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CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 PSoC®可编程片上系统 PSoC®可编程片上系统 特性 ■强大的Harvard架构处理器❐M8C处理器的速度高达24MHz❐高速低功耗❐工作电压范围:2.4V-5.25V❐使用片上开关电压泵(SMP)时,工作电压可低至1.0V❐工业温度范围:–40°C到+85°
C ■高级外设(PSoC®模块)❐4个E型模拟PSoC模块,能够提供:•2个带数模转换器(DAC)电压参考的比较器•1个或2个10位28通道的模数转换器(ADC)❐4个数字PSoC模块提供:•8到32位定时器、计数器和脉冲宽度调制器(PWM)•循环冗余校验(CRC)和伪随机序列(PRS)模块•全双工通用异步接收器发送器(UART)、串行外设接口(SPI)主设备或从设备•可连接到所有GPIO引脚❐通过组合多个模块,能够构建复杂外设 ■灵活的片上存储器❐8KB闪速程序存储器,50,000次擦/写循环❐512字节静态随机存取存储器(SRAM)数据存储❐系统内串行编程(ISSP)❐局部闪存更新❐灵活的保护模式❐闪存内EEPROM仿真 ■完整的开发工具❐免费的开发软件(PSoCDesigner™)❐功能齐全的在线仿真器(ICE)和编程器❐全速仿真❐复合断点结构❐128KB的跟踪存储器 ■高精度的可编程时钟❐内部±2.5%24/48MHz主振荡器[1]❐内部振荡器,能够实现看门狗和睡眠功能 ■可编程引脚配置❐所有GPIO均支持25mA的灌电流和10mA的拉电流❐所有GPIO均可选择上拉、下拉、高阻、强驱动或开漏驱动等模式❐GPIO上多达8个模拟输入❐所有GPIO都能生成可配置中断 ■多功能模拟复用器❐通用内部模拟总线❐同时I/O组合连接❐具有电容式感应能力 ■额外系统资源❐I2C[2]主设备、从设备和多主设备,频率可达400kHz❐看门狗和睡眠定时器❐用户可配置的低压检测(LVD)功能❐集成监控电路❐片上高精度电压参考 逻辑框图 勘误表:有关芯片勘误表的信息,请查看第48页上的勘误表。
具体内容包括触发条件、受影响器件以及推荐的解决方案。
注释:
1.勘误表:IMO频率的最坏偏差情况是在0°C以下或+70°C以上运行,或在与数据手册温度范围高/低±5%的温度下运行。
2.勘误表:如果在器件进入或退出睡眠模式的同时,I2C主设备启动了某个数据传输,I2C模块将偶尔发生数据和总线损坏错误。
赛普拉斯半导体公司文档编号:001-92988版本*
B •198ChampionCourt •SanJose,CA95134-1709•408-943-2600 修订日期November15,2017 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 更多有关的信息 赛普拉斯的网站上提供了大量资料,有助您正确选择PSoC器件用于设计,并使您能够快速和有效地将器件集成到设计中。
有关使用资源的完整列表,请参考知识库文章“如何使用PSoC®
1、PowerPSoC®和PLC进行设计— KBA88292”。
下面是PSoC1的简要列表: ■概况:PSoC产品系列、PSoC路线图 ■产品选型器:PSoC1、PSoC3、PSoC4、PSoC5LP ■此外,PSoCDesigner还包含了一个器件选择工具。
■应用笔记:赛普拉斯提供了大量PSoC应用笔记,包括从基本到高级的广泛主题。
下面列出了PSoC1入门的应用笔记:❐PSoC®1入门—AN75320。
❐PSoC®1—GPIO入门—AN2094。
❐PSoC®1模拟结构和配置—AN74170。
❐PSoC®1开关电容模拟模块—AN2041。
❐选择模拟接地和参考电压—AN2219。
注意:欲了解与本应用笔记相关的CY8C21x34B器件,请点击此处。
■开发套件:❐除了CY8C25/26xxx器件外,CY3210-PSoCEval1支持所有PSoC1混合信号阵列系列(包括汽车级器件)。
该套件包括LCD模块、电位器、LED和实验板空间。
❐CY3214-PSoCEvalUSB主要作为CY8C24x94PSoC器件的开发板使用。
开发板的特殊功能支持开发和调试USB和CapSense。
注意:欲了解与开发套件相关的CY8C21x34B器件,请点击此处。
MiniProg1和MiniProg3编程工具可用于对PSoC器件的编程和调试(PSoC1器件仅限编程)。
PSoCDesigner PSoCDesigner是基于Windows的免费集成开发环境(IDE)。
在拖放式开发环境中使用预先设定的模拟和数字外设库来开发您的应用程序。
然后,利用动态生成的API代码库来自定义您的设计。
图1显示的是PSoCDesigner窗口。
注意:这并不是默认窗口。
1.GlobalResources(全局资源)—所有器件硬件的设置。
2.Parameters(参数)—当前选中的用户模块的参数。
3.Pinout(引脚分布)—器件引脚的相关信息。
4.Chip-LevelEditor(芯片级编辑器)—选中芯片上可用资源 的框图
5.Datasheet(数据手册)—当前选中的用户模块的数据手册。
6.UserModules(用户模块)—选中器件的所有可用的用户模 块。
7.DeviceResourceMeter(器件资源计)—当前项目配置的 器件资源使用率
8.Workspace(工作区)—与项目有关的文件树级图。
9.Output(输出)—从项目构建和调试操作的输出。
注意:欲了解有关PSoCDesigner的详细信息,请依次选择PSoC®Designer>Help>Documentation>DesignerSpecificDocuments>IDEUserGuide。
图
1.PSoCDesigner布局 文档编号:001-92988版本*
B 页2/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 目录 PSoC功能概述....................................................................4PSoC内核....................................................................4数字系统......................................................................4模拟系统......................................................................5其它系统资源...............................................................5PSoC器件特性.............................................................6 入门....................................................................................6应用笔记......................................................................6开发套件......................................................................6培训.............................................................................6CYPros顾问.................................................................6解决方案库..................................................................6技术支持......................................................................6 开发工具.............................................................................7PSoCDesigner软件子系统..........................................7 使用PSoCDesigner进行设计............................................8选择用户模块...............................................................8配置用户模块...............................................................8组织和连接..................................................................8生成、验证和调试........................................................8 引脚信息.............................................................................916引脚器件的引脚分布................................................9CY8C2123416引脚SOIC引脚定义.............................920引脚器件的引脚分布..............................................10CY8C2133420引脚SSOP引脚定义..........................1028引脚器件的引脚分布..............................................11CY8C2153428引脚SSOP引脚定义..........................1132引脚器件的引脚分布..............................................12CY8C21434/CY8C2163432-QFN引脚定义..............1356引脚器件的引脚分布..............................................14CY8C2100156-SSOP引脚定义................................14 寄存器参考........................................................................16寄存器规范................................................................16寄存器映射表.............................................................16 最大绝对额定值................................................................19工作温度...........................................................................19电气规范...........................................................................20 直流电气特性.............................................................20交流电气特性.............................................................26封装信息...........................................................................34热阻抗........................................................................38回流焊规范................................................................38开发工具选择....................................................................39软件...........................................................................39开发套件....................................................................39评估工具....................................................................39器件编程器................................................................40配件(仿真和编程)..................................................40订购信息...........................................................................41订购代码定义.............................................................42缩略语...............................................................................43参考文档...........................................................................43文档规范...........................................................................44测量单位....................................................................44数字规范....................................................................44术语表...............................................................................44勘误表...............................................................................48受影响的器件型号......................................................48CY8C21X34合格状态................................................48CY8C21X34勘误表汇总............................................49文档修订记录....................................................................50销售、解决方案和法律信息..............................................51 文档编号:001-92988版本*
B 页3/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 PSoC功能概述 PSoC系列包含许多带片上控制器的器件。
这些器件旨在使用一个低成本的单芯片可编程组件来替换多个基于MCU的传统系统组件。
PSoC器件包含多个可配置的模拟和数字逻辑模块,以及可编程互连。
这种结构可帮助您根据每个应用的要求来创建可定制的外设配置。
此外,在一系列方便易用的引脚布局中还包含快速的CPU、闪存程序存储器、SRAM数据存储器和可配置的I/O。
如图2所示,PSoC架构由以下4个主要部分组成:内核、系统资源、数字系统和模拟系统。
利用可配置的全局总线资源,可将所有器件资源整合到一个完全定制的系统中。
每个CY8C21x34PSoC器件均包括4个数字模块和4个模拟模块。
根据PSoC封装,最多还可以包含28个GPIO。
GPIO能够提供对全局数字和模拟互连的访问。
PSoC内核 PSoC内核是一个功能强大的引擎,它支持丰富的指令集。
它包含用于存储数据的SRAM、中断控制器、睡眠和看门狗定时器,以及IMO(内部主振荡器)和ILO(内部低速振荡器)。
M8CCPU内核是一个速度高达24MHz的强大处理器[3]。
M8C是一个4MIPS的8位Harvard架构微处理器。
系统资源能够提供下述附加功能: ■用于提高灵活性的数字时钟。
■I2C[4]功能以实现I2C主设备和从设备 ■内部电压参考,多主设备模式能够为众多PSoC子系统提供1.3V的绝对值。
■开关电压泵(SMP),能够利用单个电池生成正常的工作电压。
■M8C支持的多种系统复位功能。
数字系统包括一个数字PSoC模块阵列,能够将这些模块配置为各种数字外设。
可通过一系列全局总线将数字模块连接到GPIO。
这些功能能将任意信号路由至任意引脚,因此设计不再受固定外设控制器的限制。
模拟系统包括四个模拟PSoC模块,支持电压比较器以及精度高达10位的模数转换。
数字系统 数字系统包括4个数字PSoC模块。
每个模块都是一个8位的资源,不仅可以单独使用,还可以与其他模块一起组成8、16、24和32位外设(这些模块被称为用户模块)。
数字外设配置包括: ■PWM(8到32位) ■带死区的PWM(8到32位) ■计数器(8到32位) ■定时器(8到32位) ■带可选奇偶校验位的8位UART ■串行外设接口(SPI)主设备和从设备■I2C从设备和多主设备[4] ■CRC/发生器(8位) ■IrDA ■PRS发生器(8到32位) 通过一系列能够将任意信号路由至任意引脚的全局总线,数字模块可被连接到任意GPIO。
此外,通过总线还可以实现信号复用和执行逻辑运算。
由于具有这种可配置性,因此设计不再受固定外设控制器的限制。
数字模块采用了四个一行的排列方式,具体的模块数量因PSoC器件系列不同而异。
这样有助于根据应用选择最佳的系统资源。
关于此产品系列的资源,请参见第6页上的表
1。
图
2.数字系统框图 Port3 Port2 Port1 Port0 DigitalClocksToSystemBusFromCore ToAnalogSystem 88 RowInputConfigurationRowOutputConfiguration DIGITALSYSTEM DigitalPSoCBlockArray Row0
4 DBB00 DBB01 DCB02 DCB034 GIE[7:0]GIO[7:0] GlobalDigitalInterconnect GOE[7:0]GOO[7:0] 88 注释:
3.勘误表:IMO频率的最坏偏差情况是在0°C以下或+70°C以上运行,或在与数据手册温度范围高/低±5%的温度运行。
4.勘误表:如果在器件进入或退出睡眠模式的同时,I2C主设备启动了某个数据传输,I2C模块将偶尔发生数据和总线损坏错误。
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B 页4/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 模拟系统模拟系统包含4个可配置的模块,这些模块允许创建复杂的模拟信号流。
模拟外设非常灵活,并能够根据具体的应用要求进行定制。
此器件的一些常用PSoC模拟功能(大都以用户模块的方式提供)包括: ■ADC(1个或2个,具有8位或10位分辨率)■引脚至引脚电压比较器■带绝对(1.3V)参考电压或8位DAC电压参考的单端电压比较 器(最多2个)■1.3V参考电压(属于系统资源)在大多数PSoC器件中,模拟模块都采用三个一列的排列方式,其中包括一个连续时间(CT)和两个开关电容(SC)模块。
CY8C21x34器件提供功能有限功能的E型模拟模块。
每列包含一个CTE型模块和一个SCE型模块。
有关CY8C21x34E型模拟模块的详细信息,请参考PSoC技术参考手册。
图
3.模拟系统框图 ArrayInputConfiguration AllI/O XXXX
X ACI0[1:0] ACI1[1:0] ACOL1MUXAnalogMuxBus ACE00 ArrayACE01 模拟复用器系统 可将模拟复用器总线连接至每个GPIO引脚。
引脚可单独连接至总线,也可以通过任意组合的方式连接至总线。
该总线还连接着模拟系统,以便使用电压比较器和模数转换器进行分析。
将端口0引脚连接至模拟阵列的另一个通路是由一个额外的8:1模拟输入复用器提供的。
借助于开关控制逻辑,可以在硬件控制下对选定的引脚进行连续预充电。
从而能够对触摸感应等应用进行电容式测量。
其他复用器应用包括: ■电容式触控板、手指感应。
■芯片级复用器,可以从任意的I/O引脚进行模拟输入 ■任意I/O引脚组合之间的交叉点连接 其它系统资源 系统资源能够为整个系统提供非常有用的附加功能。
某些系统资源已在前面章节中列出。
其他资源还包括开关电压泵、欠压检测和加电复位(POR)。
■数字时钟分频器能够提供三个可定制的时钟频率,以便在应用中使用。
这些时钟可被路由到数字系统,也可被路由到模拟系统。
通过将数字PSoC模块用作时钟分频器,可以生成更多时钟。
■I2C[5]模块能够通过两条线提供100kHz和400kHz的通信。
支持从设备、主设备和多主设备模式。
■LVD中断可以在电压下降时向应用程序发送信号,而高级POR电路则没有系统监控方面的需要。
■内部1.3V参考电压为ADC、DAC等模拟系统提供了一个绝对参考。
■集成开关电压泵能够利用单个1.2V的电池生成正常的工作电压,从而提供了一个低成本的升压转换器。
■通用模拟复用器系统。
ASE10 ASE11 注释:
5.勘误表:如果在器件进入或退出睡眠模式的同时,I2C主设备启动了某个数据传输,I2C模块将偶尔发生数据和总线损坏错误。
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B 页5/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 PSoC器件特性 数字和模拟系统可以有16、8或4位的数字模块和12、6或4个模拟模块,具体情况取决于PSoC器件的特性。
表1列出了特定PSoC器件系列可以使用的系统资源。
本数据手册中所介绍的PSoC器件在表1中突出显示。
表
1.PSoC器件特性 PSoC器件编号CY8C29x66CY8C28xxx CY8C27x43CY8C24x94CY8C24x23ACY8C23x33CY8C22x45CY8C21x45CY8C21x34CY8C21x23CY8C20x34CY8C20xx6 数字I/O多达64个多达44个 多达44个多达56个多达24个多达26个多达38个多达24个多达28个多达16个多达28个多达36个 数字行
4 多达3个 数字模块 16 多达12个 模拟输入 多达12个 多达44个 模拟输出
4 多达4个
2 8 多达12个
4 1
4 多达48个
2 1
4 多达12个
2 1
4 多达12个
2 2
8 多达38个
0 1
4 多达24个
0 1
4 多达28个
0 1
4 多达8个
0 0
0 多达28个
0 0
0 多达36个
0 模拟列4多达6个 4222442200 模拟模块 12 多达12+4[6]个 12 6 6 46[6]6[6]4[6]4[6]3[6、7]3[6、7] SRAM大小2K1K 2561K2562561K512512256512多达2K 闪存大小32K16K 16K16K4K8K16K8K8K4K8K多达32K 入门 有关详细信息以及详细的编程信息,请参见PSoC®技术参考手册。
如需最新的订购、封装和电气规范信息,请参见网站上提供的最新PSoC器件数据手册。
应用笔记 赛普拉斯应用笔记是对各种各样的PSoC设计方案提供的完美介绍。
开发套件 可在线获得PSoC开发套件,也可以从不断增加的地区和全球分销商(包括Arrow、、Digi-Key、Farnell、FutureElectronics和Newark)那里获得。
培训 网址下所在的在线免费PSoC技术培训(按需提供的培训、在线研讨会和专题讨论会)包含有助于您进行设计的大量主题和技能。
CYPros顾问从技术协助到完成PSoC设计,得到认证的PSoC顾问能够提供一切支持。
要联系或成为PSoC顾问,请访问CYPros顾问网站。
解决方案库 访问我们以解决方案为中心且内容不断增多的设计库。
在这里,您可以找到各种应用设计,包括了可帮助您快速完成设计的固件和硬件设计文件。
技术支持 可以在线获取技术支持(包括可搜索的知识库文章和技术论坛)。
如果找不到问题的解决方案,请致电1-800-541-4736联系技术支持。
注释:
6.有限的模拟功能。
7.两个模拟模块和一个CapSense®。
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B 页6/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 开发工具 PSoCDesigner™是革新的集成开发环境(IDE),您可以用来自定义PSoC以满足特定的应用需求。
PSoCDesigner软件可加快系统的设计和上市进程。
在拖放式开发环境中使用预先设定的模拟和数字外设库(也称为用户模块)来开发您的应用程序。
然后,利用动态生成的应用编程接口(API)代码库来自定义您的设计。
最后,在集成调试环境中调试并测试您的设计,包括在线仿真和标准的软件调试功能。
PSoCDesigner包括: ■应用编辑器图形用户界面(GUI),用于器件和用户模块配置和动态重配置 ■内容丰富的用户模块目录 ■集成的源码编辑器(C语言和汇编语言) ■免费的C语言编译器(无大小限制或时间限制) ■内置调试器 ■在线仿真 ■支持通信接口内置:❐硬件和软件I2C[8]从设备和主设备❐全速USB2.0❐多达四个全双工通用异步收发器/发送器(UART)、SPI主接口和从接口及无线 PSoCDesigner支持整个库的PSoC1器件,并可以在WindowsXP、WindowsVista和Windows7系统上运行。
PSoCDesigner软件子系统 设计入口 在芯片级视图中,选择需要使用的基本器件。
然后选择不同的板上模拟和数字组件。
这些组件称为用户模块,并采用PSoC模块。
用户模块示例包括ADC、DAC、放大器和滤波器。
为所选应用配置用户模块,将它们互连并连接至适当的引脚。
然后生成您的项目。
这样会在项目中加入API和库,您可以使用它们来对应用进行编程。
通过此工具,用户还可以轻松开发多个配置和动态重配置。
利用动态重新配置,可在运行时更改配置。
实质上,通过动态重新配置,您可以为某个应用使用超过100%的PSoC资源。
代码生成工具 这些代码生成工具能够在PSoCDesigner界面内无缝工作,并已采用一整套调试工具进行测试,您可以使用C语言、汇编语言或两者进行开发设计。
汇编器。
汇编器使汇编代码与C语言代码无缝结合。
链接库会自动使用绝对寻址,或在相对模式下进行编译,然后与其他软件模块链接实现绝对寻址。
C语言编译器。
C语言编译器支持PSoC器件系列。
这些产品可让您为PSoC系列器件创建完整的C语言程序。
优化的C语言编译器能够提供针对PSoC架构定制的所有C语言功能。
此外,还提供了各个嵌入式库。
这些库能够提供端口和总线操作、标准键盘和显示器支持,以及扩展的数学功能。
调试器 PSoCDesigner提供的调试环境具有硬件在线仿真功能,不仅可提供了PSoC器件的内部视图,还可让您在物理系统中测试程序。
借助调试器指令,可对数据存储器进行读/编程及读/写操作,对I/O寄存器进行读/写操作。
可对CPU寄存器进行读/写操作、设置和清除断点,以及提供程序运行、暂停和步进控制。
调试器还可让你创建相关寄存器和存储器位置的跟踪缓冲器。
在线帮助系统 在线帮助系统可提供与上下文相关的在线帮助。
每个功能子系统都有上下文关联的帮助,以便提供程式化的快速参考。
在线帮助系统还提供相关教程以及指向常见问题和在线支持论坛的链接,以帮助设计人员。
在线仿真器 功能强大的低成本在线仿真器(ICE)可支持开发工作。
该硬件可以编程单个器件。
仿真器包含一个通过USB端口连接到PC的基本装置。
这个基本装置是通用的,它能够与所有的PSoC器件一起使用。
您可以单独购买任意器件系列的仿真转接板。
仿真转接板取代了目标电路板中的PSoC器件并可执行全速(24MHz)操作。
注释:
8.勘误表:如果在器件进入或退出睡眠模式的同时,I2C主设备启动了某个数据传输,I2C模块将偶尔发生数据和总线损坏错误。
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B 页7/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 使用PSoCDesigner进行设计 PSoC器件的开发过程不同于传统的固定功能微处理器的开发过程。
可配置的模拟和数字硬件模块赋予了PSoC架构独特的灵活性,这样有助于在开发期间管理规范变更,并降低库存成本。
这些可配置的资源(称为PSoC模块)能够实现众多可供用户选择的功能。
PSoC开发过程可概括为以下四个步骤:
1.选择用户模块.
