5 – +6.0 VSS–0.5–VDD+0.5 VSS–0.5–VDD+0.5 –25 – +50 2000 – – – – 200 单位°
C °C 小时 °CVVVmAVmA 注释存放温度越高，数据保留时间就越短。
推荐的存放温度为+25°C±25°
C。
存放温度长期保持在65°C以上会降低可靠性。
人体模型ESD 文档编号：001-94553版本*
A 页18/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 工作温度 表10.工作温度 符号 TATJ 环境温度结温 说明 最小值–40–40 典型值–– 最大值+85+100 单位 注释 °
C °C从环境温度到结温的温度升高情况因封装不同而有所变化。
请参见第57页上的表48。
您必须限制功耗以满足此要求。
直流电气特性 直流芯片级规范表11分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75V~5.25V，–40°CTA85°C，3.0V~3.6V，且–40°CTA85°C或2.4V~3.0V，且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V，这些参数仅供设计指导使用。
表11.直流芯片级规范 符号VDD 供电电压 IDD 供电电流 说明 最小值2.4 典型值– 最大值5.25 –
5 8 IDD3供电电流 – 3.3 6.0 IDD27供电电流 –
2 4 ISB 使用POR、LVD、睡眠定时器以及WDT的睡眠 – （模式）电流。
[10] ISBH在高温条件下使用POR、LVD、睡眠定时器和 – WDT时的睡眠（模式）电流。
[10] ISBXTL使用POR、LVD、睡眠定时器、WDT和外部晶 – 振时的睡眠（模式）电流。
[10]
3 6.5
4 25
4 7.5 ISBXTLH在高温条件下使用POR、LVD、睡眠定时器、 – WDT和外部晶振时的睡眠（模式）电流。
[10]
5 26 VREF参考电压（带隙）VREF27参考电压（带隙） 1.281.301.321.161.301.32 单位VmA mA mA µAµAµ
A µA VV 注释 请参见直流POR和LVD规范，第35页上的表26。
条件为VDD=5.0V、TA=25°
C、CPU=3MHz、SYSCLK倍频器被禁用、VC1=1.5MHz、VC2=93.75kHz、VC3=93.75kHz、模拟电源=关闭SLIMO模式=
0。
IMO=24MHz 条件为VDD=3.3V、TA=25°
C、CPU=3MHz、SYSCLK倍频器被禁用，VC1=1.5MHz、VC2=93.75kHz、VC3=93.75kHz、模拟电源=关闭。
SLIMO模式=
0。
IMO=24MHz 条件为VDD=2.7V、TA=25°
C、CPU=0.75MHz、SYSCLK倍频器被禁用、VC1=0.375MHz、VC2=23.44kHz、VC3=0.09kHz、模拟电源=关闭。
SLIMO模式=
1。
IMO=6MHz 条件为带有内部低速振荡器、VDD=3.3V、–40°CTA55°
C、模拟电源=关闭 条件为内部低速振荡器，VDD=3.3V、55°C
VDD=3.3V、–40°CTA55°
C、模拟电源=关闭 条件为使用适当负载且最大功耗为1µW的32.768kHz晶振。
VDD=3.3V、55°C
VDD>3.0V 已针对相应的VDD进行调整。
VDD=2.4V~3.0V 注释：10.待机电流包含了系统稳定运行时所需要的所有功能（POR、LVD、WDT、睡眠定时器）的电流。
必须将它同类似功能处于启用状态的器件进行比较。
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A 页19/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A GPIO直流规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75V~5.25V和–40°CTA85°C，3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C，或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V，这些参数仅供设计指导使用。
表12.5V和3.3V直流GPIO规范 符号 RPURPDVOH 上拉电阻下拉电阻输出高电平 说明 VOL 输出低电压 IOH IOL VILVIHVHIILCIN COUT 高电平拉电流 低电平灌电流 输入低电平输入高电平输入迟滞输入漏电流（绝对值）输入引脚上的电容负载 输出引脚上的电容负载 最小值44 VDD–1.0 典型值5.65.6– 最大值88– – – 0.75 10 – – 25 – – – – 0.8 2.1 – – 60 – –
1 – – 3.5 10 – 3.5 10 单位
kΩkΩ
V V mAmAVVmVnApFpF 注释 IOH=10mA，VDD=4.75~5.25V（偶数端口引脚上（如：P0[2]、P1[4]）的最大电流为40mA，奇数端口引脚上（如：P0[3]、P1[5]）的最大电流为40mA）。