2.配置用户模块。
3.组织和连接。
4.生成、验证和调试。
选择用户模块 PSoCDesigner提供了一个预建且预测试的硬件外设组件库,被称为“用户模块”。
通过使用用户模块可使选择和实现外设器件(包括模拟和数字器件)变得非常简单。
配置用户模块 所选的每个用户模块都能够建立用于实现所选功能的基本寄存器设置。
此外,它们还提供了各个参数和属性,使您能够针对特定应用定制精确配置。
例如,PWM用户模块能够配置一个或多个数字PSoC模块(每个8位分辨率的模块)。
借助用户模块参数,您可以确定脉冲宽度和占空比。
根据所选应用配置参数和属性。
您可以直接输入某个值或从下拉菜单中选择。
所有用户模块都记录在数据手册中,可在PSoCDesigner中或赛普拉斯网站上 直接查看。
这些用户模块数据手册介绍了用户模块的内部操作并提供了性能规范。
每个数据手册都介绍了每个用户模块参数的使用,以及成功实现设计可能需要的其他信息。
组织和连接 你可以通过用户模块互连及与I/O引脚相连来构建芯片级的信号链。
通过进行选择、配置和布线,可完全控制所有片上资源。
生成、验证和调试 当测试硬件配置准备就绪或接下来要开发项目代码时,请执行“生成配置文件”这一步骤。
这会使PSoCDesigner生成源代码,而源代码会自动按照您的规范配置器件,并为系统提供软件。
生成的代码提供具有高级功能的应用编程接口(API),以便在运行时控制与响应硬件事件,以及可根据需要调整的中断服务子程序。
完善的代码开发环境可让你使用C语言和/或汇编语言来开发和定制应用程序。
开发过程的最后一步是在PSoCDesigner的调试器(单击“Connect”(连接)图标访问)中完成的。
PSoCDesigner会将HEX图像下载到ICE中并全速运行。
PSoCDesigner的调试功能可以与较其成本高出数倍的系统相媲美。
除了传统的单步执行、运行到断点和监视变量功能外,调试接口还提供大型跟踪缓冲区,并允许您定义复杂断点事件。
这些事件包括监控地址和数据总线值、存储器位置和外部信号。
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B 页8/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 引脚信息 CY8C21x34PSoC器件有多种封装可供选择,后续表格分别列出了这些封装。
每个端口引脚(标志为“P”)都能用作数字I/O,并可连接到通用模拟总线。
但是,VSS、VDD、SMP和XRES不能用作数字I/O。
16引脚器件的引脚分布 图
4.CY8C2123416引脚PSoC器件
A,I,
M,P0[7]
1 A,
I,M,P0[5]
2 A,
I,M,P0[3]
3 A,
I,M,P0[1]
4 SMP
5 VSS
6 M,I2CSCL,P1[1]
7 VSS
8 SOIC 16VDD15P0[6],
A,I,M 14P0[4],
A,I,M13P0[2],
A,I,M12P0[0],
A,I,M 11P1[4],EXTCLK,M10P1[2],M 9P1[0],I2CSDA,
M CY8C2123416引脚SOIC引脚定义 引脚编号 数字 类型模拟 名称
1 I/O
I、M P0[7]
2 I/O
I、M P0[5]
3 I/O
I、M P0[3]
4 I/O
I、M P0[1]
5 电源 SMP
6 电源
7 I/O
M VSSP1[1]
8 电源
9 I/O
M VSSP1[0] 10 I/O
M P1[2] 11 I/O
M P1[4] 12 I/O
I、M P0[0] 13 I/O
I、M P0[2] 14 I/O
I、M P0[4] 15 I/O
I、M P0[6] 16 电源 VDD 图标A=模拟,I=输入,O=输出和M=模拟复用器输入。
说明 模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入、积分输入模拟列复用器输入、积分输入开关电压泵(SMP)被连接到所需的外部组件接地[9]I2C串行时钟(SCL)、ISSP-SCLK[10]接地[9]I2C串行数据(SDA)、ISSP-SDATA[10] 可选外部时钟输入(EXTCLK)模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压 注释:
9.应将所有VSS引脚连接到共同的GND接地层。
10.这些是ISSP引脚,上电复位时不处于HighZ模式。
有关详细信息,请参见《PSoC技术参考手册》。
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B 页9/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 20引脚器件的引脚分布 图
5.CY8C2133420引脚PSoC器件
A,I,
M,P0[7]
1 A,
I,M,P0[5]
2 A,
I,M,P0[3]
3 A,
I,M,P0[1]
4 VSS
5 M,I2CSCL,P1[7]
6 M,I2CSDA,P1[5]
7 M,P1[3]
8 M,I2CSCL,P1[1]
9 VSS 10 SSOP 20VDD19P0[6],
A,I,M18P0[4],
A,I,M17P0[2],
A,I,M16P0[0],
A,I,M15XRES14P1[6],M13P1[4],EXTCLK,M12P1[2],M11P1[0],I2CSDA,
M CY8C2133420引脚SSOP引脚定义 引脚编号 数字 类型模拟 名称
1 I/O
I、M P0[7]
2 I/O
I、M P0[5]
3 I/O
I、M P0[3]
4 I/O
I、M P0[1]
5 电源 VSS
6 I/O
M P1[7]
7 I/O
M P1[5]
8 I/O
M P1[3]
9 I/O
M P1[1] 10 电源 11 I/O
M VSS
P1[0] 12 I/O
M P1[2] 13 I/O
M P1[4] 14 I/O
M P1[6] 15 输入 XRES 16 I/O
I、M 17 I/O
I、M 18 I/O
I、M 19 I/O
I、M 20 电源 P0[0]P0[2]P0[4]P0[6]VDD 模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入、积分输入模拟列复用器输入、积分输入接地[11]I2CSCLI2CSDA 说明 I2CSCL、ISSP-SCLK[12]接地[11]I2CSDA、ISSP-SDATA[12] 可选外部时钟输入(EXTCLK) 采用内部下拉电阻的高电平有效外部复位模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压 图标 A=模拟,I=输入,O=输出和M=模拟复用器输入。
注释:11.应将所有VSS引脚连接到共同的GND接地层。
12.这些是ISSP引脚,上电复位时不处于HighZ模式。
有关详细信息,请参见《PSoC技术参考手册》。
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B 页10/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 28引脚器件的引脚分布 图
6.CY8C2153428引脚PSoC器件
A,I,
M,P0[7]
1 A,
I,M,P0[5]
2 A,
I,M,P0[3]
3 A,
I,M,P0[1]
4 M,P2[7]
5 M,P2[5]
6 M,P2[3]
7 M,P2[1]
8 VSS
9 M,I2CSCL,P1[7]10
M,I2CSDA,P1[5]11
M,P1[3]12
M,I2CSCL,P1[1]13 VSS 14 SSOP 28VDD27P0[6],
A,I,M26P0[4],
A,I,M25P0[2],
A,I,M24P0[0],
A,I,M23P2[6],M22P2[4],M21P2[2],M20P2[0],M19XRES18P1[6],M17P1[4],EXTCLK,M16P1[2],M15P1[0],I2CSDA,
M CY8C2153428引脚SSOP引脚定义 引脚编号 数字 类型模拟 名称
1 I/O
I、M P0[7]
2 I/O
I、M P0[5]
3 I/O
I、M P0[3]
4 I/O
I、M P0[1]
5 I/O
M P2[7]
6 I/O
M P2[5]
7 I/O
I、M P2[3]
8 I/O
I、M P2[1]
9 电源 VSS 10 I/O
M P1[7] 11 I/O
M P1[5] 12 I/O
M P1[3] 13 I/O
M P1[1] 14 电源 15 I/O
M VSS
P1[0] 16 I/O
M P1[2] 17 I/O
M P1[4] 18 I/O
M P1[6] 19 输入 XRES 20 I/O
I、M P2[0] 21 I/O
I、M P2[2] 22 I/O
M P2[4] 23 I/O
M P2[6] 24 I/O
I、M P0[0] 25 I/O
I、M P0[2] 26 I/O
I、M P0[4] 27 I/O
I、M P0[6] 28 电源 VDD 图标A=模拟、I=输入、O=输出和M=模拟复用器输入。
说明 模拟列复用器输入模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入和列输出、积分输入模拟列复用器输入、积分输入 直接开关电容模块输入直接开关电容模块输入接地[13]I2CSCLI2CSDA I2CSCL、ISSP-SCLK[14]接地[13]I2CSDA、ISSP-SDATA[14] 可选的外部时钟输入(EXTCLK) 采用内部下拉电阻的高电平有效外部复位直接开关电容模块输入直接开关电容模块输入 模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压 注释:13.应将所有VSS引脚连接到共同的GND接地层。
14.这些是ISSP引脚,它们在上电复位时不处于HighZ模式。
有关详细信息,请参见《PSoC技术参考手册》。
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B 页11/51 32引脚器件的引脚分布图
7.CY8C2143432引脚PSoC器件 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 图
8.CY8C2163432引脚PSoC器件 图
7.CY8C2143432引脚SawnPSoC器件Sawn 图10.CY8C2163432引脚SawnPSoC器件Sawn 32Vss31P0[3],
A,I,M30P0[5],
A,I,M29P0[7],
A,I,M28Vdd27P0[6],
A,I,M26P0[4],
A,I,M25P0[2],
A,I,
M 32Vss31P0[3],
A,I,M30P0[5],
A,I,M29P0[7],
A,I,M28Vdd27P0[6],
A,I,M26P0[4],
A,I,M25P0[2],
A,I,
M A,
I,M,P0[1]1M,P2[7]2M,P2[5]3M,P2[3]4M,P2[1]5M,P3[3]6M,P3[1]
7 M,I2CSCL,P1[7]
8 QFN (TopView) 24P0[0],
A,I,M23P2[6],M22P2[4],M21P2[2],M20P2[0],M19P3[2],M18P3[0],M17XRES
A,I,
M,P0[1]1M,P2[7]2M,P2[5]3M,P2[3]4M,P2[1]5SMP6Vss7
M,I2CSCL,P1[7]
8 QFN (TopView) 24P0[0],
A,I,M23P2[6],M22P2[4],M21P2[2],M20P2[0],M19P3[2],M18P3[0],M17XRES
M,I2CSDA,P1[5]9M,P1[3]10
M,I2CSCL,P1[1]11Vss12
M,I2CSDA,P1[0]13M,P1[2]14
M,EXTCLK,P1[4]15M,P1[6]16
M,I2CSDA,P1[5]9M,P1[3]10
M,I2CSCL,P1[1]11Vss12
M,I2CSDA,P1[0]13M,P1[2]14
M,EXTCLK,P1[4]15M,P1[6]16 文档编号:001-92988版本*
B 页12/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 CY8C21434/CY8C2163432-QFN引脚定义 引脚编号[15] 类型 数字 模拟 名称
1 I/O
I、M P0[1]
2 I/O
M P2[7]
3 I/O
M P2[5]
4 I/O
M P2[3]
5 I/O
M P2[1]
6 I/O
M P3[3]
6 电源 SMP
7 I/O
M P3[1]
7 电源 VSS
8 I/O
M P1[7]
9 I/O
M P1[5] 10 I/O
M P1[3] 11 I/O
M P1[1] 12 电源 VSS 13 I/O
M P1[0] 14 I/O
M P1[2] 15 I/O
M P1[4] 16 I/O
M P1[6] 17 输入 XRES 18 I/O
M P3[0] 19 I/O
M P3[2] 20 I/O
M P2[0] 21 I/O
M P2[2] 22 I/O
M P2[4] 23 I/O
M P2[6] 24 I/O
I、
M P0[0] 25 I/O
I、M P0[2] 26 I/O
I、M P0[4] 27 I/O
I、M P0[6] 28 电源 VDD 29 I/O
I、M P0[7] 30 I/O
I、M P0[5] 31 I/O
I、M P0[3] 32 电源 VSS 图标:A=模拟、I=输入、O=输出和M=模拟复用器输入。
模拟列复用器输入、积分输入 说明 在CY8C21434芯片中SMP连接至CY8C21634芯片所需的外部组件在CY8C21434芯片中CY8C21634芯片中的接地[16]I2CSCLI2CSDA I2CSCL、ISSP-SCLK[17]接地[16]I2CSDA、ISSP-SDATA[17] 可选的外部时钟输入(EXTCLK) 有内部下拉电阻的高电平有效外部复位 模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入、积分输入接地[16] 注释:15.QFN封装上的中心焊盘必须接地(VSS),以获得最佳机械、热学和电气性能。
如果未接地,它则必须处于电气悬空状态,而不能连接到其他任何信号。
16.应将所有VSS引脚连接到共同的GND接地层。
17.这些是ISSP引脚,它们在上电复位时不处于HighZ模式。
有关详细信息,请参见《PSoC技术参考手册》。
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B 页13/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 56引脚器件的引脚分布 56引脚SSOP器件适用于CY8C21001片上调试(OCD)PSoC器件。
注意:此器件仅用于在线调试。
不能用于生产。
图11.CY8C2100156引脚PSoC器件 Vss
1 56 Vdd AI,P0[7]
2 55 P0[6],AI AI,P0[5]
3 AI,P0[3]
4 54 P0[4],AI 53 P0[2],AI AI,P0[1]
5 P2[7]
6 52 P0[0],AI 51 P2[6] P2[5]
7 P2[3]
8 50 P2[4] 49 P2[2] P2[1]
9 48 P2[0] NC 10 47 NC NC 11 46 NC NC 12 45 P3[2] NC 13 44 P3[0] OCDE 14SSOP 43 CCLK OCDO 15 42 HCLK SMP 16 41 XRES Vss 17 Vss 18 P3[3] 19 P3[1] 20 40 NC 39 NC 38 NC 37 NC NC 21 36 NC NC 22 35 NC I2C
SCL,P1[7] 23 34 P1[6] I2CSDA,P1[5] 24 NC 25 33 P1[4],EXTCLK 32 P1[2] P1[3] 26 31 P1[0],I2CSDA,SDATA SCLK,I2CSCL,P1[1] 27 30 NC Vss 28 29 NC CY8C2100156-SSOP引脚定义 引脚编号 类型数字 模拟
1 电源
2 I/O
I 3 I/O
I 4 I/O
I 5 I/O
I 6 I/O
7 I/O
8 I/O
I 9 I/O
I 10 11 12 13 14 OCD 15 OCD 16 电源 17 电源 18 电源 19 I/O 引脚名称 VSS
P0[7]P0[5]P0[3]P0[1]P2[7]P2[5]P2[3]P2[1]NCNCNCNCOCDEOCDOSMPVSSVSSP3[3] 接地[18]模拟列复用器输入模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入 直接开关电容模块输入直接开关电容模块输入无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态OCD偶数据I/OOCD奇数据输出SMP连接至所需的外部组件接地[18]接地[18] 文档编号:001-92988版本*
B 说明 页14/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 CY8C2100156-SSOP引脚定义(续) 引脚编号 类型数字 模拟 引脚名称 20 I/O P3[1] 21 NC 22 NC 23 I/O P1[7] 24 I/O P1[5] 25 NC 26 I/O P1[3] 27 I/O P1[1] 28 电源 VSS 29 NC 30 NC 31 I/O P1[0] 32 I/O P1[2] 33 I/O P1[4] 34 I/O P1[6] 35 NC 36 NC 37 NC 38 NC 39 NC 40 NC 41 输入 XRES 42 OCD HCLK 43 OCD CCLK 44 I/O P3[0] 45 I/O P3[2] 46 NC 47 NC 48 I/O
I P2[0] 49 I/O
I P2[2] 50 I/O P2[4] 51 I/O P2[6] 52 I/O
I P0[0] 53 I/O
I P0[2] 54 I/O
I P0[4] 55 I/O
I P0[6] 56 电源 VDD 说明 无连接。
引脚必须处于悬空状态
无连接。
引脚必须悬空I2CSCLI2CSDA无连接。
引脚必须处于悬空状态IFMTESTI2CSCL、ISSP-SCLK[19]接地[18]无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态I2CSDA、ISSP-SDATA[19]VFMTEST可选外部时钟输入(EXTCLK) 无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态采用内部下拉电阻的高电平有效外部复位OCD高速时钟输出OCDCPU时钟输出 无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态 模拟列复用器输入模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入供电电压 图标:A=模拟、I=输入、O=输出和OCD=片上调试。
注释:18.应将所有VSS引脚连接到共同的GND接地层。
19.这些是ISSP引脚,上电复位时不处于HighZ模式。
有关详细信息,请参见《PSoC技术参考手册》。
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B 页15/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 寄存器参考 本节列出了CY8C21x34PSoC器件的寄存器。
有关寄存器的详细信息,请参见PSoC技术参考手册。
寄存器规范在表2中,列出了针对本节的寄存器规范。
表
2. RWLC# 寄存器规范规范 说明读取寄存器或位写入寄存器或位逻辑寄存器或位可清除的寄存器或位根据位决定访问类型 寄存器映射表 PSoC器件共有512个字节的寄存器地址空间。
该寄存器空间也被称为I/O空间,并分为两组,分别为组0和组
1。
标记寄存器(CPU_F)中的XOI位用于确定用户当前位所在的组。
将XOI位设置为1时,用户位于组1中。
注意:在以下寄存器映射表中,空白字段为保留字段,请勿访问这些字段。
文档编号:001-92988版本*
B 页16/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 表
3.寄存器映射0表:用户空间 名称PRT0DR 地址(
0,十六进制)访问 00 RW 名称 PRT0IE 01 RW PRT0GS 02 RW PRT0DM203 RW PRT1DR 04 RW PRT1IE 05 RW PRT1GS 06 RW PRT1DM207 RW PRT2DR 08 RW PRT2IE 09 RW PRT2GS 0A RW PRT2DM20B RW PRT3DR 0C RW PRT3IE 0D RW PRT3GS 0E RW PRT3DM20F RW 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F DBB00DR020 #AMX_IN DBB00DR121 WAMUXCFG DBB00DR222 RWPWM_CR DBB00CR023 # DBB01DR024 #CMP_CR0 DBB01DR125
W DBB01DR226 RWCMP_CR1 DBB01CR027 # DCB02DR028 #ADC0_CR DCB02DR129 WADC1_CR DCB02DR22A RW DCB02CR02B # DCB03DR02C #TMP_DR0 DCB03DR12D WTMP_DR1 DCB03DR22E RWTMP_DR2 DCB03CR02F #TMP_DR3 30 31 32 ACE00CR1 33 ACE00CR2 34 35 36 ACE01CR1 37 ACE01CR2 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 空白字段为保留字段,不能对其进行访问。
地址
(
0,十六进制)404142434445464748494A4B4C4D4E4F505152535455565758595A5B5C5D5E5F606162636465666768696A6B6C6D6E6F707172737475767778797A7B7C7D7E7F 访问 RWRWRW#RW##RWRWRWRWRWRWRWRW 名称 地址(
0,十六进制) ASE10CR080 81 82 83 ASE11CR084 85 86 87 88 89 8A 8B 8C 8D 8E 8F 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9E 9F A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF RDI0RI B0 RDI0SYN
B1 RDI0IS B2 RDI0LT0 B3 RDI0LT1 B4 RDI0RO0B5 RDI0RO1B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF #表示由位决定的访问。
访问RWRW RWRWRWRWRWRWRW 名称 CUR_PPSTK_PPIDX_PPMVR_PPMVW_PPI2C_CFGI2C_SCRI2C_DRI2C_MSCRINT_CLR0INT_CLR1INT_CLR3INT_MSK3INT_MSK0INT_MSK1INT_VCRES_WDTDEC_CR0DEC_CR1 CPU_
F DAC_DCPU_SCR1CPU_SCR0 地址(
0,十六进制)C0C1C2C3C4C5C6C7C8C9CACBCCCDCECFD0D1D2D3D4D5D6D7D8D9DADBDCDDDEDFE0E1E2E3E4E5E6E7E8E9EAEBECEDEEEFF0F1F2F3F4F5F6F7F8F9FAFBFCFDFEFF 访问 RWRWRWRWRWRW#RW#RWRWRWRWRWRWRCWRWRW RL RW## 文档编号:001-92988版本*
B 页17/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 表
4.寄存器映射1表:配置空间 名称PRT0DM0 地址(
1,十六进制)访问 00 RW 名称 PRT0DM101 RW PRT0IC002 RW PRT0IC103 RW PRT1DM004 RW PRT1DM105 RW PRT1IC006 RW PRT1IC107 RW PRT2DM008 RW PRT2DM109 RW PRT2IC00A RW PRT2IC10B RW PRT3DM00C RW PRT3DM10D RW PRT3IC00E RW PRT3IC10F RW 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F DBB00FN20 RWCLK_CR0 DBB00IN21 RWCLK_CR1 DBB00OU22 RWABF_CR0 23 AMD_CR0 DBB01FN24 RWCMP_GO_EN DBB01IN25 RW DBB01OU26 RWAMD_CR1 27 ALT_CR0 DCB02FN28 RW DCB02IN29 RW DCB02OU2A RW 2B CLK_CR3 DCB03FN2C RWTMP_DR0 DCB03IN2D RWTMP_DR1 DCB03OU2E RWTMP_DR2 2F TMP_DR3 30 31 32 ACE00CR1 33 ACE00CR2 34 35 36 ACE01CR1 37 ACE01CR2 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 空白字段为保留字段,不能对其进行访问。
地址
(
1,十六进制)404142434445464748494A4B4C4D4E4F505152535455565758595A5B5C5D5E5F606162636465666768696A6B6C6D6E6F707172737475767778797A7B7C7D7E7F 访问 RWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRW 名称ASE10CR0 地址(
1,十六进制)80 81 82 83 ASE11CR084 85 86 87 88 89 8A 8B 8C 8D 8E 8F 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9E 9F A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF RDI0RI B0 RDI0SYN
B1 RDI0IS B2 RDI0LT0 B3 RDI0LT1 B4 RDI0RO0B5 RDI0RO1B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF #针对位进行的访问。
访问RWRW RWRWRWRWRWRWRW 名称 GDI_O_INGDI_E_INGDI_O_OUGDI_E_OU MUX_CR0MUX_CR1MUX_CR2MUX_CR3OSC_GO_ENOSC_CR4OSC_CR3OSC_CR0OSC_CR1OSC_CR2VLT_CRVLT_CMPADC0_TRADC1_TRIMO_TRILO_TRBDG_TRECO_TR CPU_
F FLS_PR1 DAC_CRCPU_SCR1CPU_SCR0 地址(
1,十六进制)C0C1C2C3C4C5C6C7C8C9CACBCCCDCECFD0D1D2D3D4D5D6D7D8D9DADBDCDDDEDFE0E1E2E3E4E5E6E7E8E9EAEBECEDEEEFF0F1F2F3F4F5F6F7F8F9FAFBFCFDFEFF 访问 RWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRRWRWWWRWW RL RW RW## 文档编号:001-92988版本*
B 页18/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 最大绝对额定值 符号TSTG 存放温度 说明 TBAKETEMP烘烤温度 tBAKETIME烘烤时间 TAVDDVIOVIOZIMIOESD LU 加电时的环境温度相对于VSS的VDD供电电压直流输入电压应用于三态的直流电压任意端口引脚的最大输入电流静电放电电压闩锁电流 工作温度 符号TATJ 环境温度结温 说明 最小值–55 典型值25 最大值+100 – 125 请参见 – 封装标签 –40 – –0.5 – VSS–0.5– VSS–0.5– –25 – 2000 – – – 请参见封装标签 72 +85+6.0VDD+0.5VDD+0.5+50 –200 单位°
C °C 注意 存放温度越高,数据保留时间便越短。
推荐的存放温度为+25°C±25°
C。
如果存放温度长期保持在65°C以上,则会降低其可靠性。
小时 °CVVVmAV人体模型ESD。
mA 最小值–40–40 典型值–– 最大值+85+100 单位°C°
C 注意 从环境温度到结温的温度升高情况因封装不同而有所变化。
请参见第38页上的表29。
您必须限制功耗,以满足该项要求。
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B 页19/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 电气规范 本节提供CY8C21x34PSoC器件的直流和交流电气规范。
有关最新的电气规范,请访问赛普拉斯网站。
除非另有说明,否则这些规范的适用条件为–40°CTA85°C和TJ100°
C。
有关使用SLIMO模式下的IMO电气规范的信息,请参见第26页上的表16。
图12.电压与CPU频率 图13.IMO频率调整选项 5.25 5.25 SLIMOMode=
1 SLIMOMode=
0 4.75 4.75 VddVoltageVddVoltage SLIMOMode=
0 ValidratingnOpeRegio 3.60SLIMOSLIMO Mode=
1 Mode=
0 3.00 3.00 SLIMOSLIMO Mode=1Mode=
1 2.40 2.40 93kHz3MHz 12MHzCPUFrequency 24MHz 93kHz 6MHz 12MHz IMOFrequency 24MHz 直流电气特性 直流芯片级规范表5分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V,–40°CTA85°C,3.0V~3.6V,且–40°CTA85°C或2.4V~3.0V,且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表
5.直流芯片级规范 符号VDDIDD 说明供电电压供电电流,IMO=24MHz 最小值2.40– 典型值–
3 最大值5.254 IDD3 IMO=6MHz且使用SLIMO模式时的供 – 1.2
2 电电流。
IDD27IMO=6MHz且使用SLIMO模式时的供 – 电电流。
1.1 1.5 ISB27ISBVREFVREF27AGND 使用POR、LVD、睡眠定时器、WDT和 – 2.6
4 内部低速振荡器运行时的睡眠(模式) 电流。
中等温度范围。
使用POR、LVD、睡眠定时器、WDT和 – 2.8
5 内部低速振荡器运行时的睡眠(模式) 电流。
参考电压(带隙) 1.28 1.30 1.32 参考电压(带隙) 1.16 1.30 1.33 模拟接地 VREF–0.003VREFVREF+0.003 单位VmA mA mA µ
A 注意 请参考第24页上的表13条件为:VDD=5.0V、TA=25°
C、CPU=3MHz,48MHz被禁用。
VC1=1.5MHz、VC2=93.75kHz、VC3=0.366kHz条件为:VDD=3.3V、TA=25°
C、CPU=3MHz们,时钟倍频器被禁用。
VC1=375kHz、VC2=23.4kHz、VC3=0.091kHz条件为:VDD=2.55V、TA=25°
C、CPU=3MHz,时钟倍频器被禁用。
VC1=375kHz、VC2=23.4kHz、VC3=0.091kHzVDD=2.55V,0°CTA40°
C µAVDD=3.3V,–40°CTA85°
C V已针对相应的VDDVDD=3.0V到5.25V进行调整 V已针对相应的VDDVDD=2.4V到3.0V进行调整
V 文档编号:001-92988版本*
B 页20/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 直流通用I/O规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V到5.25V和–40°CTA85°C、3.0V到3.6V和–40°CTA85°
C、或2.4V到3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表6.5V和3.3V直流GPIO规范 符号 说明 RPU 上拉电阻 RPD 下拉电阻 VOH 输出高电平 VOL 输出低电平 IOH IOL VILVIHVHIILCIN COUT 高电平拉电流 低电平灌电流 输入低电平输入高电平输入迟滞输入漏电流(绝对值)输入引脚上的电容负载 输出引脚上的电容负载 最小值44 VDD–1.0 典型值5.65.6– 最大值88– – – 0.75 10 – – 25 – – – – 0.8 2.1 – – 60 – –
1 – – 3.5 10 – 3.5 10 单位
kk
V V mAmAVVmVnApFpF 注意 IOH=10mA、VDD=4.75到5.25V(共8个负载,其中4个连接偶数端口引脚(如P0[2]、P1[4]),另外4个连接奇数端口引脚(如P0[3]、P1[5]))IOL=25mA、VDD=4.75到5.25V(共8个负载,其中4个连接偶数端口引脚(如P0[2]、P1[4]),另外4个连接奇数端口引脚(如P0[3]、P1[5]))VOH=VDD–1.0V,请参见VOH注解中介绍的总电流限制VOL=0.75V,请参见VOL注释中的总电流限制VDD=3.0至5.25VVDD=3.0至5.25V 粗略测试结果为1µA取决于封装和引脚温度=25°C取决于封装和引脚温度=25°
C 表7.2.7V直流GPIO规范 符号 RPURPDVOH 上拉电阻下拉电阻输出高电平 说明 VOL IOH IOL VILVIHVHIILCIN COUT 输出低电平 高电平源电流 低电平灌电流 输入低电平输入高电平输入迟滞输入漏电流(绝对值)输入引脚上的电容负载 输出引脚上的电容负载 最小值44 VDD–0.4 典型值5.65.6– 最大值88– – – 0.75 2.5 – – 10 – – – – 0.75 2.0 – – – 90 – –
1 – – 3.5 10 – 3.5 10 单位
kk
V V mA mA VVmVnApF pF 注意 IOH=2.5mA(典型值为6.25)、VDD=2.4到3.0V(最大值为16mA,预计综合值为50mAIOH)IOL=10mA、VDD=2.4~3.0V(IOL的最大预算综合值为90mA)VOH=VDD–0.4V,请参见VOH说明中总电流的限制VOL=0.75V,请参见VOL注释中的总电流限制VDD=2.4到3.0VDD=2.4到3.0 粗略测试结果为1µA取决于封装和引脚温度=25°C取决于封装和引脚温度=25°
C 文档编号:001-92988版本*
B 页21/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 直流运算放大器规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V和–40°CTA85°C,3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C,或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表8.5V直流运算放大器规范 符号 VOSOATCVOSOAIEBOAIEBOA00CINOAVCMOA 说明输入偏移电压(绝对值)平均输入偏移电压漂移输入漏电流(端口0模拟引脚7-1)输入漏电流(端口
0,引脚0模拟引脚)输入电容(端口0模拟引脚)普通模式电压范围 最小值–––––0.0 典型值2.510200504.5– 最大值15–––9.5 VDD–1.0 单位mVµV/°CpAnApFV 注意 粗略测试结果为1µA粗略测试结果为1µA取决于封装和引脚。
温度=25°
C GOLOAISOA 开环增益放大器供电电流 – 80 – dB – 10 30 µ
A 表9.3.3V直流运算放大器规范 符号 说明 VOSOATCVOSOAIEBOAIEBOA00CINOAVCMOAGOLOAISOA 输入偏移电压(绝对值)平均输入偏移电压漂移输入漏电流(端口0模拟引脚)输入漏电流(端口
0,引脚0模拟引脚)输入电容(端口0模拟引脚)普通模式电压范围开环增益放大器供电电流 最小值–––––0–– 典型值2.510200504.5–8010 最大值15–––9.5 VDD–1.0–30 单位mVµV/°CpAnApFVdBµ
A 注意 粗略测试结果为1µA粗略测试结果为1µA取决于封装和引脚。
温度=25°
C 表10.2.7V直流运算放大器规范 符号 说明 VOSOATCVOSOAIEBOAIEBOA00CINOAVCMOAGOLOAISOA 输入偏移电压(绝对值)平均输入偏移电压漂移输入漏电流(端口0模拟引脚)输入漏电流(端口
0,引脚0模拟引脚)输入电容(端口0模拟引脚)普通模式电压范围开环增益放大器供电电流 最小值–––––0–– 典型值2.510200504.5–8010 最大值15–––9.5 VDD–1.0–30 单位mVµV/°CpAnApFVdBµ
A 注意 粗略测试结果为1µA粗略测试结果为1µA取决于封装和引脚。
温度=25°
C 文档编号:001-92988版本*
B 页22/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 直流开关电压泵规范 表11分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V,–40°CTA85°C,3.0V~3.6V,且–40°C TA85°C或2.4V~3.0V,且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
图14.基本开关电压泵电路 D1 +VBAT L1Battery Vdd VPUMP SMPC1 PSoC Vss 表11.直流开关电压泵(SMP)规范 符号VPUMP5V 泵输出电压为5V说明 VPUMP3V 3.3V泵输出电压 VPUMP2V 2.6V泵输出电压 IPUMP VBAT5VVBAT3VVBAT2VVBATSTART 可用输出电流VBAT=1.8V,VPUMP=5.0VVBAT=1.5V,VPUMP=3.25VVBAT=1.3V,VPUMP=2.55V电池的输入电压范围 电池的输入电压范围 电池的输入电压范围 电池的最低输入电压,用于启动泵 VPUMP_Line线路调节(在Vi范围内) 最小值典型值最大值4.755.05.25 3.003.253.60 2.452.552.80
5 – –
8 – –
8 – – 1.8 – 5.0 1.0 – 3.3 1.0 – 2.8 1.2 – – –
5 – VPUMP_Load
负载调节 –
5 – VPUMP_Ripple输出电压纹波(取决于电容/负载) E3 效率 – 100 – 35 50 – 注释: 20.L1=2mH电感,C1=10mF电容,D1=肖特基二极管。
请参考第23页上的图14。
单位
V V V mAmAmAVVVV %VO %VO mVpp% 注意 根据注释20配置,平均值,忽略纹波SMP激发电压被设置为5.0V根据注释20配置,平均值,忽略纹波。
SMP激发电压被设置为3.25V根据注释20配置,平均值,忽略纹波。
SMP激发电压被设置为2.55V根据注释20配置SMP激发电压被设置为5.0VSMP激发电压被设置为3.25VSMP激发电压被设置为2.55V根据注释20配置,SMP激发电压被设置为5.0V根据注释20配置,SMP激发电压被设置为3.25V根据注释20配置,SMP激发电压被设置为2.55V根据注解20配置, 0°CTA100。
TA=–40°C时,该电压为1.25V根据注解20配置,VO既为“激发PUMP的VDD值”,它是通过直流POR和LVD规范中的VM[2:0]设置指定的,第24页上的表13根据注解20配置,VO既为“激发PUMP的VDD值”,它是通过直流POR和LVD规范中的VM[2:0]设置指定的,第24页上的表13根据注释20配置,负载为5mA根据注解20配置,负载为5mA。
SMP激发电压被设置为3.25V 文档编号:001-92988版本*
B 页23/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 表11.直流开关电压泵(SMP)规范(续) 符号E2 效率 说明 FPUMPDCPUMP 开关频率开关占空比 最小值典型值最大值 35 80 – – 1.3 – – 50 – 单位% MHz% 注意负载I=1mA、VPUMP=2.55V、VBAT=1.3V、10µH电感、1µF电容和肖特基二极管 直流模拟复用器总线参数表12分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V,–40°CTA85°C,3.0V~3.6V,且–40°CTA85°C或2.4V~3.0V,且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表12.直流模拟复用器总线规范 符号RSW 说明通用模拟总线的开关电阻 RVDD VDD的初始化开关电阻 最小值典型值 – – – – 最大值 400800 800 单位 注意VDD2.7V2.4VVDD2.7V 直流POR和LVD参数表13分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V,–40°CTA85°C,3.0V~3.6V,且–40°CTA85°C或2.4V~3.0V,且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表13.直流POR和LVD规范 符号 说明 VPPOR0VPPOR1VPPOR2VLVD0VLVD1VLVD2VLVD3VLVD4VLVD5VLVD6VLVD7VPUMP0VPUMP1VPUMP2VPUMP3VPUMP4VPUMP5VPUMP6VPUMP7 PPOR激发的VDD值PORLEV[1:0]=00bPORLEV[1:0]=01bPORLEV[1:0]=10b LVD激发的VDD值VM[2:0]=000bVM[2:0]=001bVM[2:0]=010bVM[2:0]=011bVM[2:0]=100bVM[2:0]=101bVM[2:0]=110bVM[2:0]=111b PUMP激发的VDD值VM[2:0]=000bVM[2:0]=001bVM[2:0]=010bVM[2:0]=011bVM[2:0]=100bVM[2:0]=101bVM[2:0]=110bVM[2:0]=111b 最小值典型值最大值 – 2.362.40 – 2.822.95 – 4.554.70 单位 VVV 注意在启动期间,或者从XRES引脚或看门狗的复位期间,VDD必须不小于2.5V 2.402.452.51[21]V2.852.922.99[22]
V 2.953.023.09
V 3.063.133.20
V 4.374.484.55
V 4.504.644.75
V 4.624.734.83
V 4.714.814.95
V 2.452.552.62[23]
V 2.963.023.09
V 3.033.103.16
V 3.183.253.32[24]
V 4.544.644.74
V 4.624.734.83
V 4.714.824.92
V 4.895.005.12
V 注释:21.对于下降供电,始终比VPPOR(PORLEV=00)高50mV。
22.对于下降供电,始终比VPPOR(PORLEV=01)高50mV。
23.始终比VLVD0高50mV。
24.始终比VLVD3高50mV。
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B 页24/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 直流编程规范表14分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V,–40°CTA85°C,3.0V~3.6V,且–40°CTA85°C或2.4V~3.0V,且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表14.直流编程规范 符号VDDP 说明进行编程和清除操作时的VDD 最小值4.5 典型值
5 最大值5.5 VDDLV 用于验证的低电平VDD 2.4 2.5 2.6 VDDHV 进行验证时使用的高电平VDD 5.1 5.2 5.3 VDDIWRITE闪存写入操作的供电电压 2.7 5.25 IDDP 编程或验证期间使用的供电电流 –
5 25 VILP 编程或验证期间输入的低电平电压 – – 0.8 VIHP 编程或验证期间输入的高电平电压 2.2 – – IILP 编程或验证期间
P1[0]或P1[1]引脚使用VILP – – 0.2 电压时的输入电流 IIHP 编程或验证期间P1[0]或P1[1]采取VIHP电压 – 时的输入电流 – 1.5 VOLV 编程或验证期间输出低电平电压 – –VSS+0.75 VOHVFlashENPBFlashENT 编程或验证期间输出高电平电压(每个模块的)闪存擦写次数闪存擦写总数[26] VDD–1.0 – VDD 50,000[25] – – 1,800,000– – FlashDR闪存数据保持时间 10 – – 单位
V V
V V mAVVmA mA VV––年 注意该规范适用于外部编程工具的功能要求该规范适用于外部编程工具的功能要求该规范适用于外部编程工具的功能要求当此器件执行内部闪存写入时,此规范适用 驱动内部下拉电阻 驱动内部下拉电阻 每个模块的擦/写周期数量擦/写周期数 I2C直流规范表15分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V,–40°CTA85°C,3.0V~3.6V,且–40°CTA85°C或2.4V~3.0V,且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表15.直流I2C参数[27] 符号VILI2C 输入低电压 VIHI2C 输入高电压 说明 最小值–– 0.7×VDD 典型值––– 最大值 0.3×VDD0.25×VDD – 单位VVV 注意 2.4VVDD3.6V4.75VVDD5.25V2.4VVDD5.25V 注释: 25.仅当闪存在一个电压范围内工作时,才能保证每个模块均有50,000次擦/写循环的闪存耐久性。
电压范围为2.4V-3.0V、3.0V-3.6V和4.75V-5.25V。
26.模块的最多耐久性周期为36x50,000次。
可以在36x1个模块(每个模块最多50,000次擦/写循环)、36x2个模块(每个模块最多25,000次擦/写循环)或 36x4个模块(每个模块最多12,500次擦/写循环)之间进行平衡(以便将总擦/写循环次数限制为36x50,000次,并确保单个模块的擦/写循环次数不超过50,000次)。
对于整个工业级范围,您必须使用温度传感器用户模块(FlashTemp),并在写入前将结果提供给温度参数。
更多信息,请参考闪存API应用笔记AN2015(设计辅助—读取和写入PSoC®闪存)。
27.所有GPIO均符合直流GPIO规范章节中的直流GPIOVIL和VIH规范。
I2CGPIO引脚也符合以上规范。
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B 页25/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 交流电气特性 交流芯片级规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V和–40°CTA85°C,3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C,或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表16.5V和3.3V交流芯片级规范 符号FIMO24[28] 说明IMO频率为24MHz FIMO6[28] IMO频率为6MHz FCPU1 FCPU2FBLK5 FBLK33F32K1F32K_