IOH预算的最大总电流为80mA。
IOL=25mA，VDD=4.75~5.25V（偶数端口引脚（如P0[2]、P1[4]）上的最大电流为100mA，奇数端口引脚上（如P0[3]、P1[5]）的最大电流为100mA）。
预算IOH的最大总电流为150mA。
VOH=VDD–1.0V，请参见VOH注解中介绍的总电流限制VOL=0.75V，请参见VOL注释中的总电流限制VDD=3.0~5.25VVDD=3.0~5.25V 粗略测试结果为1µA取决于封装和引脚。
温度=25°C取决于封装和引脚。
温度=25°
C 表13.2.7VGPIO直流电气规范 符号 RPURPDVOH 上拉电阻下拉电阻输出高电平 说明 VOL IOH VILVIHVHIOL IILCIN COUT 输出低电平 高电平拉电流 输入低电平输入高电平输入迟滞低电平灌电流 输入漏电流（绝对值）输入引脚上的电容负载 输出引脚上的电容负载 最小值44 VDD–0.4 典型值5.65.6– 最大值88– – – 0.75
2 – – – – 0.75 2.0 – – – 90 – 11.25 – – –
1 – – 3.5 10 – 3.5 10 单位
kΩkΩ
V V mA VVmVmA nApF pF 注释 IOH=2mA（典型值为6.25mA），VDD=2.4~3.0V（最大电流为16mA，预算IOH的典型总电流为50mA）。
IOL=11.25mA、VDD=2.4~3.0V（预算IOL的最大总电流为90mA）。
VOH=VDD–0.4，请参见VOH注释中总电流的限制。
VDD=2.4~3.0VDD=2.4~3.0 VOL=0.75V，请参见VOL注释中总电流的限制。
粗略测试结果为1µA取决于封装和引脚。
温度=25°C取决于封装和引脚。
温度=25°
C 文档编号：001-94553版本*
A 页20/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 直流运算放大器规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75V~5.25V和–40°CTA85°C，3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C，或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V，这些参数仅供设计指导使用。
运算放大器既是模拟连续时间PSoC模块的组件，又是模拟开关电容PSoC模块的组件。
许可的规范是在模拟连续时间PSoC模块中测得的。
典型参数的测量条件为：温度为25°
C，且电压为5V，这些参数仅供设计指导使用。
表14.5V直流运算放大器规范 符号VOSOA 说明输入偏移电压（绝对值）功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=高 TCVOSOAIEBOACINOA 平均输入偏移电压漂移输入漏电流（端口0模拟引脚）输入电容（端口0模拟引脚） VCMOA 共模电压范围共模电压范围（高功率或高运算放大器偏压） GOLOAVOHIGHOAVOLOWOAISOA PSRROA 开环增益功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=高输出高电平电压摆幅（内部信号）功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=高输出低电平电压摆幅（内部信号）功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=高供电电流（含相关的AGND缓冲器）功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=高供电电压抑制比 最小值典型值最大值单位 注释 – 1.6 10 mV – 1.3
8 mV 1.2 7.5 mV – – 7.0 35.0µV/°
C – 20 – pA粗略测试结果为1µ
A – 4.5 9.5 pF取决于封装和引脚。
温度=25°
C 0.0 – VDD V共模输入电压范围是通过模拟输出 0.5 –VDD–0.5 缓冲器测得的。
该规范包含了模拟输出缓冲器特性所造成的限制。
60 – 60 – 80 – 规范适用于高运算放大器偏压。
对 – dB于运算放大器低偏压模式，最小值 – dB为60dB。
– dB VDD–0.2– –
V VDD–0.2– –
V VDD–0.5– –
V – – 0.2
V – – 0.2
V – – 0.5
V – 150 200 µ
A – 300 400 µ
A – 600 800 µ
A – 1200
1600 µ
A – 24003200 µ
A – 46006400 µ
A 64 80 – dBVSSVIN（VDD–2.25）或 （VDD–1.25V）VINVDD 文档编号：001-94553版本*