U CPU频率(5V额定值) CPU频率(3.3V额定值)数字PSoC模块频率0(5V额定值) 数字PSoC模块的频率(3.3V额定值)ILO频率未调整的ILO频率 最小值典型值 23.4 24 最大值24.6[29、30] 5.52
6 6.48[29、30] 0.09124 24.6[29] 0.09112 12.3[30]
0 48 49.2[29、31]
0 24 24.6[31] 15 32 64
5 – 100 tXRSTDC24M DCILOStep24M Fout48M FMAXSRPOWER_UPtPOWERUP 外部复位脉宽24MHz占空比ILO占空比24MHz的调整步长48MHz输出频率行输入或行输出上信号的最大频率。
电源转换速率从POR结束到CPU执行代码的时间 104020–46.8––– tjit_IMO 24MHzIMO周期间抖动(RMS)[32] – 24MHzIMO长期N周期间抖动(RMS)[32] – 24MHzIMO周期抖动(RMS)[32] – –50505048.0––16 –6080–49.2[29、30]12.3250100 200 700 300 900 100 400 单位MHz MHz MHz MHzMHzMHzkHzkHz s%%kHzMHzMHzV/msms pspsps 注意已使用出厂预设值针对5V或3.3V工作电压进行了调整。
请参见第20页上的图13。
SLIMO模式=0已使用出厂预设值针对5V或3.3V工作电压进行了调整。
请参见第20页上的图13。
SLIMO模式=1SLIMO模式=0时,频率只为24MHzSLIMO模式=0请参考第29页上的交流数字模块规范 在复位之后以及M8C开始运行之前,未对ILO进行调整。
欲了解有关此调整的详细信息,请参见《PSoC技术参考手册》中“系统复位”一节。
已经过调整。
使用出厂预设值 上电期间中的VDD转换速率从0V开始上电。
请参见《PSoC技术参考手册》中“系统复位”一节。
N=32 注释:28.勘误表:IMO频率的最坏偏差情况是在0°C以下或+70°C以上运行,或在与数据手册温度范围高/低±5%的温度下运行。
29.4.75V30.3.0V有关在工作电压为3.3V时进行调整的信息,请参考应用笔记AN2012《为双电压范围操作调整PSoC微控制器修整》。
31.有关用户模块最大频率的信息,请参见各个用户模块数据手册。
32.更多信息,请参考网站应用笔记之下的赛普拉斯抖动规范应用笔记AN5054《了解赛普拉斯定时产品的数据手册抖动规范》。
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B 页26/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 表17.2.7V交流芯片级规范 符号FIMO12[33] 说明IMO频率为12MHz FIMO6[33] IMO频率为6MHz FCPU1 FBLK27 F32K1F32K_
U CPU频率(2.7V额定值) 数字PSoC模块的频率(2.7V额定值) ILO频率未调整的ILO频率 tXRSTDCILOFMAXSRPOWER_UPtPOWERUP 外部复位脉宽IILO占空比行输入或行输出上信号的最大频率。
电源转换速率从POR结束到CPU执行代码的时间 tjit_IMO 12MHzIMO周期间抖动(RMS)[36]12MHzIMO长期N周期间抖动(RMS)[36]12MHzIMO周期抖动(RMS)[36] 最小值11.04 5.52 0.093085 1020––– ––– 典型值120 最大值12.96[34、35]
6 6.48[34、35]
3 3.15[34] 12 12.5[34、35] 32 96 – 100 – – 50 80 – 12.3 – 250 16 100 400 1000 600 1300 100 500 单位
MHz MHz MHzMHzkHzkHz µs%MHzV/msms pspsps 注意已使用出厂预设值针对2.7V工作电压进行了调整。
请参见第20页上的图13。
SLIMO模式=1已使用出厂预设值针对2.7V工作电压进行了调整。
请参见第20页上的图13。
SLIMO模式=112MHz仅针对SLIMO模式=0请参考第29页上的交流数字模块规范 复位后和M8C开始运行前,未对ILO进行调整。
欲了解有关此调整的详细信息,请参见《PSoC技术参考手册》中的“系统复位”一节。
上电期间中的VDD转换速率从0V开始加电。
请参见《PSoC技术参考手册》中的“系统复位”一节。
N=32 注释:33.勘误表:IMO频率的最坏偏差情况是在0°C以下或+70°C以上运行,或在与数据手册温度范围高/低±5%的温度下运行。
34.2.4V35.有关用户模块最大频率的信息,请参见网站上提供的应用笔记AN2012《为双电压范围操作调整PSoC微控制器修整》。
36.更多信息,请参考网站应用笔记之下的赛普拉斯抖动规范应用笔记AN5054《了解赛普拉斯定时产品的数据手册抖动规范》。
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B 页27/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 交流通用I/O参数下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V和–40°CTA85°C,3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C,或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表18.5V和3.3V交流GPIO规范 符号FGPIOTRiseFTFallFTRiseSTFallS 说明GPIO工作频率上升时间,正常强驱动模式,Cload=50pF下降时间,正常强驱动模式,Cload=50pF上升时间,慢速强模式,Cload=50pF下降时间,慢速强模式,Cload=50pF 最小值03277 典型值–––2722 最大值121818–– 单位MHz nsnsnsns 注意 正常强驱动模式 VDD=4.5到5.25V,10%到90%VDD=4.5V到5.25V,10%到90%VDD=3到5.25V,10%到90%VDD=3到5.25V,10%到90% 表19.2.7V交流GPIO规范 符号 说明 FGPIOTRiseFTFallFTRiseSTFallS GPIO工作频率上升时间,正常强模式,Cload=50pF下降时间,正常强模式,Cload=50pF上升时间,慢速强模式,Cload=50pF下降时间,慢速强模式,Cload=50pF 90% 最小值0661818 典型值–––4040 最大值35050 120120 图15.GPIO时序图 单位MHznsnsnsns 注意 正常强驱动模式 VDD=2.4到3.0V,10%到90%VDD=2.4到3.0V,10%到90%VDD=2.4到3.0V,10%到90%VDD=2.4到3.0V,10%到90% GPIOPinOutputVoltage 10% TRiseFTRiseS TFallFTFallS 交流运算放大器规范 表20分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V,–40°CTA85°C,3.0V~3.6V,且–40°CTA85°C或2.4V~3.0V,且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表20.交流运算放大器规范 符号TCOMP 说明电压比较器模式响应时间,50mV过驱动 最小值– 典型值– 最大值 100200 单位 nsns 注意VDD3.0V2.4VB
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交流数字模块规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V和–40°CTA85°C,3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C,或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表21.5V和3.3V交流数字模块规范 功能所有功能定时器 计数器 死区 CRCPRS(PRS模式)CRCPRS(CRC模式)SPIM 说明模块输入时钟频率 VDD4.75VVDD<4.75V输入时钟频率无捕获性能,VDD4.75V无捕获性能,VDD<4.75V具有捕获性能捕获脉宽输入时钟频率无使能输入,VDD4.75V无使能输入,VDD<4.75V带有使能输入使能输入脉宽停止脉冲宽度异步重启模式同步重启模式禁用模式输入时钟频率VDD4.75VVDD<4.75V输入时钟频率VDD4.75VVDD<4.75V输入时钟频率 输入时钟频率 SPIS发送器接收器 输入时钟(SCLK)频率相邻传输之间的SS_Negated宽度 输入时钟频率 VDD4.75V,两个停止位VDD4.75V,一个停止位VDD<4.75V输入时钟频率 VDD4.75V,两个停止位VDD4.75V,一个停止位VDD<4.75V 最小值 –– –––50[37] –––50[37] 2050[37]50[37] –– ––– – –50[37] ––– ––– 典型值 –– –––– –––– ––– –– ––– – –– ––– ––– 最大值 49.224.6 49.224.624.6 – 49.224.624.6 – ––– 49.224.6 49.224.624.6 8.2 4.1– 49.224.624.6 49.224.624.6 单位 注意 MHzMHz MHzMHzMHz ns MHzMHzMHz ns nsnsns MHzMHz MHzMHzMHz MHz MHzns MHzMHzMHz MHzMHzMHz SPI串行时钟(SCLK)频率等于输入时钟被二分频后得到的频率。
在SPIS模式下,输入时钟为SPISCLK。
波特率等于输入时钟被8分频后得到的频率。
波特率等于输入时钟被8分频后得到的频率。
注释:37.50ns的最小输入脉冲宽度基于在24MHz(42ns标称周期)下运行的输入同步器。
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B 页29/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 表22.2.7V交流数字模块规范 功能所有功能定时器 计数器 死区 CRCPRS(PRS模式)CRCPRS(CRC模式)SPIM 说明模块输入时钟频率捕获脉宽输入时钟频率,存在或不存在捕捉使能输入脉冲宽度输入时钟频率,无使能输入输入时钟频率,使能输入Kill(停止)脉宽宽度: 异步重启模式同步重启模式禁用模式输入时钟频率输入时钟频率 输入时钟频率 输入时钟频率 SPIS发送器接收器 输入时钟(SCLK)频率相邻发送之间的SS_Negated宽度输入时钟频率 输入时钟频率 最小值– 100[38]– 100–– 典型值–––––– 最大值12.7–12.7–12.712.7 单位MHznsMHznsMHzMHz 注释2.4V
–
–
4.1
MHz
100
–
–
ns
–
–
12.7MHz波特率等于输入时钟被8分频后
的频率。
– – 12.7MHz波特率等于输入时钟的8分频。
交流外部时钟参数下表分别列出了在以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范:4.75V~5.25V和–40°CTA85°
C,或3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表23.5V交流外部时钟规范 符号FOSCEXT––– 说明频率高电平周期低电平周期从给IMO上电到切换的时间 最小值典型值最大值单位 注意 0.093– 24.6MHz 20.6 – 5300 ns 20.6 – – ns 150 – – µs 注释:38.100ns的最小输入脉冲宽度是根据频率为12MHz(84ns标称周期)时运行的输入同步器。
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B 页30/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 表24.3.3V交流外部时钟规范 符号FOSCEXT 说明CPU时钟被一分频后得到的频率 FOSCEXTCPU时钟被二分频或更高分频时得到的频率 – CPU时钟一分频时的高电平周期 – CPU时钟一分频时的低电平周期 – 从给IMO上电到切换的时间 最小值0.093 典型值– 最大值12.3 0.186 – 24.6 41.7 – 5300 41.7 – – 150 – – 单位MHz MHz nsnsµs 注意工作电压为3.3V时,CPU最大频率为12MHz。
当CPU时钟分频器设为1时,外部时钟必须符合最大频率和占空比的要求。
如果外部时钟的频率大于12MHz,那么必须将CPU时钟分频器设为2或更大。
在这种情况下,CPU时钟分频器可确保满足占空比为50%的要求 表25.2.7V交流外部时钟规范 符号FOSCEXT 说明CPU时钟被一分频后得到的频率 FOSCEXT CPU时钟被二分频或更高分频时得到的频率 – CPU时钟一分频时的高周期 – CPU时钟一分频时的低电平周期 – 从给IMO上电到切换的时间 最小值0.093 典型值– 最大值3.080 0.186 – 6.35 160 – 5300 160 – – 150 – – 单位MHz MHz nsnsµs 注意 电压为2.7V时,CPU的最大频率为3MHz。
当CPU时钟分频器被设为1时,外部时钟必须满足最大频率和占空比的要求 如果外部时钟的频率大于3MHz,必须将CPU时钟分频器设为2或更大的值。
在这种情况下,CPU、时钟分频器可确保满足占空比为50%的要求 文档编号:001-92988版本*
B 页31/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 交流编程规范表26分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V和–40°CTA85°
C,或3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表26.交流编程规范 符号 TRSCLKTFSCLKTSSCLKTHSCLKFSCLKTERASEBTWRITETDSCLKTDSCLK3TDSCLK2TERASEALLTPROGRAM_HOTTPROGRAM_COLD 说明SCLK的上升时间SCLK的下降时间从数据建立时间到SCLK下降沿的时间从SCLK下降沿后的数据保持时间SCLK的频率闪存擦除时间(模块)闪存模块写时间从SCLK下降沿后的数据输出延迟时间从SCLK下降沿后的数据输出延迟时间从SCLK下降沿开始后的数据输出延迟时间闪存擦除时间(批量)闪存模块擦除+闪存模块写时间闪存模块擦除+闪存模块写时间 最小值1140400–––––––– 典型值–––––1040–––20–– 最大值2020––8––455070– 100[39]200[39] 单位nsnsnsnsMHzmsmsnsnsnsmsmsms 注释 3.6VDD3.0VDD3.62.4VDD3.0一次性擦除所有区块和保护字段0°CTj100°C–40°CTj0°
C 交流I2C[40]规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V和–40°CTA85°C,3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C,或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表27.VDD3.0V时的I2CSDA和SCL引脚的交流电气特性 符号 说明 FSCLI2CTHDSTAI2C TLOWI2CTHIGHI2CTSUSTAI2CTHDDATI2CTSUDATI2CTSUSTOI2CTBUFI2CTSPI2C SCL时钟频率(重复)启动条件的保持时间。
经过该时间段后,会生成第一个时钟脉冲SCL时钟的低电平周期SCL时钟的高电平周期重复启动条件的建立时间数据保持时间数据建立时间停止条件的建立时间停止和启动条件之间的总线空闲时间输入滤波器抑制的尖峰脉冲宽度。
标准模式 最小值 最大值
0 100 4.0 – 4.7 – 4.0 – 4.7 –
0 – 250 – 4.0 – 4.7 – – – 快速模式 最小值 最大值
0 400 0.6 – 1.3 – 0.6 – 0.6 –
0 – 100[41] – 0.6 – 1.3 –
0 50 单位 kHz
µs µsµsµsµsnsµsµsns 注释:39.对于整个工业级范围,用户必须采用温度传感器用户模块(FlashTemp),并在写入闪存前将结果添加到温度参数内。
更多信息,请参考闪存API应用笔记 AN2015(设计辅助—读取和写入PSoC®闪存)。
40.勘误表:如果在器件进入或退出睡眠模式的同时,I2C主设备启动了某个数据传输,I2C模块将偶尔发生数据和总线损坏错误。
41.快速模式I2C总线器件可以用于标准模式I2C总线系统,但必须满足TSU;DAT250ns的要求。
如果器件没有延长SCL信号的低电平周期,会自动发生这种情况。
如I2C果总此线类规器范件)延。
长SCL信号的低电平周期,则必须在SCL线路被释放前将下一个数据位输出到SDA线路Trmax+TSU;DAT=1000+250=1250ns(根据标准模式 文档编号:001-92988版本*
B 页32/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 表28.I2CSDA和SCL引脚的2.7V交流电气特性(不支持快速模式) 符号 说明 FSCLI2CTHDSTAI2C TLOWI2CTHIGHI2CTSUSTAI2CTHDDATI2CTSUDATI2CTSUSTOI2CTBUFI2CTSPI2C SCL时钟频率(重复)启动条件的保持时间。
经过这段时间后,会生成第一个时钟脉冲。
SCL时钟的低电平周期SCL时钟的高电平周期重复启动条件的建立时间数据保持时间数据建立时间停止条件的建立时间停止和启动条件之间的总线空闲时间输入滤波器抑制的尖峰脉冲宽度。
标准模式 最小值 最大值
0 100 4.0 – 4.7 – 4.0 – 4.7 –
0 – 250 – 4.0 – 4.7 – –
请注意作为英飞凌产品组合的部分,英飞凌将继续为新的及现有客户提供该产品。
文件内容的连续性事实是英飞凌提供如下产品作为英飞凌产品组合的部分不会带来对于此文件的任何变更。
未来的变更将在恰当的时候发生,且任何变更将在历史页面记录。
订购零件编号的连续性英飞凌继续支持现有零件编号的使用。
下单时请继续使用数据表中的订购零件编号。
CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 PSoC®可编程片上系统 PSoC®可编程片上系统 特性 ■强大的Harvard架构处理器❐M8C处理器的速度高达24MHz❐高速低功耗❐工作电压范围:2.4V-5.25V❐使用片上开关电压泵(SMP)时,工作电压可低至1.0V❐工业温度范围:–40°C到+85°
C ■高级外设(PSoC®模块)❐4个E型模拟PSoC模块,能够提供:•2个带数模转换器(DAC)电压参考的比较器•1个或2个10位28通道的模数转换器(ADC)❐4个数字PSoC模块提供:•8到32位定时器、计数器和脉冲宽度调制器(PWM)•循环冗余校验(CRC)和伪随机序列(PRS)模块•全双工通用异步接收器发送器(UART)、串行外设接口(SPI)主设备或从设备•可连接到所有GPIO引脚❐通过组合多个模块,能够构建复杂外设 ■灵活的片上存储器❐8KB闪速程序存储器,50,000次擦/写循环❐512字节静态随机存取存储器(SRAM)数据存储❐系统内串行编程(ISSP)❐局部闪存更新❐灵活的保护模式❐闪存内EEPROM仿真 ■完整的开发工具❐免费的开发软件(PSoCDesigner™)❐功能齐全的在线仿真器(ICE)和编程器❐全速仿真❐复合断点结构❐128KB的跟踪存储器 ■高精度的可编程时钟❐内部±2.5%24/48MHz主振荡器[1]❐内部振荡器,能够实现看门狗和睡眠功能 ■可编程引脚配置❐所有GPIO均支持25mA的灌电流和10mA的拉电流❐所有GPIO均可选择上拉、下拉、高阻、强驱动或开漏驱动等模式❐GPIO上多达8个模拟输入❐所有GPIO都能生成可配置中断 ■多功能模拟复用器❐通用内部模拟总线❐同时I/O组合连接❐具有电容式感应能力 ■额外系统资源❐I2C[2]主设备、从设备和多主设备,频率可达400kHz❐看门狗和睡眠定时器❐用户可配置的低压检测(LVD)功能❐集成监控电路❐片上高精度电压参考 逻辑框图 勘误表:有关芯片勘误表的信息,请查看第48页上的勘误表。
具体内容包括触发条件、受影响器件以及推荐的解决方案。
注释:
1.勘误表:IMO频率的最坏偏差情况是在0°C以下或+70°C以上运行,或在与数据手册温度范围高/低±5%的温度下运行。
2.勘误表:如果在器件进入或退出睡眠模式的同时,I2C主设备启动了某个数据传输,I2C模块将偶尔发生数据和总线损坏错误。
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B •198ChampionCourt •SanJose,CA95134-1709•408-943-2600 修订日期November15,2017 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 更多有关的信息 赛普拉斯的网站上提供了大量资料,有助您正确选择PSoC器件用于设计,并使您能够快速和有效地将器件集成到设计中。
有关使用资源的完整列表,请参考知识库文章“如何使用PSoC®
1、PowerPSoC®和PLC进行设计— KBA88292”。
下面是PSoC1的简要列表: ■概况:PSoC产品系列、PSoC路线图 ■产品选型器:PSoC1、PSoC3、PSoC4、PSoC5LP ■此外,PSoCDesigner还包含了一个器件选择工具。
■应用笔记:赛普拉斯提供了大量PSoC应用笔记,包括从基本到高级的广泛主题。
下面列出了PSoC1入门的应用笔记:❐PSoC®1入门—AN75320。
❐PSoC®1—GPIO入门—AN2094。
❐PSoC®1模拟结构和配置—AN74170。
❐PSoC®1开关电容模拟模块—AN2041。
❐选择模拟接地和参考电压—AN2219。
注意:欲了解与本应用笔记相关的CY8C21x34B器件,请点击此处。
■开发套件:❐除了CY8C25/26xxx器件外,CY3210-PSoCEval1支持所有PSoC1混合信号阵列系列(包括汽车级器件)。
该套件包括LCD模块、电位器、LED和实验板空间。
❐CY3214-PSoCEvalUSB主要作为CY8C24x94PSoC器件的开发板使用。
开发板的特殊功能支持开发和调试USB和CapSense。
注意:欲了解与开发套件相关的CY8C21x34B器件,请点击此处。
MiniProg1和MiniProg3编程工具可用于对PSoC器件的编程和调试(PSoC1器件仅限编程)。
PSoCDesigner PSoCDesigner是基于Windows的免费集成开发环境(IDE)。
在拖放式开发环境中使用预先设定的模拟和数字外设库来开发您的应用程序。
然后,利用动态生成的API代码库来自定义您的设计。
图1显示的是PSoCDesigner窗口。
注意:这并不是默认窗口。
1.GlobalResources(全局资源)—所有器件硬件的设置。
2.Parameters(参数)—当前选中的用户模块的参数。
3.Pinout(引脚分布)—器件引脚的相关信息。
4.Chip-LevelEditor(芯片级编辑器)—选中芯片上可用资源 的框图
5.Datasheet(数据手册)—当前选中的用户模块的数据手册。
6.UserModules(用户模块)—选中器件的所有可用的用户模 块。
7.DeviceResourceMeter(器件资源计)—当前项目配置的 器件资源使用率