A 页21/69 表15.3.3V直流运算放大器规范 符号VOSOA TCVOSOAIEBOACINOA 说明输入偏移电压（绝对值）功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=高平均输入偏移电压漂移输入漏电流（端口0模拟引脚）输入电容（端口0模拟引脚） VCMOA 共模电压范围 GOLOAVOHIGHOAVOLOWOAISOA 开环增益功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=低输出高电平电压摆幅（内部信号）功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=低输出低电平电压摆幅（内部信号）功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=低供电电流（含相关的AGND缓冲器）功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=高 PSRROA供电电压抑制比 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 最小值––––––0.2 606080VDD–0.2VDD–0.2VDD–0.2––– ––––––64 典型值1.651.32–7.0204.5– ––––––––– 15030060012002400 –80 最大值108–35.0–9.5 VDD–0.2 ––––––0.20.20.2 20040080016003200 –– 单位 注释 功耗=高和运算放大器偏压=高的mV设置不适用于3.3VVDD操作。
mVmV µV/°
C pA粗略测试结果为1A pF取决于封装和引脚。
温度=25°
C V共模输入电压范围是通过模拟输出缓冲器测得的。
该规范包含了模拟输出缓冲器特性所造成的限制。
该规范适用于运算放大器低偏压。
dB对于高运算放大器偏压模式（高功dB耗、高运算放大器偏压除外），dB最小值为60dB。
功耗=高和运算放大器偏压=高的V设置不适用于3.3VVDD操作。
VV 功耗=高和运算放大器偏压=高的V设置不适用于3.3VVDD操作。
VV 功耗=高和运算放大器偏压=高的A设置不适用于3.3VVDD操作。
AAAA
A dBVSSVIN（VDD–2.25）或（VDD–1.25V）VINVDD 文档编号：001-94553版本*
A 页22/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 表16.2.7V直流运算放大器规范 符号VOSOA TCVOSOAIEBOACINOA 说明输入偏移电压（绝对值）功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=高平均输入偏移电压漂移输入漏电流（端口0模拟引脚）输入电容（端口0模拟引脚） VCMOA 共模电压范围 GOLOAVOHIGHOAVOLOWOAISOA 开环增益功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=低输出高电平电压摆幅（内部信号）功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=低输出低电平电压摆幅（内部信号）功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=低供电电流（含相关的AGND缓冲器）功耗=低，运算放大器偏压=低功耗=低，运算放大器偏压=高功耗=中，运算放大器偏压=低功耗=中，运算放大器偏压=高功耗=高，运算放大器偏压=低功耗=高，运算放大器偏压=高 PSRROA供电电压抑制比 最小值––––––0.2 606080VDD–0.2VDD–0.2VDD–0.2––– ––––––64 典型值1.651.32–7.0204.5– ––––––––– 15030060012002400 –80 最大值108–35.0–9.5 VDD–0.2 ––––––0.20.20.2 20040080016003200 –– 单位 注意 功耗=高，运算放大器偏压=高的设mV置不适用于2.7VVDD操作。
mVmV V/°
C pA总测试到1A pF取决于封装和引脚。
温度=25°
C V共模输入电压范围是通过模拟输出缓冲器测得的。
该规范包含了模拟输出缓冲器特性所造成的限制。
该规范适用于低运算放大器偏压。
对dB于高运算放大器偏压模式（高功耗、dB高运算放大器偏压除外），最小值为dB60dB。
功耗=高，运算放大器偏压=高的设V置不适用于2.7VVDD操作。
VV 功耗=高，运算放大器偏压=高的设V置不适用于2.7VVDD操作。
VV 功耗=高，运算放大器偏压=高的设A置不适用于2.7VVDD操作。
AAAA
A dBVSSVIN（VDD–2.25）或（VDD–1.25V）VINVDD 低功耗比较器的直流规范表17分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75V~5.25V和–40°CTA85°C，3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C，或2.4V-3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测量条件为：温度为25°
C，且电压为5V，这些参数仅供设计指导使用。