8.Workspace(工作区)—与项目有关的文件树级图。
9.Output(输出)—从项目构建和调试操作的输出。
注意:欲了解有关PSoCDesigner的详细信息,请依次选择PSoC®Designer>Help>Documentation>DesignerSpecificDocuments>IDEUserGuide。
图
1.PSoCDesigner布局 文档编号:001-92988版本*
B 页2/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 目录 PSoC功能概述....................................................................4PSoC内核....................................................................4数字系统......................................................................4模拟系统......................................................................5其它系统资源...............................................................5PSoC器件特性.............................................................6 入门....................................................................................6应用笔记......................................................................6开发套件......................................................................6培训.............................................................................6CYPros顾问.................................................................6解决方案库..................................................................6技术支持......................................................................6 开发工具.............................................................................7PSoCDesigner软件子系统..........................................7 使用PSoCDesigner进行设计............................................8选择用户模块...............................................................8配置用户模块...............................................................8组织和连接..................................................................8生成、验证和调试........................................................8 引脚信息.............................................................................916引脚器件的引脚分布................................................9CY8C2123416引脚SOIC引脚定义.............................920引脚器件的引脚分布..............................................10CY8C2133420引脚SSOP引脚定义..........................1028引脚器件的引脚分布..............................................11CY8C2153428引脚SSOP引脚定义..........................1132引脚器件的引脚分布..............................................12CY8C21434/CY8C2163432-QFN引脚定义..............1356引脚器件的引脚分布..............................................14CY8C2100156-SSOP引脚定义................................14 寄存器参考........................................................................16寄存器规范................................................................16寄存器映射表.............................................................16 最大绝对额定值................................................................19工作温度...........................................................................19电气规范...........................................................................20 直流电气特性.............................................................20交流电气特性.............................................................26封装信息...........................................................................34热阻抗........................................................................38回流焊规范................................................................38开发工具选择....................................................................39软件...........................................................................39开发套件....................................................................39评估工具....................................................................39器件编程器................................................................40配件(仿真和编程)..................................................40订购信息...........................................................................41订购代码定义.............................................................42缩略语...............................................................................43参考文档...........................................................................43文档规范...........................................................................44测量单位....................................................................44数字规范....................................................................44术语表...............................................................................44勘误表...............................................................................48受影响的器件型号......................................................48CY8C21X34合格状态................................................48CY8C21X34勘误表汇总............................................49文档修订记录....................................................................50销售、解决方案和法律信息..............................................51 文档编号:001-92988版本*
B 页3/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 PSoC功能概述 PSoC系列包含许多带片上控制器的器件。
这些器件旨在使用一个低成本的单芯片可编程组件来替换多个基于MCU的传统系统组件。
PSoC器件包含多个可配置的模拟和数字逻辑模块,以及可编程互连。
这种结构可帮助您根据每个应用的要求来创建可定制的外设配置。
此外,在一系列方便易用的引脚布局中还包含快速的CPU、闪存程序存储器、SRAM数据存储器和可配置的I/O。
如图2所示,PSoC架构由以下4个主要部分组成:内核、系统资源、数字系统和模拟系统。
利用可配置的全局总线资源,可将所有器件资源整合到一个完全定制的系统中。
每个CY8C21x34PSoC器件均包括4个数字模块和4个模拟模块。
根据PSoC封装,最多还可以包含28个GPIO。
GPIO能够提供对全局数字和模拟互连的访问。
PSoC内核 PSoC内核是一个功能强大的引擎,它支持丰富的指令集。
它包含用于存储数据的SRAM、中断控制器、睡眠和看门狗定时器,以及IMO(内部主振荡器)和ILO(内部低速振荡器)。
M8CCPU内核是一个速度高达24MHz的强大处理器[3]。
M8C是一个4MIPS的8位Harvard架构微处理器。
系统资源能够提供下述附加功能: ■用于提高灵活性的数字时钟。
■I2C[4]功能以实现I2C主设备和从设备 ■内部电压参考,多主设备模式能够为众多PSoC子系统提供1.3V的绝对值。
■开关电压泵(SMP),能够利用单个电池生成正常的工作电压。
■M8C支持的多种系统复位功能。
数字系统包括一个数字PSoC模块阵列,能够将这些模块配置为各种数字外设。
可通过一系列全局总线将数字模块连接到GPIO。
这些功能能将任意信号路由至任意引脚,因此设计不再受固定外设控制器的限制。
模拟系统包括四个模拟PSoC模块,支持电压比较器以及精度高达10位的模数转换。
数字系统 数字系统包括4个数字PSoC模块。
每个模块都是一个8位的资源,不仅可以单独使用,还可以与其他模块一起组成8、16、24和32位外设(这些模块被称为用户模块)。
数字外设配置包括: ■PWM(8到32位) ■带死区的PWM(8到32位) ■计数器(8到32位) ■定时器(8到32位) ■带可选奇偶校验位的8位UART ■串行外设接口(SPI)主设备和从设备■I2C从设备和多主设备[4] ■CRC/发生器(8位) ■IrDA ■PRS发生器(8到32位) 通过一系列能够将任意信号路由至任意引脚的全局总线,数字模块可被连接到任意GPIO。
此外,通过总线还可以实现信号复用和执行逻辑运算。
由于具有这种可配置性,因此设计不再受固定外设控制器的限制。
数字模块采用了四个一行的排列方式,具体的模块数量因PSoC器件系列不同而异。
这样有助于根据应用选择最佳的系统资源。
关于此产品系列的资源,请参见第6页上的表
1。
图
2.数字系统框图 Port3 Port2 Port1 Port0 DigitalClocksToSystemBusFromCore ToAnalogSystem 88 RowInputConfigurationRowOutputConfiguration DIGITALSYSTEM DigitalPSoCBlockArray Row0
4 DBB00 DBB01 DCB02 DCB034 GIE[7:0]GIO[7:0] GlobalDigitalInterconnect GOE[7:0]GOO[7:0] 88 注释:
3.勘误表:IMO频率的最坏偏差情况是在0°C以下或+70°C以上运行,或在与数据手册温度范围高/低±5%的温度运行。
4.勘误表:如果在器件进入或退出睡眠模式的同时,I2C主设备启动了某个数据传输,I2C模块将偶尔发生数据和总线损坏错误。
文档编号:001-92988版本*
B 页4/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 模拟系统模拟系统包含4个可配置的模块,这些模块允许创建复杂的模拟信号流。
模拟外设非常灵活,并能够根据具体的应用要求进行定制。
此器件的一些常用PSoC模拟功能(大都以用户模块的方式提供)包括: ■ADC(1个或2个,具有8位或10位分辨率)■引脚至引脚电压比较器■带绝对(1.3V)参考电压或8位DAC电压参考的单端电压比较 器(最多2个)■1.3V参考电压(属于系统资源)在大多数PSoC器件中,模拟模块都采用三个一列的排列方式,其中包括一个连续时间(CT)和两个开关电容(SC)模块。
CY8C21x34器件提供功能有限功能的E型模拟模块。
每列包含一个CTE型模块和一个SCE型模块。
有关CY8C21x34E型模拟模块的详细信息,请参考PSoC技术参考手册。
图
3.模拟系统框图 ArrayInputConfiguration AllI/O XXXX
X ACI0[1:0] ACI1[1:0] ACOL1MUXAnalogMuxBus ACE00 ArrayACE01 模拟复用器系统 可将模拟复用器总线连接至每个GPIO引脚。
引脚可单独连接至总线,也可以通过任意组合的方式连接至总线。
该总线还连接着模拟系统,以便使用电压比较器和模数转换器进行分析。
将端口0引脚连接至模拟阵列的另一个通路是由一个额外的8:1模拟输入复用器提供的。
借助于开关控制逻辑,可以在硬件控制下对选定的引脚进行连续预充电。
从而能够对触摸感应等应用进行电容式测量。
其他复用器应用包括: ■电容式触控板、手指感应。
■芯片级复用器,可以从任意的I/O引脚进行模拟输入 ■任意I/O引脚组合之间的交叉点连接 其它系统资源 系统资源能够为整个系统提供非常有用的附加功能。
某些系统资源已在前面章节中列出。
其他资源还包括开关电压泵、欠压检测和加电复位(POR)。
■数字时钟分频器能够提供三个可定制的时钟频率,以便在应用中使用。
这些时钟可被路由到数字系统,也可被路由到模拟系统。
通过将数字PSoC模块用作时钟分频器,可以生成更多时钟。
■I2C[5]模块能够通过两条线提供100kHz和400kHz的通信。
支持从设备、主设备和多主设备模式。
■LVD中断可以在电压下降时向应用程序发送信号,而高级POR电路则没有系统监控方面的需要。
■内部1.3V参考电压为ADC、DAC等模拟系统提供了一个绝对参考。
■集成开关电压泵能够利用单个1.2V的电池生成正常的工作电压,从而提供了一个低成本的升压转换器。
■通用模拟复用器系统。
ASE10 ASE11 注释:
5.勘误表:如果在器件进入或退出睡眠模式的同时,I2C主设备启动了某个数据传输,I2C模块将偶尔发生数据和总线损坏错误。
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B 页5/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 PSoC器件特性 数字和模拟系统可以有16、8或4位的数字模块和12、6或4个模拟模块,具体情况取决于PSoC器件的特性。
表1列出了特定PSoC器件系列可以使用的系统资源。
本数据手册中所介绍的PSoC器件在表1中突出显示。
表
1.PSoC器件特性 PSoC器件编号CY8C29x66CY8C28xxx CY8C27x43CY8C24x94CY8C24x23ACY8C23x33CY8C22x45CY8C21x45CY8C21x34CY8C21x23CY8C20x34CY8C20xx6 数字I/O多达64个多达44个 多达44个多达56个多达24个多达26个多达38个多达24个多达28个多达16个多达28个多达36个 数字行
4 多达3个 数字模块 16 多达12个 模拟输入 多达12个 多达44个 模拟输出
4 多达4个
2 8 多达12个
4 1
4 多达48个
2 1
4 多达12个
2 1
4 多达12个
2 2
8 多达38个
0 1
4 多达24个
0 1
4 多达28个
0 1
4 多达8个
0 0
0 多达28个
0 0
0 多达36个
0 模拟列4多达6个 4222442200 模拟模块 12 多达12+4[6]个 12 6 6 46[6]6[6]4[6]4[6]3[6、7]3[6、7] SRAM大小2K1K 2561K2562561K512512256512多达2K 闪存大小32K16K 16K16K4K8K16K8K8K4K8K多达32K 入门 有关详细信息以及详细的编程信息,请参见PSoC®技术参考手册。
如需最新的订购、封装和电气规范信息,请参见网站上提供的最新PSoC器件数据手册。
应用笔记 赛普拉斯应用笔记是对各种各样的PSoC设计方案提供的完美介绍。
开发套件 可在线获得PSoC开发套件,也可以从不断增加的地区和全球分销商(包括Arrow、、Digi-Key、Farnell、FutureElectronics和Newark)那里获得。
培训 网址下所在的在线免费PSoC技术培训(按需提供的培训、在线研讨会和专题讨论会)包含有助于您进行设计的大量主题和技能。
CYPros顾问从技术协助到完成PSoC设计,得到认证的PSoC顾问能够提供一切支持。
要联系或成为PSoC顾问,请访问CYPros顾问网站。
解决方案库 访问我们以解决方案为中心且内容不断增多的设计库。
在这里,您可以找到各种应用设计,包括了可帮助您快速完成设计的固件和硬件设计文件。
技术支持 可以在线获取技术支持(包括可搜索的知识库文章和技术论坛)。
如果找不到问题的解决方案,请致电1-800-541-4736联系技术支持。
注释:
6.有限的模拟功能。
7.两个模拟模块和一个CapSense®。
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B 页6/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 开发工具 PSoCDesigner™是革新的集成开发环境(IDE),您可以用来自定义PSoC以满足特定的应用需求。
PSoCDesigner软件可加快系统的设计和上市进程。
在拖放式开发环境中使用预先设定的模拟和数字外设库(也称为用户模块)来开发您的应用程序。
然后,利用动态生成的应用编程接口(API)代码库来自定义您的设计。
最后,在集成调试环境中调试并测试您的设计,包括在线仿真和标准的软件调试功能。
PSoCDesigner包括: ■应用编辑器图形用户界面(GUI),用于器件和用户模块配置和动态重配置 ■内容丰富的用户模块目录 ■集成的源码编辑器(C语言和汇编语言) ■免费的C语言编译器(无大小限制或时间限制) ■内置调试器 ■在线仿真 ■支持通信接口内置:❐硬件和软件I2C[8]从设备和主设备❐全速USB2.0❐多达四个全双工通用异步收发器/发送器(UART)、SPI主接口和从接口及无线 PSoCDesigner支持整个库的PSoC1器件,并可以在WindowsXP、WindowsVista和Windows7系统上运行。
PSoCDesigner软件子系统 设计入口 在芯片级视图中,选择需要使用的基本器件。
然后选择不同的板上模拟和数字组件。
这些组件称为用户模块,并采用PSoC模块。
用户模块示例包括ADC、DAC、放大器和滤波器。
为所选应用配置用户模块,将它们互连并连接至适当的引脚。
然后生成您的项目。
这样会在项目中加入API和库,您可以使用它们来对应用进行编程。
通过此工具,用户还可以轻松开发多个配置和动态重配置。
利用动态重新配置,可在运行时更改配置。
实质上,通过动态重新配置,您可以为某个应用使用超过100%的PSoC资源。
代码生成工具 这些代码生成工具能够在PSoCDesigner界面内无缝工作,并已采用一整套调试工具进行测试,您可以使用C语言、汇编语言或两者进行开发设计。
汇编器。
汇编器使汇编代码与C语言代码无缝结合。
链接库会自动使用绝对寻址,或在相对模式下进行编译,然后与其他软件模块链接实现绝对寻址。
C语言编译器。
C语言编译器支持PSoC器件系列。
这些产品可让您为PSoC系列器件创建完整的C语言程序。
优化的C语言编译器能够提供针对PSoC架构定制的所有C语言功能。
此外,还提供了各个嵌入式库。
这些库能够提供端口和总线操作、标准键盘和显示器支持,以及扩展的数学功能。
调试器 PSoCDesigner提供的调试环境具有硬件在线仿真功能,不仅可提供了PSoC器件的内部视图,还可让您在物理系统中测试程序。
借助调试器指令,可对数据存储器进行读/编程及读/写操作,对I/O寄存器进行读/写操作。
可对CPU寄存器进行读/写操作、设置和清除断点,以及提供程序运行、暂停和步进控制。
调试器还可让你创建相关寄存器和存储器位置的跟踪缓冲器。
在线帮助系统 在线帮助系统可提供与上下文相关的在线帮助。
每个功能子系统都有上下文关联的帮助,以便提供程式化的快速参考。
在线帮助系统还提供相关教程以及指向常见问题和在线支持论坛的链接,以帮助设计人员。
在线仿真器 功能强大的低成本在线仿真器(ICE)可支持开发工作。
该硬件可以编程单个器件。
仿真器包含一个通过USB端口连接到PC的基本装置。
这个基本装置是通用的,它能够与所有的PSoC器件一起使用。
您可以单独购买任意器件系列的仿真转接板。
仿真转接板取代了目标电路板中的PSoC器件并可执行全速(24MHz)操作。
注释:
8.勘误表:如果在器件进入或退出睡眠模式的同时,I2C主设备启动了某个数据传输,I2C模块将偶尔发生数据和总线损坏错误。
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B 页7/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 使用PSoCDesigner进行设计 PSoC器件的开发过程不同于传统的固定功能微处理器的开发过程。
可配置的模拟和数字硬件模块赋予了PSoC架构独特的灵活性,这样有助于在开发期间管理规范变更,并降低库存成本。
这些可配置的资源(称为PSoC模块)能够实现众多可供用户选择的功能。
PSoC开发过程可概括为以下四个步骤:
1.选择用户模块.