表17.直流低功耗电压比较器规范 符号 VREFLPCISLPCVOSLPC 说明低功耗电压比较器（LPC）的参考电压范围LPC供电电流LPC电压偏移 最小值0.2–– 典型值–102.5 最大值VDD–1 40 30 单位VµAmV 注释 文档编号：001-94553版本*
A 页23/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 直流模拟输出缓冲区规格下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75V~5.25V和–40°CTA85°C，3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C，或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V，这些参数仅供设计指导使用。
表18.5V直流模拟输出缓冲器规范 符号CL 负载电容 说明 最小值– 典型值– 最大值200 VOSOB 输入偏移电压（绝对值） –
3 12 TCVOSOB平均输入偏移电压漂移 – +
6 – VCMOB 共模输入电压范围 0.5 – VDD–1.0 ROUTOB 输出电阻功耗=低功耗=高 –
1 – –
1 – VOHIGHOB输出为高电平的电压摆幅 （32Ω的负载连接到VDD/2）功耗=低 0.5×VDD+1.1– – 功耗=高 0.5×VDD+1.1– – VOLOWOB 输出为低电平的电压摆幅（32Ω的负载连接到VDD/2）功耗=低功耗=高 – – .5×VDD–1.3 – –0.5×VDD–1.3 ISOB 供电电流（包含运算放大器偏压单元 （无负载）） 功耗=低 – 功耗=高 – 1.1 5.1 2.6 8.8 PSRROB供电电压抑制比 52 64 – 单位pFmVV/°CVΩΩ VV VV mAmAdB 注释本规范适用于由模拟输出缓冲器驱动的外部电路。
VOUT>(VDD–1.25) 表19.3.3V直流模拟输出缓冲器规范 符号CL 负载电容 说明 VOSOBTCVOSOBVCMOBROUTOBVOHIGHOB VOLOWOB ISOB PSRROB 输入偏移电压（绝对值） 平均输入偏移电压漂移 共模输入电压范围 输出电阻功耗=低功耗=高 输出高电平电压摆幅（负载=1KΩ~VDD/2）功耗=低功耗=高 输出低电平电压摆幅（负载=1KΩ~VDD/2）功耗=低功耗=高 供电电流（包含运算放大器偏压单元（无负载））功耗=低功耗=高 供电电压抑制比 最小值–––0.5–– 0.5×VDD+1.00.5×VDD+1.0 –– ––52 典型值–3+6–11 –– –– 0.82.064 最大值20012– VDD–1.0–– –– 0.5×VDD–1.00.5×VDD–1.0 2.04.3– 单位pFmVV/°CVΩΩ VV VV mAmAdB 注释本规范适用于由模拟输出缓冲器驱动的外部电路。
VOUT>(VDD–1.25) 文档编号：001-94553版本*
A 页24/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 表20.2.7V直流模拟输出缓冲器规范 符号CL 负载电容 说明 VOSOBTCVOSOBVCMOBROUTOBVOHIGHOB VOLOWOB ISOB PSRROB 输入偏移电压（绝对值）平均输入偏移电压漂移共模输入电压范围输出电阻功耗=低功耗=高输出高电平电压摆幅（负载=1KΩ~VDD/2）功耗=低功耗=高输出低电平电压摆幅（负载=1KΩ~VDD/2）功耗=低功耗=高供电电流（包含运算放大器偏压单元（无负载））功耗=低功耗=高供电电压抑制比 最小值– ––0.5 –– 典型值– 3+6– 11 最大值200 12–VDD–1.0 –– 0.5×VDD+0.2– – 0.5×VDD+0.2– – – –0.5×VDD–0.7 – –0.5×VDD–0.7 0.8 2.0 – 2.0 4.3 52 64 – 单位pFmVV/°CV VV VVmAmAdB 注释本规范适用于由模拟输出缓冲器驱动的外部电路。
VOUT>(VDD–1.25)。
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A 页25/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 直流开关电压泵规范表21分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75V~5.25V和–40°CTA85°C，3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C，或2.4V-3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为：温度为25°
C，电压为5V、3.3V或2.7V，这些参数仅供设计指导使用。
表21.直流开关电压泵（SMP）规范 符号VPUMP5V 说明泵输出电压为5V VPUMP3V 泵输出电压为3.3V VPUMP2V 泵输出电压为2.6V IPUMP VBAT5VVBAT3VVBAT2VVBATSTARTVPUMP_Line 可用输出电流VBAT=1.8V、VPUMP=5.0VVBAT=1.5V、VPUMP=3.25VVBAT=1.3V、VPUMP=2.55V来自电池的输入电压范围 来自电池的输入电压范围 来自电池的输入电压范围 电池的最低输入电压，用于启动泵 线路调节（在VBAT范围内） 最小值4.75 3.00 2.45 5881.81.01.01.2 – VPUMP_Load负载调节 – VPUMP_Ripple输出电压纹波（取决于电容/ – 负载） E3 效率 35 E2 效率 – FPUMP 开关频率 – DCPUMP 开关占空比 – 典型值5.0 3.25 2.55 ––––––– 5 5 10050 –1.350 最大值5.25 3.60 2.80 –––5.03.33.0– – – –– ––– 单位VVV mAmAmAVVVV%VO %VO mVpp% 注释脚注中的配置。
[11]平均值，忽略纹波。
SMP激发电压被设置为5.0V。
脚注中的配置。
[11]平均值，忽略纹波。
SMP激发电压设置为3.25V。
脚注中的配置。
[11]平均值，忽略纹波。
SMP激发电压被设置为2.55V。
脚注中的配置。
[11]SMP激发电压被设置为5.0V。
SMP激发电压被设置为3.25V。
SMP激发电压被设置为2.55V。
脚注中列出的配置。
[11]SMP激发电压被设置为5.0V。
脚注中列出的配置。
[11]SMP激发电压被设置为3.25V。
脚注中列出的配置。
[11]SMP激发电压被设置为2.55V。
脚注中列出的配置。
[11]0°CTA100。
在TA=–40°C时，电压为1.25V脚注中的配置。
[11]VO是指通过直流POR和LVD规范中VM[2:0]设置指定的“PUMP激发的VDD值”,第35页上的表26。
脚注中的配置。
[11]VO是指通过直流POR和LVD规范中VM[2:0]设置指定的“PUMP激发的VDD值”,第35页上的表26。
脚注中的配置。
[11]负载电流为5mA。
脚注中的配置。
[11]负载电流为5mA。
SMP激发电压被设置为3.25V。
MHz% 注释：11.L1=2mH电感，C1=10mF电容，D1=Schottky（肖特基）二极管。
请参考图11。
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A 页26/69 图11.基本开关电压泵电路 D1 +VBAT L1Battery Vdd SMP PSoC Vss VPUMPC1 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 文档编号：001-94553版本*
A 页27/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 直流模拟参考规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75V~5.25V和–40°CTA85°C，3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C，或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V，这些参数仅供设计指导使用。
RefHI和RefLO许可的规范是通过模拟连续时间PSoC模块测得的。
RefHi和RefLo的功耗级别是指模拟参考控制寄存器的功耗。
在AGND旁路模式下，在P2[4]端测量AGND。
每个模拟连接时间PSoC模块将最大值为10mV的额外偏移误差添加到本地AGND缓冲器所许可的AGND规范。
除非另行规定，否则参考控制功耗可以设置为中或高。
注意：当使用由模拟参考决定的模拟源时，应避免将P2[4]作为数字信号。
AGND上可能出现数字信号的某些耦合。
表22.5V直流模拟参考规范 参考电压ARF_CR [5:3] 0b000 参考电压功耗设置 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 0b001 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 符号 VREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHI VAGNDVREFLO VREFHI VAGNDVREFLO VREFHI VAGNDVREFLO VREFHI VAGNDVREFLO 参考电压 说明 最小值 典型值 最大值 单位 参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.136VDD/2+1.288VDD/2+1.409V AGNDVDD/2 VDD/2–0.138VDD/2+0.003VDD/2+0.132V 参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.417VDD/2–1.289VDD/2–1.154V 参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.202VDD/2+1.290VDD/2+1.358V AGNDVDD/2 