2.配置用户模块。
3.组织和连接。
4.生成、验证和调试。
选择用户模块 PSoCDesigner提供了一个预建且预测试的硬件外设组件库,被称为“用户模块”。
通过使用用户模块可使选择和实现外设器件(包括模拟和数字器件)变得非常简单。
配置用户模块 所选的每个用户模块都能够建立用于实现所选功能的基本寄存器设置。
此外,它们还提供了各个参数和属性,使您能够针对特定应用定制精确配置。
例如,PWM用户模块能够配置一个或多个数字PSoC模块(每个8位分辨率的模块)。
借助用户模块参数,您可以确定脉冲宽度和占空比。
根据所选应用配置参数和属性。
您可以直接输入某个值或从下拉菜单中选择。
所有用户模块都记录在数据手册中,可在PSoCDesigner中或赛普拉斯网站上 直接查看。
这些用户模块数据手册介绍了用户模块的内部操作并提供了性能规范。
每个数据手册都介绍了每个用户模块参数的使用,以及成功实现设计可能需要的其他信息。
组织和连接 你可以通过用户模块互连及与I/O引脚相连来构建芯片级的信号链。
通过进行选择、配置和布线,可完全控制所有片上资源。
生成、验证和调试 当测试硬件配置准备就绪或接下来要开发项目代码时,请执行“生成配置文件”这一步骤。
这会使PSoCDesigner生成源代码,而源代码会自动按照您的规范配置器件,并为系统提供软件。
生成的代码提供具有高级功能的应用编程接口(API),以便在运行时控制与响应硬件事件,以及可根据需要调整的中断服务子程序。
完善的代码开发环境可让你使用C语言和/或汇编语言来开发和定制应用程序。
开发过程的最后一步是在PSoCDesigner的调试器(单击“Connect”(连接)图标访问)中完成的。
PSoCDesigner会将HEX图像下载到ICE中并全速运行。
PSoCDesigner的调试功能可以与较其成本高出数倍的系统相媲美。
除了传统的单步执行、运行到断点和监视变量功能外,调试接口还提供大型跟踪缓冲区,并允许您定义复杂断点事件。
这些事件包括监控地址和数据总线值、存储器位置和外部信号。
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B 页8/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 引脚信息 CY8C21x34PSoC器件有多种封装可供选择,后续表格分别列出了这些封装。
每个端口引脚(标志为“P”)都能用作数字I/O,并可连接到通用模拟总线。
但是,VSS、VDD、SMP和XRES不能用作数字I/O。
16引脚器件的引脚分布 图
4.CY8C2123416引脚PSoC器件
A,I,
M,P0[7]
1 A,
I,M,P0[5]
2 A,
I,M,P0[3]
3 A,
I,M,P0[1]
4 SMP
5 VSS
6 M,I2CSCL,P1[1]
7 VSS
8 SOIC 16VDD15P0[6],
A,I,M 14P0[4],
A,I,M13P0[2],
A,I,M12P0[0],
A,I,M 11P1[4],EXTCLK,M10P1[2],M 9P1[0],I2CSDA,
M CY8C2123416引脚SOIC引脚定义 引脚编号 数字 类型模拟 名称
1 I/O
I、M P0[7]
2 I/O
I、M P0[5]
3 I/O
I、M P0[3]
4 I/O
I、M P0[1]
5 电源 SMP
6 电源
7 I/O
M VSSP1[1]
8 电源
9 I/O
M VSSP1[0] 10 I/O
M P1[2] 11 I/O
M P1[4] 12 I/O
I、M P0[0] 13 I/O
I、M P0[2] 14 I/O
I、M P0[4] 15 I/O
I、M P0[6] 16 电源 VDD 图标A=模拟,I=输入,O=输出和M=模拟复用器输入。
说明 模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入、积分输入模拟列复用器输入、积分输入开关电压泵(SMP)被连接到所需的外部组件接地[9]I2C串行时钟(SCL)、ISSP-SCLK[10]接地[9]I2C串行数据(SDA)、ISSP-SDATA[10] 可选外部时钟输入(EXTCLK)模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压 注释:
9.应将所有VSS引脚连接到共同的GND接地层。
10.这些是ISSP引脚,上电复位时不处于HighZ模式。
有关详细信息,请参见《PSoC技术参考手册》。
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B 页9/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 20引脚器件的引脚分布 图
5.CY8C2133420引脚PSoC器件
A,I,
M,P0[7]
1 A,
I,M,P0[5]
2 A,
I,M,P0[3]
3 A,
I,M,P0[1]
4 VSS
5 M,I2CSCL,P1[7]
6 M,I2CSDA,P1[5]
7 M,P1[3]
8 M,I2CSCL,P1[1]
9 VSS 10 SSOP 20VDD19P0[6],
A,I,M18P0[4],
A,I,M17P0[2],
A,I,M16P0[0],
A,I,M15XRES14P1[6],M13P1[4],EXTCLK,M12P1[2],M11P1[0],I2CSDA,
M CY8C2133420引脚SSOP引脚定义 引脚编号 数字 类型模拟 名称
1 I/O
I、M P0[7]
2 I/O
I、M P0[5]
3 I/O
I、M P0[3]
4 I/O
I、M P0[1]
5 电源 VSS
6 I/O
M P1[7]
7 I/O
M P1[5]
8 I/O
M P1[3]
9 I/O
M P1[1] 10 电源 11 I/O
M VSS
P1[0] 12 I/O
M P1[2] 13 I/O
M P1[4] 14 I/O
M P1[6] 15 输入 XRES 16 I/O
I、M 17 I/O
I、M 18 I/O
I、M 19 I/O
I、M 20 电源 P0[0]P0[2]P0[4]P0[6]VDD 模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入、积分输入模拟列复用器输入、积分输入接地[11]I2CSCLI2CSDA 说明 I2CSCL、ISSP-SCLK[12]接地[11]I2CSDA、ISSP-SDATA[12] 可选外部时钟输入(EXTCLK) 采用内部下拉电阻的高电平有效外部复位模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压 图标 A=模拟,I=输入,O=输出和M=模拟复用器输入。
注释:11.应将所有VSS引脚连接到共同的GND接地层。
12.这些是ISSP引脚,上电复位时不处于HighZ模式。
有关详细信息,请参见《PSoC技术参考手册》。
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B 页10/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 28引脚器件的引脚分布 图
6.CY8C2153428引脚PSoC器件
A,I,
M,P0[7]
1 A,
I,M,P0[5]
2 A,
I,M,P0[3]
3 A,
I,M,P0[1]
4 M,P2[7]
5 M,P2[5]
6 M,P2[3]
7 M,P2[1]
8 VSS
9 M,I2CSCL,P1[7]10
M,I2CSDA,P1[5]11
M,P1[3]12
M,I2CSCL,P1[1]13 VSS 14 SSOP 28VDD27P0[6],
A,I,M26P0[4],
A,I,M25P0[2],
A,I,M24P0[0],
A,I,M23P2[6],M22P2[4],M21P2[2],M20P2[0],M19XRES18P1[6],M17P1[4],EXTCLK,M16P1[2],M15P1[0],I2CSDA,
M CY8C2153428引脚SSOP引脚定义 引脚编号 数字 类型模拟 名称
1 I/O
I、M P0[7]
2 I/O
I、M P0[5]
3 I/O
I、M P0[3]
4 I/O
I、M P0[1]
5 I/O
M P2[7]
6 I/O
M P2[5]
7 I/O
I、M P2[3]
8 I/O
I、M P2[1]
9 电源 VSS 10 I/O
M P1[7] 11 I/O
M P1[5] 12 I/O
M P1[3] 13 I/O
M P1[1] 14 电源 15 I/O
M VSS
P1[0] 16 I/O
M P1[2] 17 I/O
M P1[4] 18 I/O
M P1[6] 19 输入 XRES 20 I/O
I、M P2[0] 21 I/O
I、M P2[2] 22 I/O
M P2[4] 23 I/O
M P2[6] 24 I/O
I、M P0[0] 25 I/O
I、M P0[2] 26 I/O
I、M P0[4] 27 I/O
I、M P0[6] 28 电源 VDD 图标A=模拟、I=输入、O=输出和M=模拟复用器输入。
说明 模拟列复用器输入模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入和列输出、积分输入模拟列复用器输入、积分输入 直接开关电容模块输入直接开关电容模块输入接地[13]I2CSCLI2CSDA I2CSCL、ISSP-SCLK[14]接地[13]I2CSDA、ISSP-SDATA[14] 可选的外部时钟输入(EXTCLK) 采用内部下拉电阻的高电平有效外部复位直接开关电容模块输入直接开关电容模块输入 模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压 注释:13.应将所有VSS引脚连接到共同的GND接地层。
14.这些是ISSP引脚,它们在上电复位时不处于HighZ模式。
有关详细信息,请参见《PSoC技术参考手册》。
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B 页11/51 32引脚器件的引脚分布图
7.CY8C2143432引脚PSoC器件 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 图
8.CY8C2163432引脚PSoC器件 图
7.CY8C2143432引脚SawnPSoC器件Sawn 图10.CY8C2163432引脚SawnPSoC器件Sawn 32Vss31P0[3],
A,I,M30P0[5],
A,I,M29P0[7],
A,I,M28Vdd27P0[6],
A,I,M26P0[4],
A,I,M25P0[2],
A,I,
M 32Vss31P0[3],
A,I,M30P0[5],
A,I,M29P0[7],
A,I,M28Vdd27P0[6],
A,I,M26P0[4],
A,I,M25P0[2],
A,I,
M A,
I,M,P0[1]1M,P2[7]2M,P2[5]3M,P2[3]4M,P2[1]5M,P3[3]6M,P3[1]
7 M,I2CSCL,P1[7]
8 QFN (TopView) 24P0[0],
A,I,M23P2[6],M22P2[4],M21P2[2],M20P2[0],M19P3[2],M18P3[0],M17XRES
A,I,
M,P0[1]1M,P2[7]2M,P2[5]3M,P2[3]4M,P2[1]5SMP6Vss7
M,I2CSCL,P1[7]
8 QFN (TopView) 24P0[0],
A,I,M23P2[6],M22P2[4],M21P2[2],M20P2[0],M19P3[2],M18P3[0],M17XRES
M,I2CSDA,P1[5]9M,P1[3]10
M,I2CSCL,P1[1]11Vss12
M,I2CSDA,P1[0]13M,P1[2]14
M,EXTCLK,P1[4]15M,P1[6]16
M,I2CSDA,P1[5]9M,P1[3]10
M,I2CSCL,P1[1]11Vss12
M,I2CSDA,P1[0]13M,P1[2]14
M,EXTCLK,P1[4]15M,P1[6]16 文档编号:001-92988版本*
B 页12/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 CY8C21434/CY8C2163432-QFN引脚定义 引脚编号[15] 类型 数字 模拟 名称
1 I/O
I、M P0[1]
2 I/O
M P2[7]
3 I/O
M P2[5]
4 I/O
M P2[3]
5 I/O
M P2[1]
6 I/O
M P3[3]
6 电源 SMP
7 I/O
M P3[1]
7 电源 VSS
8 I/O
M P1[7]
9 I/O
M P1[5] 10 I/O
M P1[3] 11 I/O
M P1[1] 12 电源 VSS 13 I/O
M P1[0] 14 I/O
M P1[2] 15 I/O
M P1[4] 16 I/O
M P1[6] 17 输入 XRES 18 I/O
M P3[0] 19 I/O
M P3[2] 20 I/O
M P2[0] 21 I/O
M P2[2] 22 I/O
M P2[4] 23 I/O
M P2[6] 24 I/O
I、
M P0[0] 25 I/O
I、M P0[2] 26 I/O
I、M P0[4] 27 I/O
I、M P0[6] 28 电源 VDD 29 I/O
I、M P0[7] 30 I/O
I、M P0[5] 31 I/O
I、M P0[3] 32 电源 VSS 图标:A=模拟、I=输入、O=输出和M=模拟复用器输入。
模拟列复用器输入、积分输入 说明 在CY8C21434芯片中SMP连接至CY8C21634芯片所需的外部组件在CY8C21434芯片中CY8C21634芯片中的接地[16]I2CSCLI2CSDA I2CSCL、ISSP-SCLK[17]接地[16]I2CSDA、ISSP-SDATA[17] 可选的外部时钟输入(EXTCLK) 有内部下拉电阻的高电平有效外部复位 模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入供电电压模拟列复用器输入模拟列复用器输入模拟列复用器输入、积分输入接地[16] 注释:15.QFN封装上的中心焊盘必须接地(VSS),以获得最佳机械、热学和电气性能。
如果未接地,它则必须处于电气悬空状态,而不能连接到其他任何信号。
16.应将所有VSS引脚连接到共同的GND接地层。
17.这些是ISSP引脚,它们在上电复位时不处于HighZ模式。
有关详细信息,请参见《PSoC技术参考手册》。
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B 页13/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 56引脚器件的引脚分布 56引脚SSOP器件适用于CY8C21001片上调试(OCD)PSoC器件。
注意:此器件仅用于在线调试。
不能用于生产。
图11.CY8C2100156引脚PSoC器件 Vss
1 56 Vdd AI,P0[7]
2 55 P0[6],AI AI,P0[5]
3 AI,P0[3]
4 54 P0[4],AI 53 P0[2],AI AI,P0[1]
5 P2[7]
6 52 P0[0],AI 51 P2[6] P2[5]
7 P2[3]
8 50 P2[4] 49 P2[2] P2[1]
9 48 P2[0] NC 10 47 NC NC 11 46 NC NC 12 45 P3[2] NC 13 44 P3[0] OCDE 14SSOP 43 CCLK OCDO 15 42 HCLK SMP 16 41 XRES Vss 17 Vss 18 P3[3] 19 P3[1] 20 40 NC 39 NC 38 NC 37 NC NC 21 36 NC NC 22 35 NC I2C
SCL,P1[7] 23 34 P1[6] I2CSDA,P1[5] 24 NC 25 33 P1[4],EXTCLK 32 P1[2] P1[3] 26 31 P1[0],I2CSDA,SDATA SCLK,I2CSCL,P1[1] 27 30 NC Vss 28 29 NC CY8C2100156-SSOP引脚定义 引脚编号 类型数字 模拟
1 电源
2 I/O
I 3 I/O
I 4 I/O
I 5 I/O
I 6 I/O
7 I/O
8 I/O
I 9 I/O
I 10 11 12 13 14 OCD 15 OCD 16 电源 17 电源 18 电源 19 I/O 引脚名称 VSS
P0[7]P0[5]P0[3]P0[1]P2[7]P2[5]P2[3]P2[1]NCNCNCNCOCDEOCDOSMPVSSVSSP3[3] 接地[18]模拟列复用器输入模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入 直接开关电容模块输入直接开关电容模块输入无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态OCD偶数据I/OOCD奇数据输出SMP连接至所需的外部组件接地[18]接地[18] 文档编号:001-92988版本*
B 说明 页14/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 CY8C2100156-SSOP引脚定义(续) 引脚编号 类型数字 模拟 引脚名称 20 I/O P3[1] 21 NC 22 NC 23 I/O P1[7] 24 I/O P1[5] 25 NC 26 I/O P1[3] 27 I/O P1[1] 28 电源 VSS 29 NC 30 NC 31 I/O P1[0] 32 I/O P1[2] 33 I/O P1[4] 34 I/O P1[6] 35 NC 36 NC 37 NC 38 NC 39 NC 40 NC 41 输入 XRES 42 OCD HCLK 43 OCD CCLK 44 I/O P3[0] 45 I/O P3[2] 46 NC 47 NC 48 I/O
I P2[0] 49 I/O
I P2[2] 50 I/O P2[4] 51 I/O P2[6] 52 I/O
I P0[0] 53 I/O
I P0[2] 54 I/O
I P0[4] 55 I/O
I P0[6] 56 电源 VDD 说明 无连接。
引脚必须处于悬空状态
无连接。
引脚必须悬空I2CSCLI2CSDA无连接。
引脚必须处于悬空状态IFMTESTI2CSCL、ISSP-SCLK[19]接地[18]无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态I2CSDA、ISSP-SDATA[19]VFMTEST可选外部时钟输入(EXTCLK) 无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态采用内部下拉电阻的高电平有效外部复位OCD高速时钟输出OCDCPU时钟输出 无连接。
引脚必须处于悬空状态无连接。
引脚必须处于悬空状态 模拟列复用器输入模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入和列输出模拟列复用器输入供电电压 图标:A=模拟、I=输入、O=输出和OCD=片上调试。
注释:18.应将所有VSS引脚连接到共同的GND接地层。
19.这些是ISSP引脚,上电复位时不处于HighZ模式。
有关详细信息,请参见《PSoC技术参考手册》。
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B 页15/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 寄存器参考 本节列出了CY8C21x34PSoC器件的寄存器。
有关寄存器的详细信息,请参见PSoC技术参考手册。
寄存器规范在表2中,列出了针对本节的寄存器规范。
表
2. RWLC# 寄存器规范规范 说明读取寄存器或位写入寄存器或位逻辑寄存器或位可清除的寄存器或位根据位决定访问类型 寄存器映射表 PSoC器件共有512个字节的寄存器地址空间。
该寄存器空间也被称为I/O空间,并分为两组,分别为组0和组
1。
标记寄存器(CPU_F)中的XOI位用于确定用户当前位所在的组。
将XOI位设置为1时,用户位于组1中。
注意:在以下寄存器映射表中,空白字段为保留字段,请勿访问这些字段。
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B 页16/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 表
3.寄存器映射0表:用户空间 名称PRT0DR 地址(
0,十六进制)访问 00 RW 名称 PRT0IE 01 RW PRT0GS 02 RW PRT0DM203 RW PRT1DR 04 RW PRT1IE 05 RW PRT1GS 06 RW PRT1DM207 RW PRT2DR 08 RW PRT2IE 09 RW PRT2GS 0A RW PRT2DM20B RW PRT3DR 0C RW PRT3IE 0D RW PRT3GS 0E RW PRT3DM20F RW 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F DBB00DR020 #AMX_IN DBB00DR121 WAMUXCFG DBB00DR222 RWPWM_CR DBB00CR023 # DBB01DR024 #CMP_CR0 DBB01DR125
W DBB01DR226 RWCMP_CR1 DBB01CR027 # DCB02DR028 #ADC0_CR DCB02DR129 WADC1_CR DCB02DR22A RW DCB02CR02B # DCB03DR02C #TMP_DR0 DCB03DR12D WTMP_DR1 DCB03DR22E RWTMP_DR2 DCB03CR02F #TMP_DR3 30 31 32 ACE00CR1 33 ACE00CR2 34 35 36 ACE01CR1 37 ACE01CR2 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 空白字段为保留字段,不能对其进行访问。
地址
(