VDD/2–0.055VDD/2+0.001VDD/2+0.055V 参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.369VDD/2–1.295VDD/2–1.218V 参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.211VDD/2+1.292VDD/2+1.357V AGNDVDD/2 VDD/2–0.055 VDD/2 VDD/2+0.052V 参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.368VDD/2–1.298VDD/2–1.224V 参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.215VDD/2+1.292VDD/2+1.353V AGNDVDD/2 VDD/2–0.040VDD/2–0.001VDD/2+0.033V 参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.368VDD/2–1.299VDD/2–1.225V 参考电压为高P2[4]+P2[6](P2[4]=P2[4]+P2[6]P2[4]+P2[6]–P2[4]+P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V)–0.076 0.021 0.041 AGNDP2[4] P2[4] P2[4] P2[4] – 参考电压为低P2[4]–P2[6]（P2[4]=P2[4]–P2[6]P2[4]–P2[6]+P2[4]–P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V）–0.025 0.011 0.085 参考电压为高P2[4]+P2[6]（P2[4]=P2[4]+P2[6]P2[4]+P2[6]–P2[4]+P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V）–0.069 0.014 0.043 AGNDP2[4] P2[4] P2[4] P2[4] – 参考电压为低P2[4]–P2[6]（P2[4]=P2[4]–P2[6]P2[4]–P2[6]+P2[4]–P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V）–0.029 0.005 0.052 参考电压为高P2[4]+P2[6]（P2[4]=P2[4]+P2[6]P2[4]+P2[6]–P2[4]+P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V）–0.072 0.011 0.048 AGNDP2[4] P2[4] P2[4] P2[4] – 参考电压为低P2[4]–P2[6]（P2[4]=P2[4]–P2[6]P2[4]–P2[6]+P2[4]–P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V）–0.031 0.002 0.057 参考电压为高P2[4]+P2[6](P2[4]=P2[4]+P2[6]P2[4]+P2[6]–P2[4]+P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V)–0.070 0.009 0.047 AGNDP2[4] P2[4] P2[4] P2[4] – 参考电压为低P2[4]–P2[6]（P2[4]=P2[4]–P2[6]P2[4]–P2[6]+P2[4]–P2[6]+
V VDD/2、P2[6]=1.3V）–0.033 0.001 0.039 文档编号：001-94553版本*
A 页28/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 表22.5V直流模拟参考规范（续） 参考电压ARF_CR [5:3] 0b010 参考电压功耗设置 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 0b011 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 0b100 参考功耗=高运算放大器偏压=高 符号 VREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHI VAGNDVREFLO 参考功耗=高运算放大器偏压=低 VREFHI VAGNDVREFLO 参考功耗=中运算放大器偏压=高 VREFHI VAGNDVREFLO 参考功耗=中运算放大器偏压=低 VREFHI VAGNDVREFLO 参考电压 说明 参考电压为高AGND 参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低 VDDVDD/2VSSVDDVDD/2VSSVDDVDD/2VSSVDDVDD/2VSS 参考电压为高3×带隙AGND2×带隙 参考电压为低带隙 参考电压为高3×带隙AGND2×带隙 参考电压为低带隙 参考电压为高3×带隙AGND2×带隙 参考电压为低带隙 参考电压为高3×带隙AGND2×带隙 参考电压为低带隙 参考电压为高2×带隙+P2[6]（P2[6]=1.3V） AGND2×带隙 参考电压为低2×带隙–P2[6]（P2[6]=1.3V） 参考电压为高2×带隙+P2[6]（P2[6]=1.3V） AGND2×带隙 参考电压为低2×带隙–P2[6]（P2[6]=1.3V） 参考电压为高2×带隙+P2[6]（P2[6]=1.3V） AGND2×带隙 参考电压为低2×带隙–P2[6]（P2[6]=1.3V） 参考电压为高2×带隙+P2[6]（P2[6]=1.3V） AGND2×带隙 参考电压为低2×带隙–P2[6]（P2[6]=1.3V） 最小值 典型值 最大值 单位 VDD–0.121VDD–0.003 VDD
V VDD/2–0.040 VDD/2 VDD/2+0.034V VSS VSS+0.006VSS+0.019V VDD–0.083VDD–0.002 VDD
V VDD/2–0.040VDD/2–0.001VDD/2+0.033V VSS VSS+0.004VSS+0.016V VDD–0.075VDD–0.002 VDD
V VDD/2–0.040VDD/2–0.001VDD/2+0.032V VSS VSS+0.003VSS+0.015V VDD–0.074VDD–0.002 VDD
V VDD/2–0.040VDD/2–0.001VDD/2+0.032V VSS VSS+0.002VSS+0.014V 3.753 3.874 3.979
V 2.511 2.590 2.657
V 1.243 1.297 1.333
V 3.767 3.881 3.974
V 2.518 2.592 2.652
V 1.241 1.295 1.330
V 2.771 3.885 3.979
V 2.521 2.593 2.649
V 1.240 1.295 1.331
V 3.771 3.887 3.977
V 2.522 2.594 2.648
V 1.239 1.295 1.332
V 2.481
+P2[6]2.569+P2[6]2.639+P2[6]
V 2.511 2.590 2.658
V 2.515–P2[6]2.602–P2[6]2.654–P2[6]
V 2.498+P2[6]2.579+P2[6]2.642+P2[6]
V 2.518 2.592 2.652
V 2.513–P2[6]2.598–P2[6]2.650–P2[6]
V 2.504+P2[6]2.583+P2[6]2.646+P2[6]
V 2.521 2.592 2.650
V 2.513–P2[6]2.596–P2[6]2.649–P2[6]
V 2.505+P2[6]2.586+P2[6]2.648+P2[6]
V 2.521 2.594 2.648
V 2.513–P2[6]2.595–P2[6]2.648–P2[6]
V 文档编号：001-94553版本*
A 页29/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 表22.5V直流模拟参考规范（续） 参考电压ARF_CR [5:3] 0b101 参考电压功耗设置 参考功耗=高运算放大器偏压=高 符号 VREFHI VAGNDVREFLO 参考功耗=高运算放大器偏压=低 VREFHI VAGNDVREFLO 参考功耗=中运算放大器偏压=高 VREFHI VAGNDVREFLO 参考功耗=中运算放大器偏压=低 VREFHI VAGNDVREFLO 0b1100b111 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 VREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLOVREFHIVAGNDVREFLO 参考电压 说明 参考电压为高 AGND参考电压为低 参考电压为高 AGND参考电压为低 参考电压为高 AGND参考电压为低 参考电压为高 AGND参考电压为低 参考电压为高AGND 参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低参考电压为高 AGND参考电压为低 P2[4]+带隙（P2[4]=VDD/2）P2[4] P2[4]–带隙（P2[4]=VDD/2）P2[4]+带隙（P2[4]=VDD/2）P2[4] P2[4]–带隙（P2[4]=VDD/2）P2[4]+带隙（P2[4]=VDD/2）P2[4] P2[4]–带隙（P2[4]=VDD/2）P2[4]+带隙（P2[4]=VDD/2）P2[4] P2[4]–带隙（P2[4]=VDD/2）2×带隙 带隙VSS2×带隙 带隙VSS2×带隙 带隙VSS2×带隙 带隙VSS3.2×带隙 1.6×带隙VSS3.2×带隙 1.6×带隙VSS3.2×带隙 1.6×带隙VSS3.2×带隙 1.6×带隙VSS 最小值 P2[4]+1.228 P2[4]P2[4]–1.358 P2[4]+1.236 P2[4]P2[4]–1.357 P2[4]+1.237 P2[4]P2[4]–1.356 P2[4]+1.237 P2[4]P2[4]–1.357 