0,十六进制)404142434445464748494A4B4C4D4E4F505152535455565758595A5B5C5D5E5F606162636465666768696A6B6C6D6E6F707172737475767778797A7B7C7D7E7F 访问 RWRWRW#RW##RWRWRWRWRWRWRWRW 名称 地址(
0,十六进制) ASE10CR080 81 82 83 ASE11CR084 85 86 87 88 89 8A 8B 8C 8D 8E 8F 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9E 9F A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF RDI0RI B0 RDI0SYN
B1 RDI0IS B2 RDI0LT0 B3 RDI0LT1 B4 RDI0RO0B5 RDI0RO1B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF #表示由位决定的访问。
访问RWRW RWRWRWRWRWRWRW 名称 CUR_PPSTK_PPIDX_PPMVR_PPMVW_PPI2C_CFGI2C_SCRI2C_DRI2C_MSCRINT_CLR0INT_CLR1INT_CLR3INT_MSK3INT_MSK0INT_MSK1INT_VCRES_WDTDEC_CR0DEC_CR1 CPU_
F DAC_DCPU_SCR1CPU_SCR0 地址(
0,十六进制)C0C1C2C3C4C5C6C7C8C9CACBCCCDCECFD0D1D2D3D4D5D6D7D8D9DADBDCDDDEDFE0E1E2E3E4E5E6E7E8E9EAEBECEDEEEFF0F1F2F3F4F5F6F7F8F9FAFBFCFDFEFF 访问 RWRWRWRWRWRW#RW#RWRWRWRWRWRWRCWRWRW RL RW## 文档编号:001-92988版本*
B 页17/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 表
4.寄存器映射1表:配置空间 名称PRT0DM0 地址(
1,十六进制)访问 00 RW 名称 PRT0DM101 RW PRT0IC002 RW PRT0IC103 RW PRT1DM004 RW PRT1DM105 RW PRT1IC006 RW PRT1IC107 RW PRT2DM008 RW PRT2DM109 RW PRT2IC00A RW PRT2IC10B RW PRT3DM00C RW PRT3DM10D RW PRT3IC00E RW PRT3IC10F RW 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F DBB00FN20 RWCLK_CR0 DBB00IN21 RWCLK_CR1 DBB00OU22 RWABF_CR0 23 AMD_CR0 DBB01FN24 RWCMP_GO_EN DBB01IN25 RW DBB01OU26 RWAMD_CR1 27 ALT_CR0 DCB02FN28 RW DCB02IN29 RW DCB02OU2A RW 2B CLK_CR3 DCB03FN2C RWTMP_DR0 DCB03IN2D RWTMP_DR1 DCB03OU2E RWTMP_DR2 2F TMP_DR3 30 31 32 ACE00CR1 33 ACE00CR2 34 35 36 ACE01CR1 37 ACE01CR2 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 空白字段为保留字段,不能对其进行访问。
地址
(
1,十六进制)404142434445464748494A4B4C4D4E4F505152535455565758595A5B5C5D5E5F606162636465666768696A6B6C6D6E6F707172737475767778797A7B7C7D7E7F 访问 RWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRW 名称ASE10CR0 地址(
1,十六进制)80 81 82 83 ASE11CR084 85 86 87 88 89 8A 8B 8C 8D 8E 8F 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9E 9F A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF RDI0RI B0 RDI0SYN
B1 RDI0IS B2 RDI0LT0 B3 RDI0LT1 B4 RDI0RO0B5 RDI0RO1B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF #针对位进行的访问。
访问RWRW RWRWRWRWRWRWRW 名称 GDI_O_INGDI_E_INGDI_O_OUGDI_E_OU MUX_CR0MUX_CR1MUX_CR2MUX_CR3OSC_GO_ENOSC_CR4OSC_CR3OSC_CR0OSC_CR1OSC_CR2VLT_CRVLT_CMPADC0_TRADC1_TRIMO_TRILO_TRBDG_TRECO_TR CPU_
F FLS_PR1 DAC_CRCPU_SCR1CPU_SCR0 地址(
1,十六进制)C0C1C2C3C4C5C6C7C8C9CACBCCCDCECFD0D1D2D3D4D5D6D7D8D9DADBDCDDDEDFE0E1E2E3E4E5E6E7E8E9EAEBECEDEEEFF0F1F2F3F4F5F6F7F8F9FAFBFCFDFEFF 访问 RWRWRWRW RWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRWRRWRWWWRWW RL RW RW## 文档编号:001-92988版本*
B 页18/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 最大绝对额定值 符号TSTG 存放温度 说明 TBAKETEMP烘烤温度 tBAKETIME烘烤时间 TAVDDVIOVIOZIMIOESD LU 加电时的环境温度相对于VSS的VDD供电电压直流输入电压应用于三态的直流电压任意端口引脚的最大输入电流静电放电电压闩锁电流 工作温度 符号TATJ 环境温度结温 说明 最小值–55 典型值25 最大值+100 – 125 请参见 – 封装标签 –40 – –0.5 – VSS–0.5– VSS–0.5– –25 – 2000 – – – 请参见封装标签 72 +85+6.0VDD+0.5VDD+0.5+50 –200 单位°
C °C 注意 存放温度越高,数据保留时间便越短。
推荐的存放温度为+25°C±25°
C。
如果存放温度长期保持在65°C以上,则会降低其可靠性。
小时 °CVVVmAV人体模型ESD。
mA 最小值–40–40 典型值–– 最大值+85+100 单位°C°
C 注意 从环境温度到结温的温度升高情况因封装不同而有所变化。
请参见第38页上的表29。
您必须限制功耗,以满足该项要求。
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B 页19/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 电气规范 本节提供CY8C21x34PSoC器件的直流和交流电气规范。
有关最新的电气规范,请访问赛普拉斯网站。
除非另有说明,否则这些规范的适用条件为–40°CTA85°C和TJ100°
C。
有关使用SLIMO模式下的IMO电气规范的信息,请参见第26页上的表16。
图12.电压与CPU频率 图13.IMO频率调整选项 5.25 5.25 SLIMOMode=
1 SLIMOMode=
0 4.75 4.75 VddVoltageVddVoltage SLIMOMode=
0 ValidratingnOpeRegio 3.60SLIMOSLIMO Mode=
1 Mode=
0 3.00 3.00 SLIMOSLIMO Mode=1Mode=
1 2.40 2.40 93kHz3MHz 12MHzCPUFrequency 24MHz 93kHz 6MHz 12MHz IMOFrequency 24MHz 直流电气特性 直流芯片级规范表5分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V,–40°CTA85°C,3.0V~3.6V,且–40°CTA85°C或2.4V~3.0V,且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表
5.直流芯片级规范 符号VDDIDD 说明供电电压供电电流,IMO=24MHz 最小值2.40– 典型值–
3 最大值5.254 IDD3 IMO=6MHz且使用SLIMO模式时的供 – 1.2
2 电电流。
IDD27IMO=6MHz且使用SLIMO模式时的供 – 电电流。
1.1 1.5 ISB27ISBVREFVREF27AGND 使用POR、LVD、睡眠定时器、WDT和 – 2.6
4 内部低速振荡器运行时的睡眠(模式) 电流。
中等温度范围。
使用POR、LVD、睡眠定时器、WDT和 – 2.8
5 内部低速振荡器运行时的睡眠(模式) 电流。
参考电压(带隙) 1.28 1.30 1.32 参考电压(带隙) 1.16 1.30 1.33 模拟接地 VREF–0.003VREFVREF+0.003 单位VmA mA mA µ
A 注意 请参考第24页上的表13条件为:VDD=5.0V、TA=25°
C、CPU=3MHz,48MHz被禁用。
VC1=1.5MHz、VC2=93.75kHz、VC3=0.366kHz条件为:VDD=3.3V、TA=25°
C、CPU=3MHz们,时钟倍频器被禁用。
VC1=375kHz、VC2=23.4kHz、VC3=0.091kHz条件为:VDD=2.55V、TA=25°
C、CPU=3MHz,时钟倍频器被禁用。
VC1=375kHz、VC2=23.4kHz、VC3=0.091kHzVDD=2.55V,0°CTA40°
C µAVDD=3.3V,–40°CTA85°
C V已针对相应的VDDVDD=3.0V到5.25V进行调整 V已针对相应的VDDVDD=2.4V到3.0V进行调整
V 文档编号:001-92988版本*
B 页20/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 直流通用I/O规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V到5.25V和–40°CTA85°C、3.0V到3.6V和–40°CTA85°
C、或2.4V到3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表6.5V和3.3V直流GPIO规范 符号 说明 RPU 上拉电阻 RPD 下拉电阻 VOH 输出高电平 VOL 输出低电平 IOH IOL VILVIHVHIILCIN COUT 高电平拉电流 低电平灌电流 输入低电平输入高电平输入迟滞输入漏电流(绝对值)输入引脚上的电容负载 输出引脚上的电容负载 最小值44 VDD–1.0 典型值5.65.6– 最大值88– – – 0.75 10 – – 25 – – – – 0.8 2.1 – – 60 – –
1 – – 3.5 10 – 3.5 10 单位
kk
V V mAmAVVmVnApFpF 注意 IOH=10mA、VDD=4.75到5.25V(共8个负载,其中4个连接偶数端口引脚(如P0[2]、P1[4]),另外4个连接奇数端口引脚(如P0[3]、P1[5]))IOL=25mA、VDD=4.75到5.25V(共8个负载,其中4个连接偶数端口引脚(如P0[2]、P1[4]),另外4个连接奇数端口引脚(如P0[3]、P1[5]))VOH=VDD–1.0V,请参见VOH注解中介绍的总电流限制VOL=0.75V,请参见VOL注释中的总电流限制VDD=3.0至5.25VVDD=3.0至5.25V 粗略测试结果为1µA取决于封装和引脚温度=25°C取决于封装和引脚温度=25°
C 表7.2.7V直流GPIO规范 符号 RPURPDVOH 上拉电阻下拉电阻输出高电平 说明 VOL IOH IOL VILVIHVHIILCIN COUT 输出低电平 高电平源电流 低电平灌电流 输入低电平输入高电平输入迟滞输入漏电流(绝对值)输入引脚上的电容负载 输出引脚上的电容负载 最小值44 VDD–0.4 典型值5.65.6– 最大值88– – – 0.75 2.5 – – 10 – – – – 0.75 2.0 – – – 90 – –
1 – – 3.5 10 – 3.5 10 单位
kk
V V mA mA VVmVnApF pF 注意 IOH=2.5mA(典型值为6.25)、VDD=2.4到3.0V(最大值为16mA,预计综合值为50mAIOH)IOL=10mA、VDD=2.4~3.0V(IOL的最大预算综合值为90mA)VOH=VDD–0.4V,请参见VOH说明中总电流的限制VOL=0.75V,请参见VOL注释中的总电流限制VDD=2.4到3.0VDD=2.4到3.0 粗略测试结果为1µA取决于封装和引脚温度=25°C取决于封装和引脚温度=25°
C 文档编号:001-92988版本*
B 页21/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 直流运算放大器规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V和–40°CTA85°C,3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C,或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表8.5V直流运算放大器规范 符号 VOSOATCVOSOAIEBOAIEBOA00CINOAVCMOA 说明输入偏移电压(绝对值)平均输入偏移电压漂移输入漏电流(端口0模拟引脚7-1)输入漏电流(端口
0,引脚0模拟引脚)输入电容(端口0模拟引脚)普通模式电压范围 最小值–––––0.0 典型值2.510200504.5– 最大值15–––9.5 VDD–1.0 单位mVµV/°CpAnApFV 注意 粗略测试结果为1µA粗略测试结果为1µA取决于封装和引脚。
温度=25°
C GOLOAISOA 开环增益放大器供电电流 – 80 – dB – 10 30 µ
A 表9.3.3V直流运算放大器规范 符号 说明 VOSOATCVOSOAIEBOAIEBOA00CINOAVCMOAGOLOAISOA 输入偏移电压(绝对值)平均输入偏移电压漂移输入漏电流(端口0模拟引脚)输入漏电流(端口
0,引脚0模拟引脚)输入电容(端口0模拟引脚)普通模式电压范围开环增益放大器供电电流 最小值–––––0–– 典型值2.510200504.5–8010 最大值15–––9.5 VDD–1.0–30 单位mVµV/°CpAnApFVdBµ
A 注意 粗略测试结果为1µA粗略测试结果为1µA取决于封装和引脚。
温度=25°
C 表10.2.7V直流运算放大器规范 符号 说明 VOSOATCVOSOAIEBOAIEBOA00CINOAVCMOAGOLOAISOA 输入偏移电压(绝对值)平均输入偏移电压漂移输入漏电流(端口0模拟引脚)输入漏电流(端口
0,引脚0模拟引脚)输入电容(端口0模拟引脚)普通模式电压范围开环增益放大器供电电流 最小值–––––0–– 典型值2.510200504.5–8010 最大值15–––9.5 VDD–1.0–30 单位mVµV/°CpAnApFVdBµ
A 注意 粗略测试结果为1µA粗略测试结果为1µA取决于封装和引脚。
温度=25°
C 文档编号:001-92988版本*
B 页22/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 直流开关电压泵规范 表11分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V,–40°CTA85°C,3.0V~3.6V,且–40°C TA85°C或2.4V~3.0V,且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
图14.基本开关电压泵电路 D1 +VBAT L1Battery Vdd VPUMP SMPC1 PSoC Vss 表11.直流开关电压泵(SMP)规范 符号VPUMP5V 泵输出电压为5V说明 VPUMP3V 3.3V泵输出电压 VPUMP2V 2.6V泵输出电压 IPUMP VBAT5VVBAT3VVBAT2VVBATSTART 可用输出电流VBAT=1.8V,VPUMP=5.0VVBAT=1.5V,VPUMP=3.25VVBAT=1.3V,VPUMP=2.55V电池的输入电压范围 电池的输入电压范围 电池的输入电压范围 电池的最低输入电压,用于启动泵 VPUMP_Line线路调节(在Vi范围内) 最小值典型值最大值4.755.05.25 3.003.253.60 2.452.552.80
5 – –
8 – –
8 – – 1.8 – 5.0 1.0 – 3.3 1.0 – 2.8 1.2 – – –
5 – VPUMP_Load
负载调节 –
5 – VPUMP_Ripple输出电压纹波(取决于电容/负载) E3 效率 – 100 – 35 50 – 注释: 20.L1=2mH电感,C1=10mF电容,D1=肖特基二极管。
请参考第23页上的图14。
单位
V V V mAmAmAVVVV %VO %VO mVpp% 注意 根据注释20配置,平均值,忽略纹波SMP激发电压被设置为5.0V根据注释20配置,平均值,忽略纹波。
SMP激发电压被设置为3.25V根据注释20配置,平均值,忽略纹波。
SMP激发电压被设置为2.55V根据注释20配置SMP激发电压被设置为5.0VSMP激发电压被设置为3.25VSMP激发电压被设置为2.55V根据注释20配置,SMP激发电压被设置为5.0V根据注释20配置,SMP激发电压被设置为3.25V根据注释20配置,SMP激发电压被设置为2.55V根据注解20配置, 0°CTA100。
TA=–40°C时,该电压为1.25V根据注解20配置,VO既为“激发PUMP的VDD值”,它是通过直流POR和LVD规范中的VM[2:0]设置指定的,第24页上的表13根据注解20配置,VO既为“激发PUMP的VDD值”,它是通过直流POR和LVD规范中的VM[2:0]设置指定的,第24页上的表13根据注释20配置,负载为5mA根据注解20配置,负载为5mA。
SMP激发电压被设置为3.25V 文档编号:001-92988版本*
B 页23/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 表11.直流开关电压泵(SMP)规范(续) 符号E2 效率 说明 FPUMPDCPUMP 开关频率开关占空比 最小值典型值最大值 35 80 – – 1.3 – – 50 – 单位% MHz% 注意负载I=1mA、VPUMP=2.55V、VBAT=1.3V、10µH电感、1µF电容和肖特基二极管 直流模拟复用器总线参数表12分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V,–40°CTA85°C,3.0V~3.6V,且–40°CTA85°C或2.4V~3.0V,且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表12.直流模拟复用器总线规范 符号RSW 说明通用模拟总线的开关电阻 RVDD VDD的初始化开关电阻 最小值典型值 – – – – 最大值 400800 800 单位 注意VDD2.7V2.4VVDD2.7V 直流POR和LVD参数表13分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V,–40°CTA85°C,3.0V~3.6V,且–40°CTA85°C或2.4V~3.0V,且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表13.直流POR和LVD规范 符号 说明 VPPOR0VPPOR1VPPOR2VLVD0VLVD1VLVD2VLVD3VLVD4VLVD5VLVD6VLVD7VPUMP0VPUMP1VPUMP2VPUMP3VPUMP4VPUMP5VPUMP6VPUMP7 PPOR激发的VDD值PORLEV[1:0]=00bPORLEV[1:0]=01bPORLEV[1:0]=10b LVD激发的VDD值VM[2:0]=000bVM[2:0]=001bVM[2:0]=010bVM[2:0]=011bVM[2:0]=100bVM[2:0]=101bVM[2:0]=110bVM[2:0]=111b PUMP激发的VDD值VM[2:0]=000bVM[2:0]=001bVM[2:0]=010bVM[2:0]=011bVM[2:0]=100bVM[2:0]=101bVM[2:0]=110bVM[2:0]=111b 最小值典型值最大值 – 2.362.40 – 2.822.95 – 4.554.70 单位 VVV 注意在启动期间,或者从XRES引脚或看门狗的复位期间,VDD必须不小于2.5V 2.402.452.51[21]V2.852.922.99[22]
V 2.953.023.09
V 3.063.133.20
V 4.374.484.55
V 4.504.644.75
V 4.624.734.83
V 4.714.814.95
V 2.452.552.62[23]
V 2.963.023.09
V 3.033.103.16
V 3.183.253.32[24]
V 4.544.644.74
V 4.624.734.83
V 4.714.824.92
V 4.895.005.12
V 注释:21.对于下降供电,始终比VPPOR(PORLEV=00)高50mV。
22.对于下降供电,始终比VPPOR(PORLEV=01)高50mV。
23.始终比VLVD0高50mV。
24.始终比VLVD3高50mV。
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B 页24/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 直流编程规范表14分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V,–40°CTA85°C,3.0V~3.6V,且–40°CTA85°C或2.4V~3.0V,且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表14.直流编程规范 符号VDDP 说明进行编程和清除操作时的VDD 最小值4.5 典型值
5 最大值5.5 VDDLV 用于验证的低电平VDD 2.4 2.5 2.6 VDDHV 进行验证时使用的高电平VDD 5.1 5.2 5.3 VDDIWRITE闪存写入操作的供电电压 2.7 5.25 IDDP 编程或验证期间使用的供电电流 –
5 25 VILP 编程或验证期间输入的低电平电压 – – 0.8 VIHP 编程或验证期间输入的高电平电压 2.2 – – IILP 编程或验证期间
P1[0]或P1[1]引脚使用VILP – – 0.2 电压时的输入电流 IIHP 编程或验证期间P1[0]或P1[1]采取VIHP电压 – 时的输入电流 – 1.5 VOLV 编程或验证期间输出低电平电压 – –VSS+0.75 VOHVFlashENPBFlashENT 编程或验证期间输出高电平电压(每个模块的)闪存擦写次数闪存擦写总数[26] VDD–1.0 – VDD 50,000[25] – – 1,800,000– – FlashDR闪存数据保持时间 10 – – 单位
V V
V V mAVVmA mA VV––年 注意该规范适用于外部编程工具的功能要求该规范适用于外部编程工具的功能要求该规范适用于外部编程工具的功能要求当此器件执行内部闪存写入时,此规范适用 驱动内部下拉电阻 驱动内部下拉电阻 每个模块的擦/写周期数量擦/写周期数 I2C直流规范表15分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V,–40°CTA85°C,3.0V~3.6V,且–40°CTA85°C或2.4V~3.0V,且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表15.直流I2C参数[27] 符号VILI2C 输入低电压 VIHI2C 输入高电压 说明 最小值–– 0.7×VDD 典型值––– 最大值 0.3×VDD0.25×VDD – 单位VVV 注意 2.4VVDD3.6V4.75VVDD5.25V2.4VVDD5.25V 注释: 25.仅当闪存在一个电压范围内工作时,才能保证每个模块均有50,000次擦/写循环的闪存耐久性。
电压范围为2.4V-3.0V、3.0V-3.6V和4.75V-5.25V。
26.模块的最多耐久性周期为36x50,000次。
可以在36x1个模块(每个模块最多50,000次擦/写循环)、36x2个模块(每个模块最多25,000次擦/写循环)或 36x4个模块(每个模块最多12,500次擦/写循环)之间进行平衡(以便将总擦/写循环次数限制为36x50,000次,并确保单个模块的擦/写循环次数不超过50,000次)。
对于整个工业级范围,您必须使用温度传感器用户模块(FlashTemp),并在写入前将结果提供给温度参数。
更多信息,请参考闪存API应用笔记AN2015(设计辅助—读取和写入PSoC®闪存)。
27.所有GPIO均符合直流GPIO规范章节中的直流GPIOVIL和VIH规范。
I2CGPIO引脚也符合以上规范。
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B 页25/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 交流电气特性 交流芯片级规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V和–40°CTA85°C,3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C,或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表16.5V和3.3V交流芯片级规范 符号FIMO24[28] 说明IMO频率为24MHz FIMO6[28] IMO频率为6MHz FCPU1 FCPU2FBLK5 FBLK33F32K1F32K_
U CPU频率(5V额定值) CPU频率(3.3V额定值)数字PSoC模块频率0(5V额定值) 数字PSoC模块的频率(3.3V额定值)ILO频率未调整的ILO频率 最小值典型值 23.4 24 最大值24.6[29、30] 5.52
6 6.48[29、30] 0.09124 24.6[29] 0.09112 12.3[30]
0 48 49.2[29、31]
0 24 24.6[31] 15 32 64
5 – 100 tXRSTDC24M DCILOStep24M Fout48M FMAXSRPOWER_UPtPOWERUP 外部复位脉宽24MHz占空比ILO占空比24MHz的调整步长48MHz输出频率行输入或行输出上信号的最大频率。
电源转换速率从POR结束到CPU执行代码的时间 104020–46.8––– tjit_IMO 24MHzIMO周期间抖动(RMS)[32] – 24MHzIMO长期N周期间抖动(RMS)[32] – 24MHzIMO周期抖动(RMS)[32] – –50505048.0––16 –6080–49.2[29、30]12.3250100 200 700 300 900 100 400 单位MHz MHz MHz MHzMHzMHzkHzkHz s%%kHzMHzMHzV/msms pspsps 注意已使用出厂预设值针对5V或3.3V工作电压进行了调整。
请参见第20页上的图13。
SLIMO模式=0已使用出厂预设值针对5V或3.3V工作电压进行了调整。
请参见第20页上的图13。
SLIMO模式=1SLIMO模式=0时,频率只为24MHzSLIMO模式=0请参考第29页上的交流数字模块规范 在复位之后以及M8C开始运行之前,未对ILO进行调整。
欲了解有关此调整的详细信息,请参见《PSoC技术参考手册》中“系统复位”一节。
已经过调整。
使用出厂预设值 上电期间中的VDD转换速率从0V开始上电。
请参见《PSoC技术参考手册》中“系统复位”一节。
N=32 注释:28.勘误表:IMO频率的最坏偏差情况是在0°C以下或+70°C以上运行,或在与数据手册温度范围高/低±5%的温度下运行。
29.4.75V
31.有关用户模块最大频率的信息,请参见各个用户模块数据手册。
32.更多信息,请参考网站应用笔记之下的赛普拉斯抖动规范应用笔记AN5054《了解赛普拉斯定时产品的数据手册抖动规范》。
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B 页26/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 表17.2.7V交流芯片级规范 符号FIMO12[33] 说明IMO频率为12MHz FIMO6[33] IMO频率为6MHz FCPU1 FBLK27 F32K1F32K_
U CPU频率(2.7V额定值) 数字PSoC模块的频率(2.7V额定值) ILO频率未调整的ILO频率 tXRSTDCILOFMAXSRPOWER_UPtPOWERUP 外部复位脉宽IILO占空比行输入或行输出上信号的最大频率。
电源转换速率从POR结束到CPU执行代码的时间 tjit_IMO 12MHzIMO周期间抖动(RMS)[36]12MHzIMO长期N周期间抖动(RMS)[36]12MHzIMO周期抖动(RMS)[36] 最小值11.04 5.52 0.093085 1020––– ––– 典型值120 最大值12.96[34、35]
6 6.48[34、35]
3 3.15[34] 12 12.5[34、35] 32 96 – 100 – – 50 80 – 12.3 – 250 16 100 400 1000 600 1300 100 500 单位
MHz MHz MHzMHzkHzkHz µs%MHzV/msms pspsps 注意已使用出厂预设值针对2.7V工作电压进行了调整。
请参见第20页上的图13。
SLIMO模式=1已使用出厂预设值针对2.7V工作电压进行了调整。
请参见第20页上的图13。
SLIMO模式=112MHz仅针对SLIMO模式=0请参考第29页上的交流数字模块规范 复位后和M8C开始运行前,未对ILO进行调整。
欲了解有关此调整的详细信息,请参见《PSoC技术参考手册》中的“系统复位”一节。
上电期间中的VDD转换速率从0V开始加电。
请参见《PSoC技术参考手册》中的“系统复位”一节。
N=32 注释:33.勘误表:IMO频率的最坏偏差情况是在0°C以下或+70°C以上运行,或在与数据手册温度范围高/低±5%的温度下运行。
34.2.4V
36.更多信息,请参考网站应用笔记之下的赛普拉斯抖动规范应用笔记AN5054《了解赛普拉斯定时产品的数据手册抖动规范》。
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B 页27/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 交流通用I/O参数下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V和–40°CTA85°C,3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C,或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表18.5V和3.3V交流GPIO规范 符号FGPIOTRiseFTFallFTRiseSTFallS 说明GPIO工作频率上升时间,正常强驱动模式,Cload=50pF下降时间,正常强驱动模式,Cload=50pF上升时间,慢速强模式,Cload=50pF下降时间,慢速强模式,Cload=50pF 最小值03277 典型值–––2722 最大值121818–– 单位MHz nsnsnsns 注意 正常强驱动模式 VDD=4.5到5.25V,10%到90%VDD=4.5V到5.25V,10%到90%VDD=3到5.25V,10%到90%VDD=3到5.25V,10%到90% 表19.2.7V交流GPIO规范 符号 说明 FGPIOTRiseFTFallFTRiseSTFallS GPIO工作频率上升时间,正常强模式,Cload=50pF下降时间,正常强模式,Cload=50pF上升时间,慢速强模式,Cload=50pF下降时间,慢速强模式,Cload=50pF 90% 最小值0661818 典型值–––4040 最大值35050 120120 图15.GPIO时序图 单位MHznsnsnsns 注意 正常强驱动模式 VDD=2.4到3.0V,10%到90%VDD=2.4到3.0V,10%到90%VDD=2.4到3.0V,10%到90%VDD=2.4到3.0V,10%到90% GPIOPinOutputVoltage 10% TRiseFTRiseS TFallFTFallS 交流运算放大器规范 表20分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V,–40°CTA85°C,3.0V~3.6V,且–40°CTA85°C或2.4V~3.0V,且–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表20.交流运算放大器规范 符号TCOMP 说明电压比较器模式响应时间,50mV过驱动 最小值– 典型值– 最大值 100200 单位 nsns 注意VDD3.0V2.4V
C,或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表21.5V和3.3V交流数字模块规范 功能所有功能定时器 计数器 死区 CRCPRS(PRS模式)CRCPRS(CRC模式)SPIM 说明模块输入时钟频率 VDD4.75VVDD<4.75V输入时钟频率无捕获性能,VDD4.75V无捕获性能,VDD<4.75V具有捕获性能捕获脉宽输入时钟频率无使能输入,VDD4.75V无使能输入,VDD<4.75V带有使能输入使能输入脉宽停止脉冲宽度异步重启模式同步重启模式禁用模式输入时钟频率VDD4.75VVDD<4.75V输入时钟频率VDD4.75VVDD<4.75V输入时钟频率 输入时钟频率 SPIS发送器接收器 输入时钟(SCLK)频率相邻传输之间的SS_Negated宽度 输入时钟频率 VDD4.75V,两个停止位VDD4.75V,一个停止位VDD<4.75V输入时钟频率 VDD4.75V,两个停止位VDD4.75V,一个停止位VDD<4.75V 最小值 –– –––50[37] –––50[37] 2050[37]50[37] –– ––– – –50[37] ––– ––– 典型值 –– –––– –––– ––– –– ––– – –– ––– ––– 最大值 49.224.6 49.224.624.6 – 49.224.624.6 – ––– 49.224.6 49.224.624.6 8.2 4.1– 49.224.624.6 49.224.624.6 单位 注意 MHzMHz MHzMHzMHz ns MHzMHzMHz ns nsnsns MHzMHz MHzMHzMHz MHz MHzns MHzMHzMHz MHzMHzMHz SPI串行时钟(SCLK)频率等于输入时钟被二分频后得到的频率。
在SPIS模式下,输入时钟为SPISCLK。
波特率等于输入时钟被8分频后得到的频率。
波特率等于输入时钟被8分频后得到的频率。
注释:37.50ns的最小输入脉冲宽度基于在24MHz(42ns标称周期)下运行的输入同步器。
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B 页29/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 表22.2.7V交流数字模块规范 功能所有功能定时器 计数器 死区 CRCPRS(PRS模式)CRCPRS(CRC模式)SPIM 说明模块输入时钟频率捕获脉宽输入时钟频率,存在或不存在捕捉使能输入脉冲宽度输入时钟频率,无使能输入输入时钟频率,使能输入Kill(停止)脉宽宽度: 异步重启模式同步重启模式禁用模式输入时钟频率输入时钟频率 输入时钟频率 输入时钟频率 SPIS发送器接收器 输入时钟(SCLK)频率相邻发送之间的SS_Negated宽度输入时钟频率 输入时钟频率 最小值– 100[38]– 100–– 典型值–––––– 最大值12.7–12.7–12.712.7 单位MHznsMHznsMHzMHz 注释2.4V
– – 12.7MHz波特率等于输入时钟的8分频。
交流外部时钟参数下表分别列出了在以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范:4.75V~5.25V和–40°CTA85°
C,或3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表23.5V交流外部时钟规范 符号FOSCEXT––– 说明频率高电平周期低电平周期从给IMO上电到切换的时间 最小值典型值最大值单位 注意 0.093– 24.6MHz 20.6 – 5300 ns 20.6 – – ns 150 – – µs 注释:38.100ns的最小输入脉冲宽度是根据频率为12MHz(84ns标称周期)时运行的输入同步器。
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B 页30/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 表24.3.3V交流外部时钟规范 符号FOSCEXT 说明CPU时钟被一分频后得到的频率 FOSCEXTCPU时钟被二分频或更高分频时得到的频率 – CPU时钟一分频时的高电平周期 – CPU时钟一分频时的低电平周期 – 从给IMO上电到切换的时间 最小值0.093 典型值– 最大值12.3 0.186 – 24.6 41.7 – 5300 41.7 – – 150 – – 单位MHz MHz nsnsµs 注意工作电压为3.3V时,CPU最大频率为12MHz。
当CPU时钟分频器设为1时,外部时钟必须符合最大频率和占空比的要求。
如果外部时钟的频率大于12MHz,那么必须将CPU时钟分频器设为2或更大。
在这种情况下,CPU时钟分频器可确保满足占空比为50%的要求 表25.2.7V交流外部时钟规范 符号FOSCEXT 说明CPU时钟被一分频后得到的频率 FOSCEXT CPU时钟被二分频或更高分频时得到的频率 – CPU时钟一分频时的高周期 – CPU时钟一分频时的低电平周期 – 从给IMO上电到切换的时间 最小值0.093 典型值– 最大值3.080 0.186 – 6.35 160 – 5300 160 – – 150 – – 单位MHz MHz nsnsµs 注意 电压为2.7V时,CPU的最大频率为3MHz。
当CPU时钟分频器被设为1时,外部时钟必须满足最大频率和占空比的要求 如果外部时钟的频率大于3MHz,必须将CPU时钟分频器设为2或更大的值。
在这种情况下,CPU、时钟分频器可确保满足占空比为50%的要求 文档编号:001-92988版本*
B 页31/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 交流编程规范表26分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V和–40°CTA85°
C,或3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表26.交流编程规范 符号 TRSCLKTFSCLKTSSCLKTHSCLKFSCLKTERASEBTWRITETDSCLKTDSCLK3TDSCLK2TERASEALLTPROGRAM_HOTTPROGRAM_COLD 说明SCLK的上升时间SCLK的下降时间从数据建立时间到SCLK下降沿的时间从SCLK下降沿后的数据保持时间SCLK的频率闪存擦除时间(模块)闪存模块写时间从SCLK下降沿后的数据输出延迟时间从SCLK下降沿后的数据输出延迟时间从SCLK下降沿开始后的数据输出延迟时间闪存擦除时间(批量)闪存模块擦除+闪存模块写时间闪存模块擦除+闪存模块写时间 最小值1140400–––––––– 典型值–––––1040–––20–– 最大值2020––8––455070– 100[39]200[39] 单位nsnsnsnsMHzmsmsnsnsnsmsmsms 注释 3.6VDD3.0VDD3.62.4VDD3.0一次性擦除所有区块和保护字段0°CTj100°C–40°CTj0°
C 交流I2C[40]规范下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范:4.75V~5.25V和–40°CTA85°C,3.0V~3.6V和–40°CTA85°
C,或2.4V~3.0V和–40°CTA85°
C。
典型参数的测定条件为25°C下的5V、3.3V或2.7V,这些参数仅供设计指导使用。
表27.VDD3.0V时的I2CSDA和SCL引脚的交流电气特性 符号 说明 FSCLI2CTHDSTAI2C TLOWI2CTHIGHI2CTSUSTAI2CTHDDATI2CTSUDATI2CTSUSTOI2CTBUFI2CTSPI2C SCL时钟频率(重复)启动条件的保持时间。
经过该时间段后,会生成第一个时钟脉冲SCL时钟的低电平周期SCL时钟的高电平周期重复启动条件的建立时间数据保持时间数据建立时间停止条件的建立时间停止和启动条件之间的总线空闲时间输入滤波器抑制的尖峰脉冲宽度。
标准模式 最小值 最大值
0 100 4.0 – 4.7 – 4.0 – 4.7 –
0 – 250 – 4.0 – 4.7 – – – 快速模式 最小值 最大值
0 400 0.6 – 1.3 – 0.6 – 0.6 –
0 – 100[41] – 0.6 – 1.3 –
0 50 单位 kHz
µs µsµsµsµsnsµsµsns 注释:39.对于整个工业级范围,用户必须采用温度传感器用户模块(FlashTemp),并在写入闪存前将结果添加到温度参数内。
更多信息,请参考闪存API应用笔记 AN2015(设计辅助—读取和写入PSoC®闪存)。
40.勘误表:如果在器件进入或退出睡眠模式的同时,I2C主设备启动了某个数据传输,I2C模块将偶尔发生数据和总线损坏错误。
41.快速模式I2C总线器件可以用于标准模式I2C总线系统,但必须满足TSU;DAT250ns的要求。
如果器件没有延长SCL信号的低电平周期,会自动发生这种情况。
如I2C果总此线类规器范件)延。
长SCL信号的低电平周期,则必须在SCL线路被释放前将下一个数据位输出到SDA线路Trmax+TSU;DAT=1000+250=1250ns(根据标准模式 文档编号:001-92988版本*
B 页32/51 CY8C21634/CY8C21534/CY8C21434CY8C21334/CY8C21234 表28.I2CSDA和SCL引脚的2.7V交流电气特性(不支持快速模式) 符号 说明 FSCLI2CTHDSTAI2C TLOWI2CTHIGHI2CTSUSTAI2CTHDDATI2CTSUDATI2CTSUSTOI2CTBUFI2CTSPI2C SCL时钟频率(重复)启动条件的保持时间。
经过这段时间后,会生成第一个时钟脉冲。
SCL时钟的低电平周期SCL时钟的高电平周期重复启动条件的建立时间数据保持时间数据建立时间停止条件的建立时间停止和启动条件之间的总线空闲时间输入滤波器抑制的尖峰脉冲宽度。
标准模式 最小值 最大值
0 100 4.0 – 4.7 – 4.0 – 4.7 –
0 – 250 – 4.0 – 4.7 – –
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