2.5121.250VSS2.5151.253VSS2.5181.254VSS2.5171.255VSS4.0112.020VSS4.0222.023VSS4.0262.024VSS4.0302.024VSS 典型值 P2[4]+1.284 P2[4]P2[4]–1.293 P2[4]+1.289 P2[4]P2[4]–1.297 P2[4]+1.291 P2[4]P2[4]–1.299 P2[4]+1.292 P2[4]P2[4]–1.300 2.5941.303VSS+0.0112.5921.301VSS+0.0062.5931.301VSS+0.0042.5941.300VSS+0.0034.1432.075VSS+0.0114.1382.075VSS+0.0064.1412.075VSS+0.0044.1432.076VSS+0.003 最大值 P2[4]+1.332 P2[4]P2[4]–1.226 P2[4]+1.332 P2[4]P2[4]–1.229 P2[4]+1.337 P2[4]P2[4]–1.232 P2[4]+1.337 P2[4]P2[4]–1.233 2.6541.346VSS+0.0272.6541.340VSS+0.022.6511.338VSS+0.0172.6501.337VSS+0.0154.2032.118VSS+0.0264.2032.114VSS+0.0174.2072.114VSS+0.0154.2062.112VSS+0.013 单位
V –V
V –V
V –V
V –V VVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVV 文档编号：001-94553版本*
A 页30/69 CY8C24123ACY8C24223ACY8C24423A 表23.3.3V直流模拟参考规范 参考电压ARF_CR [5:3] 0b000 参考电压功耗设置 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 0b001 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 0b010 参考功耗=高运算放大器偏压=高 参考功耗=高运算放大器偏压=低 参考功耗=中运算放大器偏压=高 参考功耗=中运算放大器偏压=低 0b011 所有电源设置不适用于3.3V操作 符号 参考电压 说明 最小值 典型值 最大值单位 VREFHI参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.170VDD/2+1.288VDD/2+1.376V VAGND AGNDVDD/2 VDD/2–0.098VDD/2+0.003VDD/2+0.097V VREFLO参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.386VDD/2–1.287VDD/2–1.169V VREFHI参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.210VDD/2+1.290VDD/2+1.355V VAGND AGNDVDD/2 VDD/2–0.055VDD/2+0.001VDD/2+0.054V VREFLO参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.359VDD/2–1.292VDD/2–1.214V VREFHI参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.198VDD/2+1.292VDD/2+1.368V VAGND AGNDVDD/2 VDD/2–0.041 VDD/2 VDD/2+0.04V VREFLO参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.362VDD/2–1.295VDD/2–1.220V VREFHI参考电压为高VDD/2+带隙 VDD/2+1.202VDD/2+1.292VDD/2+1.364V VAGND AGNDVDD/2 VDD/2–0.033 VDD/2 VDD/2+0.030V VREFLO参考电压为低VDD/2–带隙 VDD/2–1.364VDD/2–1.297VDD/2–1.222V VREFHI参考电压为高P2[4]+P2[6]（P2[4]=P2[4]+P2[6]P2[4]+P2[6]–P2[4]+P2[6]+
V VDD/2，P2[6]=0.5V）–0.072 0.017 0.041 VAGND AGNDP2[4] P2[4] P2[4] P2[4] – VREFLO参考电压为低P2[4]–P2[6]（P2[4]=P2[4]–P2[6]P2[4]–P2[6]+P2[4]–P2[6]+
V VDD/2，P2[6]=0.5V）–0.029 0.010 0.048 VREFHI参考电压为高P2[4]+P2[6]（P2[4]=P2[4]+P2[6]P2[4]+P2[6]–P2[4]+P2[6]+
V VDD/2，P2[6
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